第1章 第三代半导体行业发展现状.PDF

目录 第1 章 第三代半导体行业发展现状- 1 - 1.1 第三代半导体材料发展简介 - 1 - 1.2 第3 代半导体材料的性能特性 - 2 - 1.3 第3 代半导体在电力电子器件方面的应用 - 2 - 第2 章 第三代半导体行业专利资料检索范围、检索方法及检索结果 - 4 - 2.1 专利资料检索区域范围 - 4 - 2.2 专利资料检索时间范围 - 4 - 2.3 专利资料检索方法及结果 - 4 - 第3 章 七国两组织第三代半岛体相关专利分析- 6 - 3.1 专利区域构成分析 - 6 - 3.2 专利申请总体趋势分析- 7 - 3.3 专利申请人构成分析 - 8 - 3.4 第三代半导体各技术领域构成分析 - 10 - 3.5 第三代半导体各技术领域发展趋势分析 - 11 - 3.6 总结 - 13 - 第四章国内第三代半导体相关专利分析- 15 - 4.1 国内第三代半导体相关专利类型分布分析 - 15 - 4.2 国内第三代半导体相关专利权人分布分析 - 16 - 4.3 国内第三代半导体相关专利总体申请趋势报告 - 18 - 4.4 国内第三代半导体相关专利技术分布分析 - 19 - 4.5 国内第三代半导体相关专利技术发展趋势分析 - 20 - 4.6 国内第三代半导体相关专利申请人构成分析 - 21 - 4.7 国内主要申请人分析 - 22 - 4.8 国内主要申请人在国外的专利申请分析 - 23 - 4.9 总结 - 24 - 第五章 国外第三代半导体相关专利分析- 26 - 5.1 日本第三代半导体相关专利分析 - 26 - 5.2 美国第三代半导体相关专利分析 - 28 - 5.3 欧洲第三代半导体相关专利分析 - 30 - 第6 章 广东地区第三代半导体相关专利分析- 34 - 6.1 广东地区第三代半导体相关专利的总体趋势分析 - 34 - 6.2 广东地区第三代半导体相关专利申请人构成分析 - 35 - 第7 章 我国发展第三代半导体的对策措施及建议- 37 - 7.1 未来东莞市第三代半导体产业发展方向 - 37 - 7.2 未来推动惠州市LED 产业发展的主导思路 - 38 - 7.3 未来促进东莞第三代半导体产业发展的主要建议 - 38 - 7.4 建立专利技术保护策略 - 42 - 第1 章 第三代半导体行业发展现状 1.1 第三代半导体材料发展简介 全球经济的高速增长带来了能源的快速消耗和C O2排放引起的温室效应。 《联合国气候变化框架公约》下的《京都议定书》规定了世界各国的减排任务， 其中，中国2020年单位国内生产总值二氧化碳排放要比2005年下降40%～45%。美 国电子工业协会（EIA）发表的“国际能源展望2008”分析了2005年能源从发电 到最终使用过程中的损耗，发现只有50%的发电能量能够得到最终使用。在可使 用的电力中，8%属于商业用电，15%为居民用电，51%为工业用电，27%用于交通。 在全球范围内解决能源危机并完成节能减排任务，需要从新能源和提高电能使用 效率2个方面寻找方案。利用太阳能及风力等自然能源，采用电动汽车取代汽油 车等技术减少对于石化燃料的依赖，可以降低21%的碳排放；在开发新能源的同 时，提高电能使用效率，比如采用变频技术每台冰箱产品至少可节电30%，分析 表明高效用电技术可以减少24%的碳排放。 电力电子功率器件是新能源技术和高效电源管理方案的核心器件。第1代半 导体硅器件被广泛应用于电力电子功率器件中，在过去60年中经历了从晶闸管向 双极晶体管、功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的技术发展。随着 超结MO S F E T和绝缘栅双极晶体管（I G B T）的出现和应用普及，器件性能 已经达到了硅（Si）材料的极限，进一步提高器件的性能需要付出巨大的成本。 因此，人们把下一代功率器件的发展方向寄希望于新的半导体材料。以砷化镓（G a As）和磷化铟（In P）为代表的第2代半导体由于受到禁带宽度限制，更适合 高频通讯领域的应用。近年来以氮化镓（Ga N）和碳化硅（Si C）为代表的第