材料制备技术4.6 水热及溶剂热法.pptVIP

4.6 水热法及溶剂热合成法 （3）由于SCWO反应器结构简洁，体积小； （4）不形成二次污染，产物清洁不需要进一 步处理，且无机盐可从水中分离出来，处理后 的废水可完全回收利用； （5）当有机物含量超过2%时，就可以依靠反过程中自身氧化放热来维持反应所需的温度，不不需要额外供给热量，如果浓度更高，则放出更多的氧化热，这部分热能可以回收。 超临界水氧化处理污水流程 需要 不需要 后续处理 含有NOX 无毒、无色 排出物 普适 普适 适用性 不是 是 自热 99.99 ≥99.99 去除率/% ≥10 ≤1 停留时间/min 不需要 不需要 催化剂 常压 30～40 压力/Mpa 2000～3000 400～600 温度/℃ 焚烧法 SCWO 参数与指标 超临界水氧化与传统焚烧法的对比 4.6 水热法及溶剂热合成法 超临界水氧化技术存在的问题： （1）腐蚀 在超临界水氧化环境中比通常条件下更易导致 金属的腐蚀。高浓度的溶解氧、高温高压的条件、 极端的pH值以及某些种类的无机离子均可使腐蚀加 加快。 腐蚀会产生两个方面的问题，一是反应完毕后的 流出液中含有某些金属离子（如铬等），会影响处理 的质量；二是过度的腐蚀会影响压力系统正常工作。 4.6 水热法及溶剂热合成法 （2）盐的沉淀 在超临界水氧化中，往往在进料中加入碱中和 产生的酸和生成的盐，因超临界条件下无机物的 溶解度很小，过程中会有盐的沉淀。 4.6.3 水热法在功能材料制备中的应用 4.6 水热法及溶剂热合成法 功能材料是指在电、光、热、磁、催化、分离、生物和医学等方面具有特殊性能的材料。 1 介稳材料合成 沸石分子筛是一类典型的介稳微孔晶体材料，这类 材料具有分子尺寸、周期性排列的孔道结构。 水热法具有可调节的反应条件，因而可满足沸石 分子筛分子设计的需要。 4.6 水热法及溶剂热合成法 沸石分子筛微孔晶体应用从催化、吸附以及 离子交换等领域逐渐走向量子电子学，非线性光 学、化学选择传感、信息储存与处理、能量与转 换、环境保护及生命科学领域扩展。 2 人工水晶的合成 水晶有许多重要的性质，广泛用于国防、电子、 通讯、冶金、化学等部门。 4.6 水热法及溶剂热合成法 (1). 石英的晶体结构和压电效应 石英的化学成分为SiO2，属六方晶系，在石英 结构中，[SiO4]4-四面体彼此以顶角相连。 石英一个重要热点是具有压电效应。所谓的压电 效应是当某些电介晶体在外力作用下发生形变时 它的某些表面会出现电荷积累。 4.6 水热法及溶剂热合成法 石英压电效应示意图 4.6 水热法及溶剂热合成法 (2) 石英的生长机制 高温高压下，石英的生长过程为：培养基石英的 溶解；溶解的SiO2向籽晶上的生长。 溶解介质是NaOH溶液。在石英的溶解过程中， Na+和OH-参与了石英的溶解过程。 4.6 水热法及溶剂热合成法 在接近培育石英的条件下，测得的x值约在7/3 和5/2之间，这意味着反应产物应当是Na2Si2O5， Na2Si3O7。 因而石英的人工合成包括下述过程： ①溶质离子的活化 4.6 水热法及溶剂热合成法 ②活化了的离子受生长体表面活性中心的吸引 （静电引力、范德华引力），穿过生长表面的 扩散层而沉降到石英体表面。 水热法合成石英单晶的装置 (3) 水热法合成石英的装置 结晶区温度：330~350℃ 溶解区温度：360~380℃ 压强为：0.1~0.16GPa 矿化剂：NaOH 4.6 水热法及溶剂热合成法 (4) 影响石英晶体生长的因素 温度、温差、溶液过饱和度等对晶体生长速率的 影响较大。 在一定温差条件下，晶体的生长速率的对数 与生长区的温度倒数呈线性关系。符合下列的经 验公式： 4.6 水热法及溶剂热合成法 对于一定温度下，溶解区与生长区的温差越大，晶体 生长得越快，基本呈线性关系。但在实际晶体生长过 程中，晶体生长不能太快，否则晶体的质量会明显下 降。 压强是高压釜内原始填充度、温度和温差的函数。 4.6 水热法及溶剂热合成法 生长速率与溶液的过饱和度的关系如下： 为速率常数； 为换算因数； 为溶液绝对过饱和度。 绝对过饱和度也与温度呈线性关系 3. 金刚石的溶剂热合成 钱逸泰等人采用一种全 新的方法，用CCl4为碳源(sp3杂化），过量的金属钠为反应剂及熔剂，以Ni-Co-Mn 为催化剂，在高压釜中，700℃条件下合成金刚石： 700℃ 4.6 水热法及溶剂热合成法 3 特殊结构、凝聚态与聚集态的制备 因为在水热与溶剂热条件下的合成比较容易控制 反应的化学环境和实施化学操作，因而在此条件 下，中间态、介稳态以及