电子能谱分析讲义.ppt

MoO3的表面单层扩散研究 金属负载纳米薄膜光催化剂 过热处理之后，前驱体将形成TiO2薄膜，同时在TiO2薄膜与铝合金基底间会发生相互扩散。 为深入研究这种扩散作用，我们将前驱体薄摸在350-550℃条件下煅烧了1-10小时，然后用AES对元素分布进行了研究。 金属负载纳米薄膜光催化剂 通过对O KLL深度剖析进行LLS拟合，可以得到两种氧。 在TiO2与铝合金基底的界面上，氧以AL2O3物种形式存在并形成峰状分布，表明热处理后在界面上形成了铝的氧化物，它们是由从空气中扩散进入界面层的氧和从基底扩散出来的铝发生反应而生成的。AL2O3界面层的形成阻碍了氧向基底的扩散，但它并未阻碍铝从基底向TiO2层的扩散。 此外，致密的TiO2层（约300nm）也对扩散有抑制作用。因此，稳定的Al2O3层并未形成。 金属负载纳米薄膜光催化剂 在表面位置Al不能被检测到， 在深度A可检测到Al，Al LVV 的动能是64.3eV，对应于合金态Al物种。随深度增加到B时，合金态Al逐渐增加，而Al2O3仍未观察到。 在深度C，在51.4eV和64.3eV出现了两个峰，对应于AL2O3和合金态Al。在界面层位置（深度D），51.4eV的峰达到最强,说明AL2O3在界面层中呈峰状分布。随着深度进一步增加，51.4eV的峰减弱，而64.3eV的峰增强， 在铝合金基底处（深度F），51.4eV的峰已经很弱，而64.3eV的峰很强,说明在基底中大部分Al以合金态存在,只有很少一部分以AL2O3物种形式存在。 薄膜的界面扩散反应研究 金属Cr LMM谱为单个峰，其俄歇动能为485.7 eV，而氧化物Cr2O3也为单峰，俄歇动能为484.2 eV。 在CrSi3硅化物层以及与单晶硅的界面层上，Cr LMM的线形为双峰，其俄歇动能为481.5 和485.3 eV。可以认为这是由CrSi3金属硅化物所产生。 硅化物中Cr的电子结构与金属Cr以及氧化物Cr2O3的是不同的。形成的金属硅化物不是简单的金属共熔物，而是具有较强的化学键存在。 该结果还表明不仅在界面产物层是有金属硅化物组成，在与硅基底的界面扩散层中，Cr也是以硅化物的形式存在。 薄膜的界面扩散反应研究 薄膜的界面扩散反应研究 金属Cr的MVV俄歇线的动能为32.5 eV, 而氧化物Cr2O3的MVV俄歇线的动能为28.5 eV。 在金属硅化物层及界面层中，Cr MVV的俄歇动能为33.3 eV，该俄歇动能比纯金属Cr的俄歇动能还高。 根据俄歇电子动能的讨论，可以认为在金属硅化物的形成过程中，Cr不仅没有失去电荷，并从Si原子得到了部分电荷。这可以从Cr和Si的电负性以及电子排布结构来解释。 Cr和Si原子的电负性分别为1.74和1.80，表明这两种元素的得失电子的能力相近。而Cr和Si原子的外层电子结构分别为3d54s1和3s13p3。当Cr原子与Si原子反应形成金属硅化物时，硅原子的3p电子可以迁移到Cr原子的4s轨道中，形成更稳定的电子结构。 离子注入研究 固体材料表面的离子注入是最常用的材料表面改性手段； 注入离子在固体材料内部的注入分布，注入量以及化学状态对材料的性能有重要影响。 通过俄歇电子能谱的深度剖析，不仅可以研究离子注入元素沿深度方向的分布，还可以研究注入元素的化学状态。 固体表面的离子注入 可以利用深度剖析直接分析注入元素的分布和含量； 利用俄歇化学效应可以分析注入元素的化学状态； 离子注入层的厚度大约35nm，而注入元素的浓度达到12%。 仅从Sb离子的注入量和分布很难解释离子注入薄膜的电阻率的大幅度降低。 固体表面的离子注入 在注Sb膜层中，Sn MNN的俄歇动能为422.8 eV和430 .2 eV，介于金属锡和SnO2之间。 显然在离子注入层中，Sn并不是以SnO2物种存在。 在注Sb层中， Sn MNN的俄歇动能比无Sb层低，说明Sn的外层轨道获得了部分电子，这与UPS的研究结果是一致的。 固体表面的离子注入 在注入层中，Sb MNN的俄歇动能为450.0 eV和457.3 eV，而纯Sb2O3的俄歇动能为447.2 eV和455.1eV。 表明离子注入的Sb并不以三价态的Sb2O3存在，也不以金属态存在。 由此可见，离子注入Sb薄膜的电阻率的降低不是由于金属态的Sb所产生的。这与Sb与SnO2的相互作用有关。 Sb中的部分5p轨道的价电子转移到Sn的5s轨道，改变了薄膜的价带结构，从而促使薄膜导电性能的大幅度提高。 薄膜制备的研究 俄歇电子能谱也是薄膜制备质量控制的重要分析手段。经常与MBE装置配合进行原位检测薄膜生长质量；也可以分析制备的薄膜非原位检测样品的质量；主要提供杂质含量，元素比例等方面的信息； 对于Si3N4薄膜已发展了多种制备方法。如