模拟电子技术 第三章 半导体三极管及放大电路.ppt

基本要求 熟练掌握：放大电路的组成原则；共射、共集和共基组态放大电路工作原理；静态工作点；用小信号模型分析法分析增益、输入电阻和输出电阻；多级放大电路的工作原理，增益的计算 正确理解：图解分析法；放大电路的频率响应 一般了解：频率失真 3.1半导体三极管 1．半导体三极管的结构（1）半导体三极管从结构上可分为NPN型和PNP型两大类，它们均由三个掺杂区和两个背靠背的PN结构成，但两类三极管的电压极性和电流方向相反。（2）三个电极：基极 b、集电极 c、和发射极 e。从后面工作原理的介绍中可以看到，发射极和集电极的命名是因为它们要分别发射与接收载流子。（3）内部结构特点：发射区的掺杂浓度远大于集电区的掺杂浓度；基区很薄，且掺杂浓度最低。（4）三个区作用：发射区发射载流子、基区传输和控制载流子、集电区收集载流子。 （重点难点） 1．半导体三极管内部载流子的传输过程 （2）非平衡载流子在基区内的扩散与复合 　　由发射区注入基区的电子，使基区内少子的浓度发生了变化，即靠近发射结的区域内少子浓度最高，以后逐渐降低，因而形成了一定的浓度梯度。于是，由发射区来的电子将在基区内源源不断地向集电结扩散。另一方面，由于基区很薄，且掺杂浓度很低，因而在扩散过程中，只有很少的一部分会与基区中的多子（空穴）相复合，大部分将到达集电结。 共射极连接方式分析 3．各极电流之间的关系：????? ＩE＝Ｉc＋ＩB（1）共基接法??(ＩE对Ｉc?的?控制作用)?????????????????? Ｉc＝αＩE +ＩCBO?????????????????? ＩB＝（1-α）ＩE -ＩCBO???（2）共射接法???(ＩB对Ｉc?的?控制作用)????????????????????? Ｉc＝βＩB +ＩCEO?????????????????? ＩE＝（1+α）ＩB +ＩCEO???????????????????? ＩCEO＝（1+β）ＩCBO?? 4．共射极电路的特性曲线(以NPN型管为例)（1）输入特性曲线 ＩB=f(ＶBE，ＶCE )　　输入特性曲线是指当ＶCE为某一常数时，ＩB和BE之间的关系。　　特点：ＶCE=0的输入特性曲线和二极管的正向伏安特性曲线类似；随着ＶCE增大，输入特性曲线右移；继续增大ＶCE，输入特性曲线右移很少。　　在工程上，常用ＶCE=1时的输入特性曲线近似代替ＶCE1V时的输入特性曲线簇。 共射极电路的特性曲线 共射极放电电路 3.2共射极放电电路 1．放大的原理和本质（以共发射极放大电路为例）　　交流电压ｖi通过电容Ｃ1加到三极管的基极，从而使基极和发射极两端的电压发生了变化： 由ＶBE→ＶBE ＋ｖi， 　　由于PN结的正向特性很陡，因此ｖBE的微小变化就能引起ｉE发生很大的变化： 由ＩE→ＩE+ △ＩE， 由于三级管内电流分配是一定的，因此ｉB和ｉC作相同的变化，其中ＩC→ＩC +△ＩC。　　ｉC流过电阻Ｒc，则Ｒc上的电压也就发生变化： 由ＶRc→ＶRc +△ＶRc。 2．放大电路的特点　交直流共存和非线性失真 3．放大电路的组成原则?? 正确的外加电压极性、合适的直流基础、通畅的交流信号传输路径 4．放大电路的两种工作状态 ?（1）静态：输入为0，ＩB、ＩC、ＶCE都是直流量。 ?（2）动态：输入不为0，电路中电流和电压都是直流分量和交流分量的叠加。保证在直流基础上实现不失真放大。 3.3图解分析法 1．静态分析???（1）先分析输入回路　　首先把电路分为线性和非线性两部分，然后分别列出它们的端特性方程。在线性部分，其端特性方程为 ＶBE＝ＶCC－ＩB*ＲB 将相应的负载线画在三极管的输入特性曲线上，其交点便是所求的（ＩBQ，ＶBQ）。 3．放大电路的非线性失真及最大不失真输出电压（1）饱和失真：静态工作点偏高，管子工作进入饱和区（NPN管，输出波形削底；PNP管，输出波形削顶）　　（2）截止失真：静态工作点偏低，管子工作进入截止区（NPN管，输出波形削顶；PNP管，输出波形削底） （3）最大不失真输出电压Vom ?? 如图 Vom1=VCE-VCES??? 且因为ICEO趋于0 ， Vom2=ＩCQ*（ＲC//ＲL） ??? 所以Vom为Vom1及Vom2中较小者，以保证输出波形不失真。 3.4小信号模型分析法 指导思想：在一定条件下，把半导体三极管所构成的非线性电路转化为线性电路。 1．半导体三极管的小信号模型（1）三极管小信号模型的引出，是把三级管作为一个线性有源双口网络，列出输入和输出回路电压和电流的关系，然后利用取全微分或泰勒展开的方法得到Ｈ参数小信号模型。（2）关于小信号模型的讨论：　①小信号模型中的