第二章 集成电路的最基本制造工艺.pptVIP

第二章 集成电路的基本制造工艺;2.1 常用半导体材料;SiO2、SiON、Si3N4等;2.硅（Si） 可以制作： 二极管 双极型晶体管（BJT） 结型场效应管（J-FET） P型、N型MOS场效应管 双极CMOS（BiCMOS） …… 几乎无处不在，半导体行业中的硅大多是多晶硅;多晶硅(polysilicon,常用poly表示) 多晶硅与单晶硅都是硅原子的集合体。 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅 且其特性都随结晶度与杂质原子而改变。 非掺杂的多晶硅薄层实质上是半绝缘的，电阻率为300 W·cm 。 通过不同杂质的组合，多晶硅的电阻率可被控制在500—0.005 W·cm ;多晶硅被广泛用于电子工业。在MOS及双极器件中，多晶硅用制作栅极、形成源极与漏极（双极器件的基区与发射区）的欧姆接触、基本连线、薄PN结的扩散源、高值电阻等。 多层硅层可用溅射法，蒸发或CVD法沉淀。 多晶硅可用扩散法、注入法掺杂，也可在沉淀多晶硅的同时通入杂质气体（In-Situ法）来掺杂。 ;3.砷化镓 (GaAs) 能工作在超高速超高频，其原因在于这些材料具有更高的载流子迁移率，和近乎半绝缘的电阻率 可用来制造三种有源器件: MESFET（金属半导体肖特基结场效应晶体管 ） HEMT（高电子迁移率晶体管） HBT（异质结双极型晶体管）;4.磷化铟 (InP) 能工作在超高速超高频 可制造三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT 广泛应用于光纤通信系统中 ;6 金属材料 半导体表面制作了金属层后，根据金属的种类及半导体掺杂浓度的不同，可形成 肖特基型接触或欧姆接触 如果掺杂浓度较低，金属和半导体结合面形成肖特基型接触，构成肖特基二极管。 如果掺杂浓度足够高，以致于隧道效应可以抵消势垒的影响，那么就形成了欧姆接触。 器件互连材料包括 金属，合金，多晶硅，金属硅化物 ;IC制造用金属材料 铝，铜，铬，钛，钼，铊，钨等纯金属和合金薄层在VLSI制造中起着重要作用。这是由于这些金属及合金有着独特的属性。如对Si及绝缘材料有良好的附着力，高导电率，可塑性，容易制造，并容易与外部连线相连。 纯金属薄层用于制作与工作区的连线，器件间的互联线，栅及电容、电感、传输线的电极等。 ;铝（Al） 在Si基VLSI技术中，由于Al几乎可满足金属连接的所有要求，被广泛用于制作欧姆接触及导线。 随着器件尺寸的日益减小，金属化区域的宽度也越来越小，故连线电阻越来越高，其RC常数是限制电路速度的重要因素。 要减小连线电阻，采用低电阻率的金属或合金是一个值得优先考虑的方法。 ;铝合金 在纯金属不能满足一些重要的电学参数、达不到可靠度的情况下，IC金属化工艺中采用合金。 硅铝、铝铜、铝硅铜等合金已用于减小峰值、增大电子迁移率、增强扩散屏蔽，改进附着特性等。或用于形成特定的肖特基势垒。例如,稍微在Al中加少量的Si即可使Al导线上的缺陷减至最少，而在Al中加入少量Cu，则可使电子迁移率提高10?1000倍； 通过金属之间或与Si的互相掺杂可以增强热稳定性。 ;铜(Cu) 因为铜的电阻率为1.7 ???cm,比铝3.1 ???cm的电阻率低, 今后,以铜代铝将成为半导体技术发展的趋势. IBM公司最早推出铜布线的CMOS工艺, 实现了400MHz Power PC芯片. 0.18?m的CMOS工艺中几乎都引入了铜连线工艺. ;金与金合金 由于GaAs与III/V器件及IC被应用于对速度与可靠性要求很高的行业，如电脑、通讯、军事、航空等。故对形成金属层所使用的金属有一定的限制。 而GaAs、InP衬底的半绝缘性质及化学计量法是挑选金属时的附加考虑因素。 由于离子注入的最大掺杂浓度为3·1018cm-3，故不能用金属与高掺杂的半导体（3·1019cm-3）形成欧姆接触。这个限制促使人们在GaAs及InP芯片中采用合金作为接触和连接材料。 在制作N型GaAs欧姆接触时采用金与锗形成的低共熔混合物. 所以第一第二层金属必须和金锗欧姆接触相容，因此有许多金合金系统得到应用。 ;基于金的金属化工艺和半绝缘衬底及多层布线系统的组合有一个优点，即芯片上传输线和电感有更高的Q值。 在大部分GaAs IC工艺中有一个标准的工序：即把第一层金属布线与形成肖特基势垒与栅极形成结合起来。实际上，多层布线系统如Ti/Pt/Au或Ti/Pd/Au 同时被用于肖特基势垒。 ;两层与多层金属布线 VLSI至少采用两层金属布线。第一层金属主要用于器件各个极的接触点及器件间的部分连线，这层金属通常较薄，较窄，间距