MEMS课件 第八章工艺基础.ppt

MEMS工艺基础 清华大学 集成电路制造过程 晶体管的发明 1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组, W. Schokley，J. Bardeen、W. H. Brattain Bardeen提出了表面态理论， Schokley给出了实现放大器的基本设想，Brattain设计了实验 1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管 集成电路的发明 1952年5月，英国科学家G. W. A. Dummer第一次提出了集成电路的设想 1958年以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比(Clair Kilby)为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路，并于1959年公布了该结果 微电子发展史上的几个里程碑 1962年Wanlass、C. T. Sah——CMOS技术 现在集成电路产业中占95%以上 1967年Kahng、S. Sze ——非挥发存储器 1968年Dennard——单晶体管DRAM 1971年Intel公司微处理器——计算机的心脏 主要内容 概述 MEMS材料 基本半导体工艺 掺杂与退火 氧化、CVD 光刻 金属化：溅射与蒸发 腐蚀 净化与清洗 封装与装配 MEMS特殊工艺及基本结构制备 国内工艺条件介绍 一、概述 MEMS工艺的特点 硅为基本（衬底）材料 准平面加工 便于机电集成 便于批量生产 对设备和环境要求高（依靠设备和工具） MEMS发展的三个关键因素 产品设计和定位 材料制备 加工工艺和设备 二、MEMS材料 结构材料 基底材料：硅、砷化镓、其他半导体材料 薄膜材料：单晶硅、氮化硅、氧化硅 金属材料：金、铝、其他金属 功能材料 高分子材料：聚酰亚胺、PMMA 敏感材料：压阻、压电、热敏、光敏、其他 致动材料：压电、形状记忆合金、磁性材料等 衬底材料的要求 直径尽可能大 一致性好 均匀性 掺杂性 杂质 表面清洁 点缺陷 。。。。 低成本 硅的基本性能 导电性能 掺杂浓度越高，电阻率越低。10-3~1010?cm 加入不同杂质导致不同的导电类型。N型，P型 物理性能 硬度8.5?107g/cm2，熔点1420?C，E=190GPa，?=2.3g/cm3 化学性质 IV族，易与金属形成合金，易被碱性溶液腐蚀，主要以氧化物形式存在。 晶体性能 三种主要晶向：[100]、[110]、[111] 硅片的制备 原料：石英砂（SiO2） 在电弧炉中冶炼冶金级硅，纯度99% 用C或Al还原 含C、Fe、Al、Ti、B、P等杂质 化学提纯为半导体级多晶硅 三氯氢硅法和硅烷法 熔融拉片，形成单晶硅 制片：切片，磨片，抛光，清洗 硅片和成品片 三、基本半导体工艺 掺杂与退火 氧化、CVD 光刻 金属化：溅射与蒸发 腐蚀 净化与清洗 1. 掺杂与退火 掺杂 IC掺杂用于改变其物理性质，MEMS掺杂用于改变其化学性质 掺杂的主要形式：注入和扩散 退火 将掺杂层纵向推进 结构释放后消除残余应力 扩散（1） 定义：在一定温度下杂质原子具有一定能量，能够克服阻力进入半导体并在其中做缓慢的迁移运动。 形式：替代式扩散(B)和间隙式扩散(Au) 一维扩散方程（D与温度、杂质种类、气氛和衬底晶向有关）： 恒定表面浓度扩散和再分布扩散 替位式扩散：杂质离子占据硅原子的位： Ⅲ、Ⅴ族元素 一般要在很高的温度(950～1280℃)下进行 磷、硼、砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数，可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层 间隙式扩散：杂质离子位于晶格间隙： Na、K、Fe、Cu、Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大6～7个数量级 扩散（2）：扩散工艺主要参数 结深：pn结距扩散表面的深度 薄层电阻Rs（方块电阻） 表面浓度 次表面浓度。 扩散（3）方式 液态源扩散：利用保护气体携带杂质蒸汽进入反应室，在高温下分解并与硅表面发生反应，产生杂质原子，杂质原子向硅内部扩散。 固态源扩散：固态源在高温下汽化、活化后与硅表面反应，杂质分子进入硅表面并向内部扩散。 利用液态源进行扩散的装置示意图 液态源扩散硼B 扩散源：硼酸三甲酯，硼酸三丙酯等 扩散原理：硼酸三甲酯500?C分解后与硅反应，在硅片表面形成硼硅玻璃，硼原子继续向内部扩散，形成扩散层。 扩散系统：N2气源、纯化、扩散源、扩散炉 扩散工艺：预沉积，去BSG，再分布 工艺条件对扩散结果的影响 气体流量、杂质源、温度 液态源扩散磷P 扩散源：POCl3，PCl3，PBr3等 扩散原理：三氯氧磷600?C分解后与硅反应，在硅片表面形成磷硅玻璃，磷原子继续向内部扩散，形成扩散层。 扩散系统：O2和N2气源、纯化、扩散源、源冷却系统、扩散炉 扩散工艺：预沉积，去PSG，再分布 固态源扩散 箱法B扩散 B2O3或BN源，石英密封箱。不适应批量生产 片状BN扩散 氧气活化，