第04章 导线.pptVIP

EE141 EE141 数字集成电路-电路、系统与设计 导线 芯片上的互联线 互联线模型 互联参数-电容、电阻和电感 寄生参数的影响 降低可靠性 影响集成电路的性能和功耗 寄生参数的总类 电容 电阻 电感 互联线的本质 互联线 互联参数-电容 互联线的平行板电容模型 典型绝缘材料的相对介电常数 边缘场电容模型 边缘电容 互联线间的电容 互联电容与设计规则的关系 典型互联线电容 (0.25 mm CMOS) 互联线 连线电阻 互联电阻 如何降低互联线电阻 选择性的使用等比例缩小技术 采用电阻率更小的材料 采用铜互联线，硅化物等 采用更多的互联层数 降低互联线的平均长度 硅化物多晶硅栅 MOSFET 接触孔电阻 接触孔和通孔典型电阻 2-20 W 增加孔的数目减少电阻 R 不采用一个大孔，而是采用多个小孔，why？ 典型工艺的方块电阻值 现代互联技术 例: Intel 0.25 um工艺 互联 集总模型 集总 RC-模型 Elmore 延迟模型 Elmore 延迟模型RC 链 互联线模型 分布 RC-线 RC连线的阶跃响应 RC-模型 例4.9 RC与集总RC 经验设计规则 rc延时只是在tpRC tpgate情况下才考虑 Lcrit ? tpgate/0.38rc rc 延时只是在导线输人信号的上升(下降)时间小于导线的上升(下降），时间时才予以考虑: trise RC 式中RC分别为导线的总电阻和总电容.当这一条件不满足时，信号的变化将比导线的传播延时慢，因此采用集总电容模型就已足够了. 集总模型 连线属于分布式系统 可以用集总模型等效 3-段 p-模型可以达到 3% 的精度 串扰 电容两端电压不会突变. 相邻互联线之间会有电容. 当相邻的互联线从 1- 0 或 0-1, 会照成旁边的互联线有同样的变化趋势. 电容耦合或串扰 串扰效应 在没有变化的连线上产生噪声 造成变化的连线上产生延迟 串扰噪声 在没有变化的连线上产生噪声 如果受主连线悬空: 串扰噪声 一般受主连线非悬空，而是由接驱动 造成的串扰噪声取决于驱动能力的大小 噪声影响 噪声有哪些影响? 如果噪声小于噪声边缘，没有影响 如果噪声大于噪声边缘，但是可以修复，会造成影响，但不会破坏逻辑。 如果噪声大于噪声边缘且信号不能修复。。 布线工程 目标: 达到延迟，面积，功耗，噪声之间的平衡 可选自由度: 宽度，长度 间距 层 隔离 中继器 R 和 C 与 l成正比 RC 延迟与 l2成正比 连线太长时不可接受 将长线变成N个断线，中间加反相器进行中继 中继器设计 加多少个中继器? 每个中继器多大? 等效电路 线长 l 线电容 Cw*l, 线电阻 Rw*l 反相器参数 (nMOS = W, pMOS = 2W) 栅电容 C’*W, 晶体管电阻电阻 R/W 中继器设计 图4.15 模拟得到的电阻-电容导线的阶跃响应与时间及位置的关系 ? MJIrwin, PSU, 2000 EE141 ? 数字集成电路设计2nd 导线 导线 电路图 实际视图 图4.1 发送器 接收器 考虑的导线的大部分寄生参数的模型 （除导线间电阻及互感未考虑外） 只考虑电容的模型 图4.2 全局连线 S Local = S Technology S Global = S Die Source: Intel 局域连线 V DD V DD V in V out M 1 M 2 M 3 M 4 C db 2 C db 1 C gd 12 C w C g 4 C g 3 V out 2 负载 导线t V out V in C L 简化模型 Dielectric Substrate L W H t di 电场线 电流 图4.3 表4.1 图4.4 这一模型把导线电容分为 两部分：一个平板电容以及一个 边缘电容，后者模拟成一条圆柱 形导线，其直径等于该导线的厚 度 图4.5 包括边缘效应是导线电容与导线宽度和厚度的关系 图4.6 多层互联结构中导线间的电容耦合 图4.6 由一个接地电容和一个导线电容组成 表4.2 平面电容单位af/um2，边缘电容af/um W L H R = r H W L 方块电阻 R o R 1 R 2 表4.4 常用导体的电阻率 n + n + SiO 2 多晶硅 硅化物 p 硅化物: WSi 2, TiSi 2 , PtSi 2 and TaSi 导电性: 比多晶硅好8-10 倍 图4.8 表4.5 0.25um工艺的方块电阻值 5 层金属层 导线模型 V out 驱动 c wire 图4.11 导线的分布于集总 电容模型 图4.12 树结构的RC网络 图4.13 例4.7：假设总长为L的导线分割成N段 N值很大时N: 扩散方程 图4.14 EE14