PVD制程介绍及应用new汇.ppt

* * PVD制程介紹及應用 FIH機構產品處表面處理加工部 真空鍍膜課 * * 鍍膜成形的方法分類 固相法----化學變化 液相法----化學變化 氣相法----化學作用+物理作用 * * 氣相法 物理氣相沉積法（PVD） 化學氣相沉積法（CVD） * * 物理氣相沉積法（PVD） 靶材經各種不同方法之處理，由固態或液態激發為氣體，形成的氣體原子、分子或離子由蒸發源穿越真空到達基材表面（工件），逐漸沉積形成薄膜，稱之為物理氣相沉積法（PVD）。 * * PVD包括： 真空蒸鍍（Vacuum Evaporation） 濺鍍（Sputtering Deposition） 離子鍍（Ion Plating） * * 真空蒸鍍（Vacuum Evaporation） 工作原理： 在真空環境中，利用升高置于蒸發源之靶材溫度，使之熔解后蒸發（或直接升華），此時氣態之靶材原子或分子同時具有加溫后之動能，而飛向基座（工件）沉積為固態薄膜。 * * 真空蒸鍍（Vacuum Evaporation） 真空的定義： 真空并不是真正的没有空气，它是指低于一个大气压的气体空间。 粗真空： （105~102 Pa） 低真空：（102~10-1Pa） 高真空：（10-1 ~10-6Pa) 超高真空：（10-6Pa ~ 10-12Pa ) 极高真空：（ 10-12Pa ) * * 間接加熱型： 針對蒸發源加熱，間接使靶材受熱而蒸發; 直接加熱型： 利用高能粒子（電子束、電漿或鐳射）或高頻，直接使蒸發源上的靶材受熱而蒸發。 真空蒸鍍（Vacuum Evaporation） * * 真空蒸鍍（Vacuum Evaporation） 常用蒸發源材料： 材料 石墨（C） 鎢（W） 鉭（Ta） 鉬（Mo） 熔點（℃） 3727 3410 2996 2610 常用靶材材料： 材料 鋁（Al） 錫（Sn） 鎳（Ni） 銦（In） 熔點（℃） 660 232 1453 157 * * Vacuum Substrate 真空蒸鍍（Vacuum Evaporation） Vacuum Evaporation Filament * * 真空蒸鍍（Vacuum Evaporation） 制程工藝： 底塗 ? 蒸鍍 ? 面塗 * * 真空蒸鍍（Vacuum Evaporation） 底漆(Basecoat) 填補射出模痕，增加平坦性及光澤 做為鍍膜的接著層，增加鍍膜附著力 調整鍍膜亮霧度 防止素材分子擴散至鍍膜層 素材 無底漆 素材 有底漆 底漆 鍍層 * * 真空蒸鍍（Vacuum Evaporation） 面漆(Topcoat) 保護鍍膜層防侵蝕 提供耐刮耐磨保護 耐環境測試 調整亮霧度 加入顏料或染料可變化顏色（彩鍍） * * 濺鍍（Sputtering Deposition） 工作原理： 利用電漿所產生的離子，藉著離子對靶材電極(Cathode)的轰击(Bombardment)，使靶材表面原子脫離，進而在基材（工件）表面沉積成薄膜。 * * 濺鍍（Sputtering Deposition） Vacuum pump Target Material (Cathode) Energy Gas Plasma 电位差 Ar Ar+ Substrate 在真空環境中 電極(Cathode)通入電流使其 放電,靶为负极,工件为正极 製程氣體(Ar)通入 Ar離子撞擊靶材表面釋出原子,原子 在电场作用下向工件(阳极)移动 Ar離子在電漿中向靶材移動 Ar解離形成電漿(Ar+离子) 靶材原子落在工件上,形成薄膜 * * 電漿(Plasma):電子在電場中加速而與中性氣體分子或原子發生非彈性碰撞，產生離子化(Ionization) 、解離(Dissociation)或激發(Excitement)而形成離子化氣體。 電漿為一複雜的物質狀態其所有組成包括離子、電子、中性原子與分子、受激態粒子、紫外線等，有異於固態、液態、氣態亦被稱為物質的第四態。 濺鍍（Sputtering Deposition） * * 濺鍍（Sputtering Deposition） 1 2 3-1 3-2 3-4 4 5 3-3 腔内镀膜 腔内缓冲 卸载 真空腔 上载 真空腔 輸送帶 进 輸送帶 出 RF 腔内处理 1 2 3 4 5 In-Line濺鍍製程 * * 單元名稱 功 能 說 明 上載室 大氣狀態時,基材自外部進入本室,定位後;幫浦啟動抽至真空狀態. 清潔室 真空狀態通入射頻電源(RF),產生Plasma電漿,清潔基材表面 濺射緩衝室