工艺良品率.docVIP

第六章 工艺良品率 概述 高水平的工艺良品率是生产性能可靠的芯片模并获得收益的关键所在。本章将结合影响良品率的主要工艺及材料要素对主要的良品率测量点做出阐述。对于不同电路规模和良品率测量点的典型良品率也在本章中列出。 目的 完成本章后您将能够： 指出三个工艺良品率的主要测量点。 解释晶圆直径，芯片模尺寸，芯片模密度，边缘芯片模数量和制程缺陷密度对晶圆电测良品率的影响。 通过单步工艺制程良品率来计算出累积晶圆生产良品率。 能够解释及计算整体工艺良品率。 对影响制造良品率的四个主要方面作出解释。 建立良品率相对时间的曲线来反映不同的工艺和电路成熟程度。 解释高水平的工艺良品率和器件可靠性之间的联系。 良品率测量点 维持及提高良品率（yields）对半导体工业至关重要。任何对半导体工业做过些许了解的人都会发现，整个工业对其生产良品率极其关注。的确如此，半导体制造工艺的复杂性，以及生产一个完整封装器件所需要经历的庞大工艺制程数量，是导致这种对良品率超乎寻常关注的基本原因。这两方面的原因使得通常只有20%至80%的芯片模能够完成从投片开始的晶圆生产线全过程，成为成品出货。 对于大部分的制造工程师来说，这样的良品率看上去真是太低了。可是当我们考虑一下所面临的挑战，是要在极其苛刻的洁净空间中，在1/2平方英寸的芯片模范围内，制做出数百万个微米量级的元器件平面构造和立体层次，就会觉得能够生产出任