UV-LIGA技术标准工艺.docVIP

UV-LIGA技术标准工艺 上海交通大学微纳米科学技术研究院 UV-LIGA技术采用基于SU8光刻胶的厚胶紫外光刻工艺，大大降低了LIGA技术的加工成本，缩短了加工周期，并且可以制备台阶微结构，但其技术指标低于同步辐射LIGA技术，适用于加工深度小于500μm，线宽大于5μm，深宽比小于20的微结构。 设备情况 溅射机： 德国L-Heraus公司Z-550 可直流、交流溅射，靶材有CuCr、Fe-Ni、Ti、Au等 本底真空2*10-6 mbar，射频最大功率2.5 kW，直流最大功率1 kW，沉积速率/分钟3英寸13片德国Karl Suss公司RC8具有程控功能可用最大工作尺寸：3　最大转速： 5000rp时间范围： 0－999s德国Karl SussMA6 可进行正面和反面对准曝光线宽μm，对准精度1μm精密铣切机：德国Leica公司 SP2600 可进行光刻胶表面的铣切； 最小进刀步长：1μm 兆声显影机：德国Megasonic公司 可实现高深宽比阴图形微结构的显影 频率：1M Hz 反应离子刻蚀机：法国Alcatel 公司Nextral 100硅、PMMA、玻璃等材料的刻蚀，用于刻蚀速率：50nm/min 可选用SF6、CHF3、O2等作为刻蚀气体自制可实现电铸镀速： 0.02-0.mm/hr 流量： 0.5－2l/ min 搅拌速率： 20－100次/min 温度： －70温度控制精度：0.10德国JENOPTIK 公司 HEX01/C其特色是在模压过程中可抽真空最大压力 20N，最高热压温度 210℃扫描电镜：日本Hitachi公司SP2600最大加速电压25kV，最大放大倍数20万倍，分辨率5nm附带ADDA,数模转换器，模拟信号可转化为数字信号进行处理表1：不同厚度SU8光刻工艺参数  厚度[μm] 光刻胶 甩胶速率[rpm] 前烘时间[min曝光时间[sec] 后烘时间[min] 显影时间[min] 65℃ 95℃ 50 SU-8 50 1900 30 20 60 30 10 8 100 SU-8 50 1200 30 30 120 30 15 12 200 SU-8 100 1100 30 90 150 30 30 20 500 SU-8 100 600 30 300 350 30 50 30 2. 模具电铸工艺 1) 微电铸镍： 电解液类型：改良瓦特镍镀液体系 镀液工作条件：温度：50－60℃，PH值：4.5-5.0, 镀速：0.15-0.4μm/min 厚度范围：60－2000μm 2) 微电铸铜 镀液类型：高分散性酸性镀铜液体系， 镀液工作条件：室温，强酸环境，在强酸性环境中不稳定的材料不能直接作为基体材料使用。 镀速：0.2-0.5μm/min 镀层厚度范围：30－1200μm 加工时间：按照镀层厚度从1天到10天不等 3) 微电铸镍铁合金： 电解液类型：硫酸盐型稀溶液 镀液工作条件：温度：50－60℃，PH值：4.5-5.0, 镀速：0.05-0.2μm/min 厚度范围：40－300μm 4) 样品后处理 将玻璃片或硅片敲碎，剩余的硅片在80℃下用40%的KOH溶液去除，玻璃片用10%HF去除；用自己开发出的SU-8去胶液去除SU8光刻胶，将金属模具的背面和边缘用砂轮磨平，线切割后获得金属微结构模具。 3. 微复制工艺 1) 将模具固定在真空热压机上，底部放上待模压的塑料片，如PMMA、PC、PS、PVC等； 2) 关闭模腔并抽真空； 3) 加接触力200N； 4) 上下热板加热至所需温度并等待30秒； 5) 在一定的速度下加压力并保持一定的时间； 6) 降温至脱模温度； 7) 在一定的速度下脱模； 8) 模腔充气 9) 打开模腔，取出塑料样品。 模压系统在模压时，是自动执行命令的，对应于上述工艺步骤的一段典型命令流如下： Initialize Force control {true/false=0} Close chamber{} Evacuate chamber{} Touch Force {Force=200} Heating {Top=165.0deg, Bottom=165.0deg} Temperature={Temperature=155.0deg,Channel=3} Heating{Top=160.0deg, Bottom=160.0deg} Waiting Time{Time=30.00s} Force-Force controlled{Force=1000N,velocity=0.50000mm/min} Waiting Time{Time=60.00s} Cooling{Top=60.00deg,Bottom=60