电子科技大学物理光学第六章.pptVIP

* * 第六章 非平衡载流子 第一节 非平衡载流子注入和准费米能级 一、非平衡载流子的注入与复合 1、注入 热平衡：受温度影响载流 子从价带跃迁到导带 非平衡：由于外能， 更多载流子从价带到导电 n0、p0 小注入：注入的非平衡载流子浓度 比平衡时的多数载流子浓度小得多 说明：1、虽然小注入非平衡载流子比平衡时多子少， 但往往比少子多 2、非平衡少数载流子对性能影响起重要作用 3、非平衡少子常被称为非平衡载流子 n型：非平衡多子，p型：非平衡少子 n型：非平衡少子，p型：非平衡多子 如： 光注入 载流子 浓度增加 导电能 力提高 电导率增大 （光电导） 电、光、热注入 P-N结正偏 光探测器 热探测器 外场撤出后？ 非平衡载流子仍存在，比热平衡时多， 热运动中相遇而复合的机会大，超过产生速度， 净复合，直至热平衡。 二、非平衡载流子的寿命 1、定义 寿命 :非平衡载流子的平均生存时间 非平衡少子起主导作用， 非平衡载流子的寿命常称为少数载流子的寿命 单位时间内非平衡载流子的复合几率 单位时间单位体积内净复合消失 的电子-空穴对-复合率 2、衰减规律 n型半导体，光照突然停止， 将随时间而变化 单位时间内 非平衡载流 子的减少 单位时间复合 的电子空穴对 = t=0时浓度 结论：非平衡载流子浓度随时间按指数衰减的规律 小注入时，τ是一个恒量，与 Δp(t) 无关 3、意义 寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原值的 所经历的时间 寿命越短，衰减越快， 非平衡寿命是标志半导体材料的主要性能之一。 三、准费米能级 1、概念 热平衡下，半导体只有一个费米能级。 非简并情况下 统一的费米能级是热平衡状态的标志 非平衡时，费米能级不再是统一的 平衡时 带内跃迁 带间跃迁 多、快 少、慢 导带、价带处于平衡 统一的费米能级 非平 衡时 带内跃迁 带间跃迁 多、快 多 导带、价带各自处于平衡 彼此不平衡 费米能级、统计分别函数针对平衡而言的， 各自的费米能级，局部费米能级 2、位置确定 已知 可求 3、特点 1、非平衡载流子浓度越大，准费米能级越偏离EF 2、多子准费米能级靠近，少子准费米能级离EF较远 3、准费米能级偏离大小反映了偏离热平衡态的程度 （大：显著；小：接近；重合-平衡态） Δ Δ大小直接反映出np与ni2相差程度 反映半导体偏离热平衡态的程度 大：不平衡大 小：不平衡小 重合：平衡 第二节 非平衡载流子的复合 热平衡时，载流子产生－复合过程： 非平衡时，载流子产生－复合过程： 复合机理： 直接复合－导带和价带间直接跃迁 间接复合－通过禁带的能级复合 一、直接复合 1、非平衡载流子的复合率 G-产生率（与外场有关） R-复合率（与浓度有关）。 有外场：GR，存在净产生 撤去外场，存在净复合： U-净复合率 热平衡时： 将 代入上式 2、非平衡载流子的寿命 1)、小注入 n型半导体： p型半导体 ： 在小注入， a.温度、掺杂一定，寿命是一个常数。 b.寿命与多数载流子浓度成反。 2)、大注入 寿命随非平衡载流子浓度而改变 二、间接复合 1、电子的俘获与产生（Et） Ec Ev Et n p Nt：复合中心浓度 nt：复合中心能级上电子 Nt－nt：复合中心能级上未被电子占据的浓度 A A：俘获电子 B B：发射电子 C C：俘获空穴 D D：发射空穴 1）电子俘获率 2）电子产生率 与温度有关 热平衡下， 电子产生率＝电子俘获率 电子俘获和发射两个 对立过程的内在联系 费米能级与复合中心能级 重合时导带的平衡电子浓度 净俘获率： 2、空穴的俘获与产生（Et） 净俘获率： 3、非平衡载流子的复合率 稳定情况，复合中心上电子浓度不变，电子的净俘获率 等于空穴的净俘获率，也是非平衡载流子的复合率： 热平衡U=0 ni2 产生非平衡载流子U0 适用于U0 4、非平衡载流子的寿命 （1）小注入 Δp小，rn≈rp 强p型区 p型高阻区 小 p0最大 n1最大 p0》n0 Et接近Ec 强p型区 强n型区 p型高阻区 n型高阻区 p0 》n0 p0最大 Et接近价带 Et接近价带 n0 》p0 n0最大 p0 》 n0 n1最大 n0 》 p0 P1最大 少子 电 电 空 空 说明：a.**区是相对的，与复合中心能级位置有关 b.强**区寿命决定于复合中心对少子的俘获系数 c.高阻区寿命与多数载流子浓度成反比 （2）大注入寿命 5、有效复合中心 分析：a.Et≈Ei，U取极大， 位于禁带中央附近的深能级是最