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第2章 二極體 二　隨堂練習 2-1　本質半導體 （ C ） 1. 純矽在絕對零度（0K）時，沒有禁帶，其性能如同　(A)導體　(B)半導體　(C)絕緣體　(D)以上皆非。 2-2　P型及N型半導體 （ A ） 2. 經雜質摻雜後的鍺晶片，每108個鍺原子就有1個銻原子，則室溫下，此晶片每立方厘米中含有的自由電子數目為多少？　(A)4.4×1014　(B)3.0×1010　(C)1.0×108　(D)2.25×1012　個。 ：電子數目＝＝4.4×1014個 （ A ） 3. 在本質半導體中，摻入下列何項雜質元素，即可成為N型半導體？　(A)磷　(B)硼　(C)鋁　(D)銦。 2-3　P-N接面二極體 （ A ） 4. 二極體的空乏區，隨著逆偏電壓的增加而產生何種變化？　(A)增加　(B)減少　(C)不變　(D)先減後增。 2-4　二極體之特性曲線 （ B ） 5. 假設一鍺二極體，在常溫25℃時的順向電壓降為0.3V，試計算溫度升高至65℃時之順向電壓值為　(A)0.28　(B)0.26　(C)0.24　 (D)0.22　V。 ：VD(65℃)＝VD(25℃)＋(－1mV/℃)×(65℃－25℃) 　　 ＝0.3V－40mV＝0.3V－0.04V＝0.26V （ A ） 6. 有一PN二極體的逆向飽和電流於300K時為1μA，於350K時IS應為　(A)32　(B)50　(C)64　(D)100　μA。 ：IS(350K)＝IS(300K)×＝1μA× 　　　＝1μA×25＝32μA （ C ） 7. 某一二極體在操作點處的電壓和電流分別為VQ＝1V，IQ＝9.5mA，試求其直流電阻為多少歐姆？　(A)92.5　(B)97.4　(C)105.3　 (D)110.6　Ω。 ：Rdc＝＝≒105.3Ω （ D ） 8. 有一二極體，其電流是2mA，試求室溫時之交流電阻為多少歐姆？　(A)104　(B)52　(C)26　(D)13　Ω。 ：rd＝＝13Ω 2-5　二極體之偏壓 （ B ） 9. 在PN二極體中，較容易產生電子流的方向是　(A)由P型至N型區　(B)由N型至P型區　(C)兩方向都很容易　(D)兩方向都很難。 2-6　二極體之等效電路模型 （ B ） 10. 圖2-23中，若將二極體D反接，則在電阻R2上的電壓和電流分別為　 (A)0V，0mA　(B)6V，3mA　 (C)6V，5mA　(D)15V，5mA。 ：∵　二極體因逆向而截流，形同開路 ∴　VR2＝15V×＝6V 　　IR2＝＝3mA （ C ） 11. 如圖2-27所示之矽二極體之電路，應用定值電壓模型來分析，試求負載電阻RL兩端之輸出電壓Vo為多少V？　(A)4.30　(B)3.75　(C)2.15　(D)1.45　V。 ：Vo＝(5V－0.7V)× 　＝4.3V×＝2.15V （ D ） 12. 應用簡化二極體，片斷線性模型法（假設Vo＝0.7V，rac＝20Ω），求圖2-25（即範例11電路）之I與V值分別為多少？　(A)1.25mA，0.85V　(B)1.25mA，0.74V　(C)2.13mA，0.85V　(D)2.13mA，0.74V。 ：如圖所示： I＝＝2.13mA V＝Vo＋I．rac ＝0.7V＋2.13mA×20Ω ≒0.74V 2-7　稽納二極體 （ C ） 13. 若8V稽納二極體具有0.085％/℃的正溫度係數，則100℃時的稽納電壓為　(A)7.54　(B)8.01　(C)8.51　(D)8.74　V。 ：ΔVZ＝(T1－T0)＝×(100－25)＝0.51V 100℃時的稽納電壓為：VZ＋ΔVZ＝8＋0.51＝8.51V （ A ） 14. 如圖2-37所示之電路，通過RS之電流為若干？　(A)20　(B)15　(C)10　(D)5　mA。 ：VRL＝10V× 　 ＝9.09V ∵　VRL＞VZ　∴　稽納二極體崩潰 IRS＝＝＝0.02A＝20mA 2-8　發光二極體 （ C ） 15. 發光二極體（LED）的發光度與　(A)逆向偏壓成正比　(B)逆向偏壓成反比　(C)順向電流成正比　(D)順向電流成反比。 三　自我評量 一、選擇題 （ D ） 1. 對一處於絕對零度（0K）之本質半導體，在此本質半導體之兩端加一電壓；若此本質半導體並未發生崩潰，則在本質半導體內　(A)有電子流，也有電洞流　(B)有電子流，但沒有電洞流　(C)沒有電子流，但有電洞流　(D)沒有電子流，也沒有電洞流。 ：在0K之本質半導體如同絕緣體，它沒有電子流，也沒有電洞流。 （ A ） 2. 將（磷）元素