模拟电子技术半导体器件汇总.ppt

§ 1.1 半导体基础 1.1 .1 本征半导体 本征半导体的导电机理 1.1.3 PN结及其特性 理想PN结的单向导电性 实际PN结伏安特性 PN结 伏安特性温度影响，曲线变化趋势 PN结 的雪崩击穿和齐纳击穿。。。 1.2 半导体二极管 1.2.3 主要参数 1.2.6 主要应用 实际二极管的优先导通问题P16 1.2.7 稳压二极管 稳压二极管的参数（图解 ） 1.3 双极型晶体三极管BJT 1.3.2 电流分配和放大原理 1.3.4 主要参数 1.4 场效应管 FET 场效应管 分类 1.2.6 结型??/ 1.4 绝缘栅型场效应管 1.4 . 2 工作原理-1 1.4 . 2 工作原理-2 1.4 . 2 工作原理-3 1.4 . 2 工作原理-4 1.4.3 场效应管特性曲线 1.4.6 输出特性（漏极特性） 1.4.3 直流主要参数 1.4.3 交流主要参数 场效应管思考题 第1章 作业 特点：（1）场效应管只有一种极性的载流子（电子或者空穴）参与导电，所以场效应管有时又称为单极型晶体管。 （2）场效应管是电压控制器件，它的输入阻抗高达107～1014，基本不需信号源提供输入电流。 场效应管的主要缺点是放大能力较低。 场效应管具有三极管体积小、重量轻、耗电省、寿命长的优点、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强的优点， 效应管类型较多，电压极性要求和特性曲线各不相同，工程上可方便灵活选用 N沟道MOS管 结型 P沟道MOS管 场效应管 增强型 N沟道MOS管 绝缘栅型 P沟道MOS管 耗尽型 N沟道MOS管 P沟道MOS管 1.4.1 基本结构 N沟道 P沟道 增强型N沟道 耗尽型N沟道 增强型P沟道 耗尽型P沟道 ☆耗尽/增强型；N/P沟道 区分： 在漏极和源极之间加上电压UDS， 由于N+漏区和N+源区与P型衬底 之间形成两个PN结，无论UDS极 性如何，两个PN结中总有一个因 反向偏置而处于截止状态， 漏极和源极没有导电通道， 漏极电流ID为零。 UDS 导电通道形成-场效应 正向电压UGS，由于栅极铝片与P型衬底 之间为二氧化硅绝缘体，它们构成一个 电容器，UGS在二氧化硅绝缘体产生一个 垂直于衬底表面的电场，电场方向向下， 由于二氧化硅绝缘层很薄，产生的电场 强度很大（V/μM）在电场作用下，P衬 底中的电子被吸引到表面层。当UGS较小 时，吸引到表面层中的电子很少，而且 立即被空穴复合，只形成不能导电的耗 尽层。 当UGS≥ UGSON时，吸引到表面层中的电子， 除填满空穴外，多余的电子在原为P型半 导体的衬底表面形成一个自由电子占多数 的N型层，故称为反型层。反型层沟通了 漏区和源区，成为它们之间的导电沟道。 ☆开启电压UGS(TH) 使增强型场效应管刚开始形成导电沟道的临界电压。 夹断电压UGS(OFF ) 耗尽型场效应管导电沟道刚开始断开的临界电压 如果加上栅源电压UGS＞UGSON后， 在漏区和源区形成了导电沟道，同 时再加上漏源电压UDS＞0，导电沟 道形状会变成逐渐减小的楔形形状. 这是因为UDS使得栅极与沟道不同位 置间的电位差变得不同，靠近源极一 端的电位差最大为UGS；靠近漏极一 端的电位差最小为UGD=UGS－UDS， 反型层为楔型的不均匀分布。 改变栅极电压UGS，就能改变导电沟道的厚薄和 形状，即改变导电沟道的电阻值，实现对漏极 电流ID的控制作用。与三极管的不同之处是： 三极管是由IB来控制IC的，是电流控制元件。 场效应管是由UGS来控制ID的，故为电压控制元件， UGS对ID的控制能力可通过跨导gm来表示。 gm= UDS=常数≈ 当UDS继续增加，UGD=UGS－UDS减小，沟道在接近漏极 处消失，结果楔形导电沟道如图所示，这时的状态 称为预夹断。预夹断不是完全将导电沟道夹断，而是 允许电子在导电沟道的窄缝中以高速流过，保证沟道 电流的连续性。管子预夹断后，UDS在较大范围内变化 时，ID基本不变，进入恒流区。 ☆增强型场效应NMOS管导通的条件为：UGS＞UGS(TH) UDS＞UGS＞0 1．转移特性 在UDS一定时，漏极电流ID与栅源电压 UGS之间的关系ID=f(UGS) 当栅源电压小于开启电压时， 漏极电流为零 （0＜UGS＜UGS(TH)，ID=0） 开启电压增强型场效应管刚开始形成导电沟道的临界电压UGS(TH) 夹断电压耗尽型场效应管导电沟道刚开始断开的临界电压UGSOFF 开启和夹断电压的极性！！ 当栅源电压大于开启电压时（UGS＞UGS(TH)），