试验十试验霍尔效应.PDF

霍尔效应 【实验目的】 1．掌握用 “对称测量法”消除系统误差的方法。 2．了解霍尔效应实验原理。 3．确定被测样品的导电类型及霍尔系数。 【实验仪器】 霍尔效应实验装置SH500一套。 【实验原理】 置于磁场中的载流体，如果电流的方向与磁场方向垂直，则在垂直于电流和 磁场的方向上会产生一附加的横向电场。这种现象就称为霍尔效应。霍尔效应从 本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而发生偏转。当带电粒子 (电子或空穴)被约束在固体材料中这种偏转就导致垂直于电流和磁场方向上产 生正负电荷的聚积，从而形成了附加的横电场。如(图一)所示的半导体样品，若 在X 方向通以电流I，在Z 方向上加磁场B，则在Y 方向上即样品AA两侧就开 始聚积异号电荷而产生附加电场，电场的方向与半导体的导电类型有关。 显然，该电场是阻带电粒子继续向侧面进行偏移的，当带电粒子所受的电场 力eE 与洛仑兹力eVB 相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，所以有： H eE eVB (1) H 其中E 为霍尔电场，V 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。如果设样 H 品的宽度为b，厚度为d，载流子的浓度为n，则电流强度为： I＝ebdnV (2) 由(1)(2)两式可得： V E ·b (3) H H 由(3)式可知：霍尔电压(即A 与A之间的电压)与I ·B 的乘积成正比，与样 品的厚度d 成反比，其比例系数RH 1／ne称为霍尔系数。它是反映材料霍尔效 应强弱的重要参数。以后只要测出霍尔电压VH(伏)，以及知道电流强度I(安)， 磁场强度B(特斯拉)和样品厚度d(厘米)，则可按(4)式计算出霍尔系数R (cm3 ／ H 库仑) (4) 由R 的符号或霍尔电压的正负可判断样品的导电类型，差别方法是按图一 H 所示的I 和B 的方向，若测得的V 0 即A 点电位低于A的电位，则R 为负， H H 样品为N 型半导体。反之则为P 型。 金属导体和不良导体的霍尔系数均很小，而半导体的霍尔系数较大。尤其是 N 型半导体，所以大多数的霍尔器件采用N 型半导体材料制造。由(3)式我们还 可看出霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因而薄膜型的霍尔器件的输出电压 比片状的要高得多。就霍尔器件而言其厚度是一定的。所以在实用上采用K 1 H ／ned 即K ＝R ／d 来表示霍尔器件的灵敏度，K 就称为霍尔灵敏度，单位为 H H H mV(mA·T)。目前用高迁移率的锑化铟为材料的薄膜型霍尔器件，其K 可高达 H 200～300mV(mA·T)而通常的片状硅霍尔器件仅为2mV(mA·T)。 【仪器介绍】 霍尔效应实验装置由实验台图二和测试仪图三两部分组成。 实验台中有电磁铁，规格0.25T(特斯拉)／A根据励磁电流IM 的大小和方 向确定磁场的强度和方向，(红线为头，棕线为尾，顺时针绕向，被测样品为硅 半导体