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导带具有球形等能面， 类似7.6节三维自由电子能态密度的推导 单位能量间隔的电子浓度 导带电子浓度 第八章 半导体物理基础第二讲 赛北412-1 郎婷婷 langtingting@cjlu.edu.cn 8.1 本征半导体和杂质半导体 8.2 半导体中的载流子浓度 8.3 载流子的漂移运动 8.4 非平衡载流子及其运动 8.5 PN结 主要内容 n型半导体 p型半导体 掺施主 掺受主 磷、砷、锑（V） 硼、铝、镓（III） 8.2 半导体中的载流子浓度 热平衡下能量为E的状态被电子占据的几率为 —— 费米分布函数 费米能量，温度T的函数，与掺杂有关 玻尔兹曼常数： 室温： 不同温度下的费米分布函数 当T≠0时，在E = EF能级， f (EF ) = 0.5 在费米能级，被电子填充的几率等于不被电子填充的几率。 玻尔兹曼函数 给出某一指定能态为电子占据的几率 若 如何求得具有某一能量的实际电子数？ g(E)表示晶体中单位体积单位能量间隔的量子态数 能量为E~E+dE之间的量子态数：g(E)dE 乘以每个量子态被电子占据的几率，得到相应的电子数目： 8.2.2 平衡态下的导带电子浓度和价带空穴浓度 导带电子浓度 价带空穴浓度 导带有效能级密度 价带有效能级密度 有效能级密度 导带有效能级密度Nc ：假设导带中所有能级均位于导带底，单位体积晶体所拥有的能态数目。 价带有效能级密度NV ：价带顶 8.2.3 本征载流子浓度与费米能级 导带电子的浓度 价带空穴的浓度 可见，电子和空穴的浓度乘积和费米能级无关。只跟温度有关，与掺杂无关。所以本征半导体和杂质半导体都适用 本征载流子浓度 费米能级 在费米能级，被电子填充的几率等于不被电子填充的几率。 8.2.4 杂质充分电离时的载流子浓度 考虑掺施主的n型半导体 掺杂浓度： 施主充分电离后的杂质浓度： 电中性条件： n型半导体 p型半导体 掺施主 掺受主 高温下，掺杂与本征载流子在同一数量级 室温，掺杂远大于本征载流子浓度 费米能级的位置 例8-1 8.3 载流子的漂移运动 漂移运动：载流子在外场作用下的非随机定向运动。 Vp Vpdt A B ds 电荷定向运动形成电流 8.3.1 迁移率 考虑空穴在半导体内的运动，设单位体积空穴数为p，速度为vp，取一面元ds与速度垂直，在 dt 时间内空穴的运动距离为vp*dt。 在 dt 时间内小柱体端面A、B之间的所有空穴都会流过面元ds，故电荷量 电流密度：单位时间流过单位面积的电荷 空穴和电子的迁移率 不加电场：速度平均值为零，电流为零。 电场作用下的漂移速度： 电流密度 空穴的迁移率： 电流方向都与电场方向相同 电子的迁移率： 影响迁移率的因素 载流子的漂移运动是电场加速（有效质量）和散射的共同作用结果。两种因素的相互作用使载流子在恒定外场下有稳定的漂移速度 不同散射机构对载流子的散射几率不同。 温度较高时，晶格振动对载流子的散射是主要的。 温度较低时，杂质的散射是主要的。 8.3.2 电导率 总电流密度 电导率 材料的电导率由载流子浓度和迁移率共同决定 不同锗样品电导率随温度的变化