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屏蔽室门 下 页 返 回 下 页 上 页 返 回 屏蔽室门(双层铜皮) 下 页 上 页 返 回 测量局部放电 上 页 返 回 下 页 上 页 返 回 2.10 本章小结 1) 静电场是由静止电荷产生的,在真空中两个电荷之 间的相互作用力,由库仑定律,得: 2) 电场强度是电场的基本物理量,真空中体电荷、 面电荷和线电荷引起的电场强度分别为: 下 页 上 页 返 回 3) 为了描述媒质的极化程度,可用极化强度表示 电场对媒质的极化可看作使媒质产生极化电荷。 极化电荷体、面密度与极化强度的关系是 4) 电位移矢量是静电场中的又一个基本物理量,它 与电场强度及极化强度的关系为 下 页 上 页 返 回 对于线性媒质,电位移矢量则等于 5) 静电场基本方程的积分形式是 静电场基本方程的微分形式 ,引出标量电位描述静电场 从中可以看出静磁场是无旋有源场。 6)由静电场是保守场 把两点间的电位差定义为此两点间的电压U , 即 下 页 上 页 返 回 7)静电场场量在两种不同媒质分界面上的衔接条件为: 说明在两种媒质分界面上,电场强度的切线分量是 连续的,而电位移矢量的切线分量是不连续的。当分界面上无面电荷时,电位移矢量的法线分量连续,但电场强度的法线分量不连续。 8) 基于唯一性定理,标量电位的边值问题可由电位 的泊松或拉普拉斯方程方程求解: 下 页 上 页 返 回 9) 在静电场中也可以用镜像法和电轴法等间接方法求解边值问题。 设两种媒质的介电常数分别为ε1和ε2,在媒质ε1中有一点电荷q ,求媒质ε1和ε2中的电场时,可引入镜像电荷 下 页 上 页 返 回 在点电荷在接地金属球外的镜像法中,则镜像电荷为 它与球心距离: 用电轴法分析很长的两平行带电圆柱导体的电场时,可由下述公式确定电轴位置: 静电能量的体密度为 因此,静电能量还可表示为 12)电场力也可用虚功原理计算,即 上 页 返 回 11) 在线性媒质中,对于连续的体电荷分布,静电能 量用电荷和电位表示为 10) 电容的定义为 D 和 E 表示的静电能量。其物理意义是:凡是静电场不为零的空间都存储着静电能量,场中任一点的静电能量密度是: 下 页 上 页 返 回 (2—90) 式(2—85)和 (2—89)都是静电能量公式,且是体积分,但也有区别,(2—85)为电荷积分式,积分区域为有电荷分布的区域,(2—89)为电场体积分,积分区域为整个空间,也就是有电场分布的全部区域。 说明:式(2—88)的积分区间中,没有计及其中存在导体的情况,如果考虑存在导体的情况。其在式(2—88)中的积分项可互相抵消,因此存在导体和不存在导体得出的结论是完全一致的。 (2—89) 对这样一个无限大的空间积分 : 例 2-10 计算半径为 ,带电量为 的孤立导体球所具有的静电能量。导体周围介质的介电常数为 。 解:可用两种方法求解: 1) 因孤立导体球的电位 ,代入即得 下 页 上 页 返 回 2)据式(2—89) 2.8.3 静电力 静电场对电荷的作用力即所谓的电场力或库仑力,是静电场具有能量的一种表现。对于电场力的计算,原则上可以用电场强度的定义公式,即 (2—91) 下 页 上 页 返 回 E是除电荷 外其余电荷在该电荷所在处产生的场强。 应用虚位移法,则要广义坐标和广义力两个概念。广义坐标是确定系统中各带电体形状、尺寸和位置的一组独立几何量,而企图改变某一广义坐标的力,就称为对应于广义坐标的广义力。 广义力和广义坐标间的关系,应满足广义力乘上由它引起的广义坐标的增量,应等于功。例如:如果广义坐标是长度(单位m),那么广义力就为一般的牛顿力(单位N)等。 下 页 上 页 返 回 1) 常电位系统:假设各带电体的电位维持不变。当 p号导体位移时,所有导体都接电源即可 为常量。 静电能量的增加,等于外源所提供的能量的一半。 也就是 ,外源提供的能量,有一半作为电场储能的增量,另一半用于机械功。 研究(n+1)个导体组成的系统:对导体依次编号,并以0号导体为参考导体,假定除p号导体外其余导体都不动,且p号导体也只有一个广义坐标g发生所设想的位移(虚位移)dg。这时,该系统发生的功能过程如下: (2—92) 由此得广义力 下 页 上 页 返 回 (2—93)
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