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第七章 半导体存储器 7-1 概述 7-2 只读存储器ROM 7-3 随机存储器RAM §7-4 存储器容量的扩展 §7-5 用存储器实现组合逻辑函数 §7-1 概述 随机存储器(Random Access Memory RAM) 半导体存储器能存储大量二值信息,是数字系统不可缺少的部分 1、衡量指标 存储速度 只读存储器(Read-Only Memory ROM) 存储量 2、种类 ROM 掩模ROM 可编程ROM:PROM 可擦除可编程ROM:EPROM RAM 静态RAM:SRAM 动态RAM:DRAM 由制造工艺分: 双极型 MOS型 §7-2 只读存储器ROM §7-2-1 掩模只读存储器ROM 根据用户要求专门设计的掩模板把数据:“固化”在ROM中 电路结构 地址输入 存储矩阵 地址译码器 输出缓冲器 数据输出 地址译码器:将输出的地址代码翻译成相应的控制信号,把指定单元选 出,其数据送输出缓冲器 输出缓冲器 提高存储器带负载的能力 实现输出状态三态控制,与系统总线连接 例1 2位地址输入,4位地址输出,二极管存储器 A1A0:两位地址代码,能指定四个不同地址 地址译码器:将四个地址译成W0?W3四个高电平输出信号 A1 A0 W0 W1 W2 W3 0 0 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 存储矩阵:二极管编码器 W0=1 EN=0 W1=1 EN=0 W2=1 EN=0 W3=1 EN=0 输出缓冲器:提高带负载能力 数据表为: D3 D2 D1 D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 A1 A0 0 0 0 1 1 0 1 1 位线 地址线 字线 例2 MOS管ROM 数据表为: D3 D2 D1D0 1 1 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 1 W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 D3’D2’ D1’D0’ 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 0 1 0 §7-2-2 PROM 没使用前,全部数据为1 要存入0: 找到要输入0的单元地址,输入地址代码,使相应字线输出高电平 在相应位线上加高电压脉冲,使DZ导通,大电流使熔断丝熔断 肖特基势垒稳压二极管 快速熔断丝 §7-2-3 EPROM 一、雪崩注入MOS管(FAMOS)构成的EFROM FAMOS结构图 注入: 在漏极和源极间加高反压,漏极与衬底间的PN结击穿,其耗尽层的电子在强磁场中高速射出,一部分被浮置栅浮获,此部分负电荷在DS间负电压去除后无放电回路,得以保存。 擦除: 用紫外线或X射线照射FAMOS管,使SiO2层中产生电子空穴对,为浮置栅的负电荷提供放电通道。 FAMOS构成的存储单元 二、叠栅MOS管(SIMOS)构成的EPROM SIMOS结构图 N沟道增强型MOS管 在控制栅Ge上加正常高电平时,能在漏-源间构成导电通道,使SIMOS导通 电荷注入后,需要在Ge上加更高压才能形成导电沟道——VTH提高 在漏-源间加高电压,使雪崩击穿,同时在Ge上加高压正脉冲,则在栅极电场作用下,一部分穿过SiO2到达浮置栅,形成注入电荷。 VGS iD VTH 注入电荷前 注入电荷后 用SIMOS构成的EPROM 256×1位的EPROM,排成16×16的矩阵 读出时: 将地址低四位加到列地址译码器上,Bi=1,选中一列。 将地址高四位加到行地址译码器上,Wi=1,选中一行; EN=0时,此位数据传到D(已注入电荷的SIMOS不通,为1;未注入电荷的SIMOS通,为0。 其它PROM E2PROM 快闪存储器 §7-3 随机存储器RAM §7-3-1 静态随机存储器RAM 电路结构 地址输入 存储矩阵 行地址译码 读 写 控 制 I/O 地址译码器:行地址译码选出一行,列地址译码选出一列(或几列) 列地址译码 地址输入 CS R/W CS=0 片选有效,可进行读写 R/w=1 执行读操作 R/w=0 执行写操作 2114RAM(1024×4位) §7-4 存储器容量的扩展 §7-4-1 位扩展方式 8片1024×1位的RAM,构成1024×8位的RAM §7-4-2 字扩展方式 4片256×8位的RAM,构成1024×8位的RAM A9 A8 0 0 Y0=0 A7A
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