工学半导体物理之固体量子理论基础.pptVIP

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工学半导体物理之固体量子理论基础.ppt

T=0K时,13个电子在不同能级、不同量子态上的分布示意图。 第三章 固体量子理论初步 * 考虑量子态密度g(E)是能量E的连续函数,如左图中的曲线所示,假设系统中的电子总数为N0,在T=0K时,电子在这些量子态上的分布情况如图中虚线所示。电子首先从低能级开始往上填充,最后使得费米能级EF以下的 能级全部填满,而EF以上的能级全部为空。只要已知g(E)和N0,则可以很方便地确定费米能级EF。 第三章 固体量子理论初步 * 当温度高于绝对零度时,部分电子将获得一定的热运动能量,因此13个电子在不同能级、不同量子态上的分布情况将会有所改变,如下图所示。 第三章 固体量子理论初步 * 两个原来位于E4能级的电子跃迁到了E5能级,而一个原来位于E3能级的电子则跃迁到了E4能级。 当温度高于绝对零度时,电子分布情况的改变可以通过费米-狄拉克分布函数的改变来反映。在温度T0K时,如果取E= EF,则有: 第三章 固体量子理论初步 * 分布函数和温度的关系 第三章 固体量子理论初步 * fF(E)反映的是能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率,而1? fF(E)反映的则是能量为E的一个量子态未被电子占据(即为空态)的几率。 第三章 固体量子理论初步 * 第三章 固体量子理论初步 * 空穴的分布 其它能级被占据的几率: 电子占据施主能级的几率(左) 空穴占据受主能级的几率(下) 一般可以认为,在温度不太高时,能量大于EF 的电子态基本上没有被电子占据;能量小于EF 的电子态,基本上被电子所占据,而电子占据E=EF能态的几率在各种温度下总是1/2; kT=0.0259eV,(T=300K) EF 的位置比较直观地反映了电子占据电子态的情况。即标志了电子填充能级的水平。 EF 越高,说明有较多的能量较高的电子态上有电子占据。 举例:水 第三章 固体量子理论初步 * 3. 麦克斯韦-玻尔兹曼分布近似: 当E?EFkT时,则有: 第三章 固体量子理论初步 * E-EF=5kT时,当T=300k时,为0.129eV 第三章 固体量子理论初步 * 小结 能带的概念,E-k能带图 有效质量、空穴 GaAs和Si的能带图,直接带隙和间接带隙半导体 状态密度函数 分布函数 第三章 固体量子理论初步 * Thanks! * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 电子的有效质量 有效质量与E-k图的关系 2.允带底的电子 对于晶格电子,在能带极值附近进行泰勒级数展开: 一阶导数为0,取至二阶(抛物线近似,近自由电子近似) 对于特定的半导体: 应当为一定值(极值附近),假设为 ,则可表示为: 可以看到,和自由电子相比,m*起着相当于质量的作用。 电子的有效质量 电子的有效质量 自由电子静质量m0为常数 有效质量m*和E-k关系有关,只有在能带图上的特定位置,其值才能作为常数。 m*的大小和E对k的二阶导数有关,在带底处,E-k二阶导数为正(曲率为正),因而有效质量为正,而在能带顶部,E-k二阶导数为负(曲率为负),因而有效质量为负。 有效质量和半导体电子的平均速度 对于自由电子: 相应地: 并不是晶格中电子的动量,但却有着类似于自由电子动量的表达 ( ),因而被称作准动量。 电子的有效质量 有效质量和加速度 实际的半导体器件在一定的电压下工作,半导体内部产生外加电场。 电场强度为E时 外力对电子做功等于能量的改变: 将 代入: 电子的有效质量 电子的有效质量 这反映了在外力作用下,电子的状态随时间不断变化,相应地速度不断变化,则加速度为: 从而 可以看到,借助于有效质量的概念,晶体电子在外力的作用下的运动规律可以用经典的牛顿理论来描述。有效质量是一个将经典理论和量子理论联系起来的概念。 电子的有效质量 有效质量的意义在于: 它概括了半导体内部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动运动规律时,可以不涉及到半导体内部势场的作用。 m*可以直接由实验测定,因而可以很方便地解决电子的运动规律。 有效质量与能量函数对于k的二次微商成反比,能带越窄,二次微商越小,有效质量越大。 内层电子的能带窄,有效质量大。 外层电子的能带宽,有效质量小。 外层电子,在外力的作用下可以获得较大的加速度。 空穴 硅二维晶格结构 在0k时,所有的外层价电子都处于共价键中(处于价带中,满带),因而不能导电。 热激发 ,一个电子打破共价键而游离,成为准自由电子 在电

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