第四章CREE的发展历程与构面分析.PDF

第四章 CREE的發展歷程與構面分析 第一節 CREE發展歷程 Cree由北卡羅來州立大學 (North Carolina State University,簡稱 NCSU)的 畢業生共同創立，其早期的技術完全來自於 NCSU ，茲將公司發展歷程分為三個 階段： 1987～1998 年為創立階段，主要的發展在於尋找 SiC合適的應用與產品； 1999~2003 年為第二階段，確立以 LED 為主要的產品，強化核心能力，建立競 爭障礙； 2004 年～至今 (2008) 為第三階段，實現 LED Lighting的應用，並進 行照明產業的垂直整合。以下將此三階段簡述如下： （一）第一階段，創立階段 1987~1998 年 在 1980 年代初期，NCSU的 Robert F. Davis (Bob Davis) 實驗室專門研究 Silicon Carbide (SiC)的材料， SiC 具有某些較傳統半導體材料如 Silicon更好的特 性，例如耐高溫、能操作在更高的功率、更高的頻率。Bob Davis的實驗室團隊 包含 Hua-Shuang Kong, Jeffrey T. Glass, Calvin H. Carter, Jr., John W. Palmour, 1 John A. Edmond, Charles Eric Hunter 等 。 2 Cree Research由 Eric Hunter 與 Neal Hunter 兩兄弟所創立 ，並以Neal Hunter 與 Eric Hunter的父親 Charles Cree Hunter命名，在北卡羅萊研究三角園 區 (North Carolina Triangle Park)創立了 Cree Research Inc 。 Eric Hunter 與 Neal Hunter 一直有創業的夢想，Eric Hunter的指導教授 Davis 更指出 ”Eric 從到學校的第一天就想創業 ” 。而Davis的實驗團隊在當時是成長 bulk SiC的領先團隊，技術領先包含西屋電器 (Westinghouse) 在內的等許多公 司。 1請參見 1987 年NCSU所申請之 7件 SiC相關專利， ”Growth of beta-sic thin films and semiconductor devices fabricated thereon” US Pat. 4912063; “Bipolar junction transistor on silicon carbide” --US Pat. 4945394; “Sublimation of silicon carbide to produce large, device quality single ...”--US Pat. 4866005; “Metal-insulator-semiconductor capacitor formed on silicon carbide”--US Pat. 4875083; “Homo epitaxial growth of alpha-SiC thin films and semiconductor devices ...”--US Pat. 4912064; “Dry etching of silicon carbide”--US Pat. 4865685; “P-N junction diodes in silicon carbide”--US Pat. 4947218. 2請參見 133頁， Bob Johnstone著， ”Shuji Nakamura and the Revolution in Lighting Technology”, Prometheus Books, 2007. 50 1987 年 7月， Hunter 兩兄弟討論決定成立 Cree Research ，將Davis實驗室 成果商業化，於是他們將房屋貸款得到的 25