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复习大纲 1. 铝背场的作用： ①减少少数载流子在背面复合的概率； ②作为背面的金属电极； ③提高电池的开路电压； ④提高太阳电池的收集效率； ⑤降低电池的反向饱和暗电流和背表面复 合速率； ⑥制作良好的欧姆接触。 2. 简述晶体硅的制备工艺过程？ 答：晶体硅太阳电池的制备工艺：p型硅片-清洗制绒-扩散制结（p-n结）-去周边层-去PSG（磷硅玻璃）-镀减反射膜-印刷电极-高温烧结-检测-分选-入库包装。 3.太阳能的利用形式：光化学转化、太阳能光热转化和太阳能光电转化。 4.太阳能电池理论效率最高为75% 。 5.太阳常数：是指大气层外垂直于太阳光线的平面上，单位时间、单位面积内所接受的太阳能辐射。也就是说，在日地平均距离的条件下，在地球大气上界，垂直于光线1Ｃ㎡的面积上，在１分内所接受的太阳能辐射能量；为（１３６７＋｜－７）Ｗ/㎡。 ６．太阳能能量转换方式主要分为光化学转化、太阳能光热转化和太阳能光电转化三种方式。 　７．P-N结的形成原理。 答：⑴Ｐ型和Ｎ型半导体都呈电中性； ⑵Ｐ型半导体的多子是空穴；Ｎ型半导体的多子是电子； ⑶当Ｐ型半导体与Ｎ型半导体连接在一起时，由于ＰＮ结中不同区域的载流子分布存在浓度梯度，Ｐ型半导体材料中过剩的空穴通过扩散作用流动至Ｎ型半导体材料；同理，Ｎ型半导体材料中过剩的电子通过扩散作用流动至Ｐ型半导体材料。电子或空穴离开杂质原子后，该固定在晶格内的杂质原子被电离，因此在结区周围建立起了一个电场，以阻止电子或空穴的上述扩散流动，该电场所在的区域及耗尽区或者空间电荷区，故而称为ＰＮ结。如图所示： 在交界面，由于扩散运动，经过复合,出现空间电荷区。 ８．P-N结半导体光生伏特效应的原理。 答：在半导体被光照射、产生光传导现象时，如果由光产生的载流子在不同位置具有不均一性，或者由于PN结产生了内部载流子的话，就因扩散或者漂移效应而引起电子和空穴密度分布不平衡，从而产生电力，这一现象称为光生伏特效应（photovoltaic effect）“粗抛”以去除硅片在线切割过程中形成的切割损伤。 （2）漂洗（去离子水、超声波） （3）再用低浓度的碱（NaoH or KoH）和异丙醇（IPA：其作用是降低硅片表面张力，较少气泡在硅片表面的粘附，是硅片的金字塔更加均匀一致）的混合溶液对(100)晶面的方向的单晶硅片较长时间的各向异性腐蚀，这样可以在硅片表面形成类“金字塔”状的绒面，有效地增强了硅片表面对入射光的吸收，从而提高光生电流密度Jsc。 （4）HF清洗 （5）HCL清洗 12.简述碱制绒、酸制绒的原理； 答：Ⅰ.碱性制绒原理： 1.适用范围：单晶硅SC-Si； 2.组份：NaoH or KoH; 3.反应式：2NaoH+H2o+Si=Na2Sio3+2H2 or 2KoH+H2o+Si=K2Sio3+2H2 Ⅱ. 酸性制绒原理： 2.组份：HNO3 or HF 1.适用范围：多晶硅 3.反应式： Si+4HNO3=SiO2+4NO2+2H2O SiO2+4HF=SiF4+2H2O SiF4+2HF=H2[SiF6] 13.简述表面织构化； 答：晶体硅在进行切片时，是硅片表面留下一层10-20um的损伤层，而在太阳电池制备时首先要利用化学腐蚀去除损伤层，然后制备表面绒面机构，若选择择优化学腐蚀剂就可以在硅片表面形成倒金字塔结构，称为绒面结构，又称表面织构化。 14. PN结的十一种叫法，分别是电子-空穴结、复合层|区、阻挡层、结电容、高阻区、耗尽层|区、空间电荷层|区、势垒电场、内|自电场区。 15. Rsh叫内部并联电阻，分流电阻，泄露电阻，旁漏电阻 16. 三氯氧磷扩散的原理：POCL3高温下，分解成PCL5， PCL5进一步分解成P2O5，并放出CL2， P2O5淀积在硅片表面与硅反应生成SIO2和磷原子，并在表面形成一层磷硅玻璃，然后磷原子再向硅中扩散，形成N型。 17．丝网印刷的工艺三步骤：背Ag,背Al,正Ag。 18. 磷扩散的工艺：气态磷扩散、固态磷扩散和液态磷扩散等形式。 19. 减反射膜的基本原理：利用光在减反射膜上、下表面反射所产生的光程差，使得两束反射光干涉想消，从而减弱反射，增加透射。 20. 减反射层薄膜材料要求：①透光性好 ②对光吸收系数③良好的耐化学腐蚀性④良好的硅片粘结性⑤良好的导电性能 21．在实际晶体