黄光NP undercut偏大的原因分析11.pptx

1 黄光NP undercut偏大的原因分析 2 第一阶段 3 事件说明： 4月13日——4月15日，因NP黄光N undercut偏大异常重工 13批产品（217pcs） N pad Undercut spec：1.5~4um 4 针对NP undercut异常进行的Action： 机台 制程参数 机台参数 coater（1FCO02） 软烤：110℃ 110S 软烤：110℃ 110S aligner(1FAL01) 曝光量：130mj（0707）/115mj（0815） 曝光量：130mj（0707）/115mj（0815） aligner(1FAL03) 曝光量：130mj（0707）/115mj（0815） 曝光量：130mj（0707）/115mj（0815） developer(1FDE01) PEB:105℃ 120S 显影时间：120S PEB:105℃ 120S 显影时间：120S 1.对黄光各机台NP参数设置进行确认： 小结：黄光机台参数设置无异常。 5 2.使用黄光控片进行测试 2.1 测试片数10pcs； 2.2 步骤：HMDS----coater---aligner---developer 2.3 显影后情况： 小结：挡片测试结果，undercut偏大。 6 3.请设备对机台相关条件进行测试： Spec:110±2℃ Spec:105±2℃ COATER 显影机 7 曝光机照度测试： 日期（ )月 机台显示值 测试结果记录 U=（max-min）/(max+min)*100%（U3%合格） 调整后显示 确认者 备注 1 2 3 4 5 6 7 8 9 AVG DNK1 4-13 22.6 22.13 21.47 21.41 22.31 21.76 21.75 22.38 21.84 21.82 21.87 2.22% 　 林帅 　 4-14 22.6 22.22 21.5 21.43 22.3 21.75 21.66 22.41 21.92 21.78 21.89 2.24% 　 新阳 　 4-15 22.8 22.37 21.72 21.68 22.54 21.97 21.92 22.58 22.09 22.04 22.10 2.03% 　 林帅 　 DNK2 4-14 34 34.45 34.42 33.95 34.49 33.79 34.29 35.02 34.65 34.51 34.40 1.79% 　 新阳 　 4-15 33.9 34.41 34.37 33.94 34.52 33.71 34.35 34.99 34.32 34.49 34.34 1.86% 　 林帅 　 小结： Coater、aligner、developer机台各相关制程参数测试符合Spec。 8 4.使用控片再次进行测试： 测试分为4组，每组各2pcs。 组别 测试流程 测试结果 测试目的 1 去负光阻-HMDS-Coater2涂布-DNK2曝光-显影 NG 厘清清洗SPM影响 2 去负光阻-SPM-Coater2涂布-DNK2曝光-显影 OK 厘清HMDS影响 3 去负光阻-SPM-HMDS-Coater4涂布-DNK2曝光-显影 OK 厘清coater机台影响 4 去负光阻-SPM-HMDS-Coater2涂布-DNK1曝光-显影 OK 厘清aligner机台影响 小结：1.控片在去完负光阻后，不经洗SPM即进行NP黄光， 存在undercut偏大异常，其余测试组结果OK 2.通过控片测试情况来看，按正常流程做完显影后， N undercut符合spec。 9 5.控片测试结果OK后，以2批次产品进行生产，观察显影后情况： 1PXJ-120413007 (20pcs,重工批次) 1PXJ-120414008 (20pcs,正常流程至NP黄光) 2批次同时进行HMDS，coater涂布，曝光，显影。 测试Run情况： 日期 Lot ID wafer ID N undercut Spec:1.5-4.0um 中 右 上 左 下 2012-4-15 1PXJ-120413007 RG200945300 1.9 1.7 2.4 1.8 1.9 2012-4-15 1PXJ-120414008 RH200835400 3.0 6.5 2.3 4.5 2.4 小结： 从测试Run来看，重工后的批次显影后整批性、整面性undercut 恢复正常。 10 5.对上述2批次产品在NP黄光前流程上的不同处对比