电力电子技术第二章：器件原理.pptVIP

第二章电力电子器件的原理与特性 要求及重点 要求： 了解电力电子器件的发展、分类与应用； 理解和掌握功率二极管、SCR、GTO、MOSFET和IGBT等常用器件的工作原理、电气特性和主要参数。 重点： 各种电力电子器件原理、性能上的不同点，各自应用的场合。 本章内容 2.1 电力电子器件的发展、分类与应用 2.2 电力（功率）二极管 2.3 晶闸管（SCR） 2.4 可关断晶闸管（GTO） 2.6 电力场效应晶体管（电力 MOSFET） 2.7 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.8 其它新型场控器件 2.1 电力电子器件的发展、分类与应用 1、电力电子器件的概念 电力电子器件的是指可直接用于处理电能的主电路，实现电能变换或控制的电子器件，通常专指电力半导体器件。 和普通半导体器件一样，目前电力半导体器件所用的主要材料仍然是——硅。 2、电力电子器件的特征（与普通半导体器件相比） 功率远大于信息电子器件，从mW~MW。电压和电流等级是其最重要的参数； 工作在开关状态（相当于普通晶体管的饱和与截止状态），因而动态特性（开关特性）也是很重要的参数，有时甚至是最重要的参数； 需要用驱动电路驱动； 需要装散热器散热； 3、主要损耗 通态损耗：导通时器件上有一定的通态压降。 断态损耗：阻断时器件上有微小的断态漏电流流过。 开关损耗 开通损耗：在器件开通的转换过程中产生的损耗； 关断损耗：在器件关断的转换过程中产生的损耗。 对某些器件来讲，驱动电路向其注入的功率也是造成器件发热的原因之一。 通常电力电子器件的断态漏电流极小，因而通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗会随之增大而可能成为器件功率损耗的主要因素 。 4、电力电子器件的发展概况 第一代电力电子器件 无关断能力的SCR（1957年美国GE公司发明） 第二代电力电子器件 有关断能力的GTO、GTR等 第三代电力电子器件 性能优异的复合型器件如（IGBT）和智能器件IPM (Intelligent Power Module) 等 5、分类 按其开关控制性能分类： 不控型器件： 无控制极，器件的导通与关断完全由其在主电路中承受的电压和电流决定，正偏置导通、反偏置关断，如电力二极管(D) 半控型器件： 控制极（门极）只能控制管子导通而不能控制管子关断，器件的关断完全由其在主电路中承受的电压和电流决定，如晶闸管(SCR)及其家族器件（FST、RCT、TRIAC、LCT） 全控型器件： 通过控制极（门极或基极或柵极）是否施加驱动信号既能控制管子导通又能控制管子关断，如GTO、GTR、IGBT、 MOSFET及其它新型场控器件MCT、IGCT、SIT、SITH、IPM等 按器件内部载流子参与导电的种类分类： 单极型器件：只有一种载流子参与导电，如MOSFET、SIT等 双极型器件：有两种载流子参与导电，如二极管、 晶闸管、GTO、GTR、IGCT、SITH等。 复合型器件：由MOSFET与晶体管、晶闸管复合而成，如IGBT、IPM、MCT等。 按门极驱动信号的种类（电流、电压）分类： 电流控制型器件 如晶闸管、GTO、GTR、IGCT、SITH等 电压控制型器件 如MOSFET、IGBT、IPM、SIT、MCT等 ——电压控制型器件的驱动功率要远小于电流控制型器件 ，驱动电路也简单，而且工作频率高。 6、应用场合 决定应用场合的基本因素：输出容量和工作频率 SCR GTO GTR IGBT 电力MOSEFT MOSEFT 器件原理 *北京交通大学电气工程学院 常用器件性能比较 D SCR GTO IGBT MOSFET 驱动信号 无 电流 电流 电压 电压 驱动功率 — 大 大 中 小 通态压降 小 小 小 中 大 开关速度 慢/快 慢 较慢 中 快 通过电流能力 大 大 较大 中 小 * *