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* 1.3.5 三相交流电路 【例1.8】如图1.24所示，某三相不对称负载做连接的电阻电路中，各相电阻分别是RA=RB=22?，RC=11?。已知电源的线电压为380V。求相电流、线电流和中线电流。 解：参见图示1.18（a）得到每相所承受的相电压为： 各相电流为： 各相的线电流等于同相的相电流。 纯电阻电路的电流和电压同相位，故三相电流之间的相位差依次为120°。用相量叠加法得到中线电流的值为10A，相位与UC同相位，如图1.28（b）所示。 任务1－3交流电路应用 * 1.3.5 三相交流电路 【例1.9】图1.25为由白炽灯组成的三相不对称负载电路。A负载为两个220V、60W的灯泡，B相为6个220V、60W的灯泡。试分析中线断开，C相负载开路和短路时，A相和B相负载的电压变化情况。 解：中线断开，C相开路时，RA和RB串联后接在UAB上。 因为 所以 （V） （V） 中线断开，C相负载短路时，A相和B相分别接到UBC、UCA上，均承受380V的电压，灯泡很快烧坏。 可见中线一旦断开，线电压虽然仍然对称，但中线电流无法通过，各相负载所对应的对称相电压受到破坏，强迫负载改变原来工作状态，这样会使负载某一相（或两相）的电压升高，而另两相（或一相）的电压降低。严重时会使电压升高相负载损坏，而电压低的负载不能正常工作。 任务1－3交流电路应用 * 任务1－4电子电路应用 知识分布网络 * 任务1－4电子电路应用 1.4.1常用半导体元器件 1、半导体二极管 1）半导体二极管的结构 (a) 点接触型 (b) 面接触型 (c)图形符号 图1.27二极管结构和图形符号 2）二极管的特性 图1.28 二极管导通和截止示意图 * 任务1－4电子电路应用 1.4.1常用半导体元器件 1、半导体二极管 图1.29 二极管伏安特性曲线 二极管的外加电压与电流的关系可用伏安特性曲线表示，如图1.29所示。当正向电压很低时，二极管呈现高电阻值。 当正向电压超过二极管开启电压Uon时，二极管呈现低电阻值，处于正向导通的状态。 开启电压与二极管的材料和工作温度有关，通常硅管的开启电压为0．5v，锗管为0．3V，二极管导通后，二极管两端的导通压降很低，硅管为0．5～0．7V，锗管为0．2～0．3V。 当二极管承受反向电压时，在反向电压小于击穿电压UBR时，反向电流极微小且基本保持不变。 当反向电压增大到UBR时，反向电流突然增大，二极管呈现反向击穿的现象。 * 任务1－4电子电路应用 1.4.1常用半导体元器件 1、半导体二极管 3）二极管的主要参数 最大整流电流IDM：指二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。其大小由PN结的结面积和外界散热条件决定。这是二极管的重要参数．使用中不允许超过此值。 最高反向工作电压URM：指二极管长期安全运行时所能承受的最大反向电压值。手册上一般取击穿电压的一半作为最高反向工作电压值。 反向电流IR：指二极管未击穿时的反向电流。IR值越小，二极管的单向导电性越好。反向电流随温度的变化而变化较大，这一点要特别加以注意。 * 任务1－4电子电路应用 1.4.1常用半导体元器件 1、半导体二极管 4)特殊二极管 * 任务1－4电子电路应用 1.4.1常用半导体元器件 1、半导体二极管 5）二极管的应用 （1）整流电路 (a)电路图 （b）波形图 * 任务1－4电子电路应用 1.4.1常用半导体元器件 1、半导体二极管 5）二极管的应用 （2）滤波电路 (a)电路图 （b）波形图 * 任务1－4电子电路应用 1.4.1常用半导体元器件 1、半导体二极管 5）二极管的应用 （3）稳压电路 图1.32 稳压管稳压电路图 * 任务1－4电子电路应用 1.4.1常用半导体元器件 2、半导体三极管 1）半导体三极管的结构 图1.33三极管结构图 图1.34 三极管图形符号 为了保证三极管有电流放大作用，三极管在制造时有以下特点：基区很薄，一般只有几微米到几十微米厚，且掺杂浓度低。发射区掺杂浓度比基区和集电区高很多。集电结的面积比发射结大。 * 任务1－4电子电路应用 1.4.1常用半导体元器件 2、半导体三极管 2）