光伏电池硅片的刻蚀课件.pptVIP

自动补液 调整自动补液的周期以及自动补液量（HF HNO3），补液周期越短，补液量越大，腐蚀深度越大，反之。 手动补液 可以手动添加化学品（HF HNO3 DI水），一般在腐蚀深度偏差较大时进行手动补液，一般在换液初期和槽体寿命快到时。 * 4.2、刻蚀线：可能出现过刻或刻蚀不足的情况，一般不超过2mm，通过肉眼观察，也可通过冷热探针测量边缘电压来判断是否刻通。 刻蚀不足：一般首先通过调节参数保证腐蚀深度在工艺控制范围内即可。 * 检验方法 冷热探针法 冷热探针法测导电型号 * 检验原理 热探针和N型半导体接触时，传导电子将流向温度较低的区域，使得热探针处电子缺少，因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是正的。 同样道理，P型半导体热探针触点相对于室温触点而言将是负的。 此电势差可以用简单的微伏表测量。 热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围，也可以用小型的电烙铁。 * 检验操作及判断 确认万用表工作正常，量程置于200mV。 冷探针连接电压表的正电极，热探针与电压表的负极相连。 用冷、热探针接触硅片一个边沿不相连的两个点，电压表显示这两点间的电压为正值，说明导电类型为P型，刻蚀合格。相同的方法检测另外三个边沿的导电类型是否为P型。 如果经过检验，任何一个边沿没有刻蚀合格，则这一批硅片需要重新进行刻蚀。 * 过刻以及刻蚀线不齐解决方法： 抽风：抽风在很大程度上会影响到刻蚀槽液面波动，而刻蚀槽任何的液面波动，对在液面上运行的硅片都有很大影响，抽风对刻蚀线宽影响很大，调节以前首先要观察好时片子哪条边刻蚀线宽异常再进行相应处理，一般不建议调整。 循环流量：调节循环流量，观察刻蚀效果，一般情况下，循环流量增加刻蚀线宽增加，反之。 溶液比例：添加H2SO4,可以调整溶液粘稠度，增加溶液的浮力。 * 此外，片与片之间的间距、滚轴的水平程度、滚轴和内槽槽边高度水平等都会影响到刻蚀线宽，发现此类问题及时通知相关人员进行处理，保证四周刻蚀均匀，无过刻以及刻不通现象 。 一般来说，只要保证腐蚀深度在工艺控制范围，且刻蚀线正常，片子就一定能刻通。 * 4.3 碎片 放片方法应严格按照作业指导书，轻拿轻放在正确位置，多晶156的硅片由于面积较大，如果放置的位置不正确，很容易造成叠片卡片等，致使硅片在机器中碎裂。 调整喷淋管的位置，至滚轮能够光滑的运行，调整风管和水管的位置，使得片子在通过的时候，不会影响片子的运行。 滚轴高低不平会影响片子的运行方向，导致叠片卡片，致使碎片。 * 作为工艺人员在生产过程中，如果发现机器碎片，一方面应该提醒产线员工注意放片规范，减少叠片和歪片；另一方面，应巡查上述主要地方，及时找到并清理在设备中残留的碎片，杜绝更多碎片的产生。 4.4 吹不干 调整吹干气体流量，无效果，通知设备。 * 当班过程中，检查生产人员的无尘服穿戴、上下片操作手法以及工艺卫生状况是否符合要求，对于不符合要求的情况及时提出，并督促其整改，定期对员工进行集中培训。 * 湿法刻蚀相对等离子刻蚀的优点 1、非扩散面PN结刻蚀时被去除，背腐蚀太阳电池的背面更平整，其背面反射率优于刻边，背腐蚀太阳电池能更有效地利用长波增加ISC。铝背场比刻边的更均匀，可以提高IQE，从而提高了太阳电池的Uoc。 2、硅片洁净度提高（无等离子刻蚀的尾气污染） 3、节水（rena使用循环水冲洗硅片，耗水较少。等离子刻蚀去PSG用槽浸泡，用水量大） 。 * 湿法刻蚀相对等离子刻蚀的缺点 1、硅片水平运行，机碎高：（等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干，硅片受冲击小）； 3、传动滚轴易变形：（PVDF，PP材质且水平放置易变形）； 4、成本高：（化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加）。 * 五、刻蚀工艺岗位职责 工艺员： 完成工艺负责的点检项目的点检工作。 仔细查看前几个班的交接班记录，了解前几个班出现的工艺问题及处理方法，再次出现时可减少处理时间。 关注当班刻蚀工序的腐蚀量、刻蚀线宽度情况，对出现的异常及时加以解决，对于经过判断为设备原因异常，及时联系相关人员解决，解决不了的问题要及时通知助理工程师。 对于出现的不良品，根据《工艺文件》（正在写）要求，决定返工或是流至下一道工序。 当班过程中，检查生产人员的无尘服穿戴、上下片操作手法以及工艺卫生状况是否符合要求，对于不符合要求的情况及时提出，并督促其整改，定期对员工进行集中培训。 协助助理工程师、工程师跟踪相关实验，统计数据，下班时，按时准确填写交接班记录。 10、完成安排的其他工作。 * 助理工程师： 关注当天的效率、碎片率、良品率等参数，对于出现的外观不良、漏电或是效率低下等异常，及时联系其余工序的工程师一起进行