MOSFET原理、功率MOS及其应用.pptVIP

MOSFET原理介绍与应用 田毅 内容 概述 原理介绍 低频小信号放大电路 功率MOSFET 应用 概述 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）金属-氧化层-半导体-场效应晶体管 它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点 具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。 在大规模及超大规模集成电路中得到广泛的应用。 1 原理介绍 当VGS＞VT，且固定为某一值时，来分析漏源电压VDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。 2 场效应管放大电路 为什么要设定一个静态工作点 无静态工作点，小信号加到栅源端，管子不工作 静态管工作点设在输入曲线接近直线段中点 小信号模型参数与静态工作点有关 功率MOSFET 结构 功率MOSFET开关过程 功率损耗 驱动电路 参数 功率MOS结构 横向通道型：指Drain、Gate、Source的终端均在硅晶圆的表面，这样有利于集成，但是很难获得很高的额定功率。这是因为Source与Drain间的距离必须足够大以保证有较高的耐压值。 垂直通道型：指Drain和Source的终端置在晶圆的相对面，这样设计Source的应用空间会更多。当Source与Drain间的距离减小，额定的Ids就会增加，同时也会增加额定电压值。垂直通道型又可分为：VMOS、DMOS、UMOS. a、在gate区有一个V型凹槽，这种设计会有制造上的稳定问题，同时，在V型槽的尖端也会产生很高的电场，因此VMOS元件的结构逐渐被DMOS元件的结构所取代。 寄生三极管： MOS内部N+区，P-body区，N-区构成寄生三极管，当BJT开启时击穿电压由BVCBO变成BVCEO（只有BVCBO的50%到60% ），这种情况下，当漏极电压超过BVCEO时，MOS雪崩击穿，如果没有外部的漏极电流限制，MOS将被二次击穿破坏，所以，要镀一层金属来短接N+区和P-body区，以防止寄生BJT的开启。 在高速开关状态，B、E间会产 生电压差，BJT可能开启。 MOSFET开关过程 输入电容：CiSS=CGS+CGD 输出电容：COSS=CGD+CDS 反向传输电容：CrSS=CGD 上述电容值在开关过程会发生变化，CGD受开关过程的影响和他本身的变化对开 关过程的影响都最为显著。 MOSFET导通过程 4个过程充电等效电路 t0～t1：t0时刻给功率MOSFET加上理想开通驱动信号，栅极电压从0上升到门限电压VGS(th)，MOSFET上的电压电流都不变化，CGD很小且保持不变。 T2～T3：T2时刻VDS下降至接近VGS，CGD开始急剧增大，漏极电流ID已接近最大额定电流值。随着VDS减小至接近于通态压降， CGD趋于最大值(T3时刻)。在此过程中，一方面CGD本身很大，另一方面K绝对值很大，由于密勒效应，等效输入电容Cin23非常大，从而引起栅极平台的出现，栅极电流几乎全部注入CGD ，使VDS下降。 密勒效应 密勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。 对于MOSFET：在共源组态中，栅极与漏极之间的覆盖电容CDG是密勒电容，CDG正好跨接在输入端(栅极)与输出端(漏极)之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。 MOSFET参数 静态电特性 动态电特性 功率损耗 1、传导损耗 P1=ID2×RDS(on) ×D 其中RDS(on) 是结点温度的函数，可以通过on-resistance vs. temperature查找各温度下的RDS(on)值 RDS(on)随温度升高变大，因为电子和空穴的迁移率温度越高越小。 驱动电路 电压 电压一定要使MOSFET完全导通（datasheet上查看），VGS要大于平台电压。如果MOSFET工作在横流区，VDS会很大，器件消耗功率非常大， MOSFET将会烧毁。 电流 I=Q/T (Q：栅极总电荷，T：导通/截止时间） 上述公式假设电流（I）使用的是恒流源。如果使用MOSFET驱动器的峰值驱动电流来计算，将会产生一些误差。 如驱动器在18V 时标称电流为0.5A，则在12V 时，其峰值输出电流将小于0.5A。选择驱动器时，一般标称电流要比实际电流大一倍 MOSFET 驱动器的功耗 1. PC=CG ×VDD2 × F = QG × V × F CG = MOSFET栅极电容 VDD = MOSFET 驱