材料性能学10.ppt

chapter 10 山东大学材料学院李丽编写 第一节 导电性能 当在材料的两端施加电压V时,材料中有电流I流过,这种现象称为导电,电流I值可用欧姆定律表示,即 式中,ρ是比例系数,称为电阻率. 电阻率在数值上等于单位长度和电位面积上导电体的电阻值,可写为 在研究材料的导电性时,还常用电导率σ,电导率σ为电阻率的倒数,即 （1 ）金属及半导体的导电机理 ①经典电子理论 在金属晶体中,离子构成晶格点阵,并形成均匀的电场,价电子是完全自由的(自由电子) 电子的运动遵循经典力学气体分子的运动规律 无外加电场时,电子向各个方向运动的几率相同,对外不表现电流 有外加电场时,自由电子沿电场方向作加速运动,从而形成了电流 自由电子定向运动过程中,不断与正离子发生碰撞,使电子运动受阻,从而产生电阻. 设电子两次碰撞之间的平均距离(自由程)为l,电子平均运动速度为 ,单位体积内的自由电子数为n,则电导率为 金属的导电性取决于自由电子的数量、平均自由程和平均运动速度. 局限性: 自由电子数量越多导电性越好,事实是二、三价金属的价电子虽然比一价金属的多,但导电性反而比一价金属还差. 按照气体动力学的关系,ρ应该与温度T的平方根成正比,但实验结果ρ与T成正比. 不能解释超导现象的产生 ②量子自由电子理论 金属中正离子形成的电场是均匀的,价电子与离子间没有相互作用,且为整个金属所有,可以在整个金属中自由运动 金属中每个原子的内层电子基本保持着单个原子时的能量状态,而所有价电子却按量子化规律具有不同的能量状态,即具有不同的能级. 在一价金属中,自由电子的动能 外加电场对金属中自由电子的能量状态的影响 外电场使向着其正向运动的电子能量降低，反向运动的电子能量升高． 由于能量的变化,使部分能量较高的电子转向电场正向运动的能级,从而使正反向运动的电子数不等,使金属导电.也就是说,不是所有的自由电子都参与了导电,而是只有处于较高能态的自由电子参与导电. 此外,电磁波在传播过程中被离子点阵散射,相互干涉而形成电阻 实际金属内部存在的缺陷和杂质产生的静态点阵畸变和热振动引起的动态点阵畸变,对电磁波产生散射. 量子自由电子理论较好地解释了金属导电的本质,但它假定金属中的离子所产生的势场是均匀的,显然这与实际情况有一定差异. ③能带理论 如果允带内的能级未被填满,允带之间没有禁带或允带相互重叠,在外电场的作用下电子很容易从一个能级转到另一个能级上去而产生电流.有这种能带结构的材料就是导体. 若一个满带上面相邻的是一个较宽的禁带,由于满带中的电子没有活动的余地,即使禁带上面的能带完全是空的,在外电场的作用下电子也很难跳过禁带,电子不能趋于一个择优方向运动,即不能产生电流.有这种能带结构的材料是绝缘体. 半导体的能带结构与绝缘体相同,所不同的是它的禁带比较窄,电子跳过禁带不像绝缘体那么困难.如果存在外界作用(如热、光辐射等),则价带中的电子就有能量可能跃迁到导带中去,在价带中同时出现空穴.在外电场的作用下,电子和空穴会定向移动而产生电流. 空带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在的导电方式称为本征电导.本征电导的特点是参加导电的电子和空穴的浓度相等.具有本征电导特性的半导体称为本征半导体(完全纯净的、结构完整的半导体晶体). 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。称为杂质半导体. (2) 无机非金属的导电机理 无机非金属材料电导的载流子可以是电子、电子空穴,或离子、离子空穴. 载流子是电子或电子空穴的电导称为电子式电导,载流子是离子或离子空位的称为离子式电导. ①离子晶体的导电机理 离子晶体中能产生离子迁移,称为离子电导 第一类源于晶体点阵中基本离子的运动,称为离子固有电导或本征电导.这种离子自身随着热振动的加剧而离开晶格阵点,形成热缺陷.热缺陷的浓度随温度的升高而增大,因此本征电导率σs与温度的关系可用下式表示: 第二类离子电导是结合力比较弱的离子运动造成的,这些离子主要是杂质离子,因而称为杂质电导. 杂质离子载流子的浓度决定于杂质的数量和种类.因为杂质离子的存在,不仅增加电流载体数量,而且使点阵发生畸变,杂质离子离解活化能变小.在低温下,离子晶体的电导主要由杂质载流子浓度决定. 对于材料中存在的多种载流子的情况,材料的总电导率可以看成是各种电导率的总和. ②玻璃的导电机理 玻璃的电阻率和温度与组成有关,在通常情况下是绝缘体 玻璃与晶体的比较，玻璃具有： 结构疏松 组成中有碱金属离子 势垒不是单一的数值，有高有低 导电的粒子： 离子 电子 (3) 超导电性 1911年,荷兰物理学