第一章 半导体晶体结构(2012年版).ppt

半导体物理 晶列指数和晶面指数 晶列：在一个晶格结构中通过任意两个结点的连线。 晶列族：平行于某一晶列的所有晶列的组合。 1）晶列的标示方法 （2）用结晶学原胞基矢表示：从原点O到结点A的位矢为 2）晶面的标示方法 其中D为晶面离开原点的距离。所以有： （2）用结晶学原胞基矢为坐标轴表示： 1.2 晶体的结合 按原子结合力的性质分： 2. 晶体的结合 设两个原子间距为r，其相互作用能可表示为： 当 时为引力；当 时为斥力。平衡 时引力和斥力抵消，即： 对三维情况，设N为晶体的总质点数， 是第 i 个和第j 个质点的相互作用能，即第i个质点与所有其他质点的相互作用能为： 当晶体结合能U(r)已知时，便可以算出晶体的某些物理特性。 又P与V的关系为： （3）抗张强度－晶体所能负荷的最大张力 1.3 晶体中的热缺陷及位错 1. 热缺陷：当温度T不等于0K时，晶体中格点上原子发生热振动有几率离开格点位置而成为间隙原子和空位，即缺陷。热缺陷为点缺陷，包括： 2. 位错 位错有以下两种基本形式： （2）螺型位错 3. 通常半导体的晶格结构及缺陷 （1）硅、锗的金刚石型结构 硅(锗)原子的最外层四个价电子与最邻近的其它4个硅(锗)原子的一个价电子形成共价键而结合成晶体。 其结晶学原胞为面心立方(复式格子)，原子排列呈正四面体结构。 Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体闪锌矿型晶体结构 1.4 合金 1.合金的分类 2. 合金相图 （1）溶解度无限固溶体的相图---组成无限固溶体的金属A和金属B，在液态和固态及任意组分下，彼此均可无限制地互相溶解而不形成化合物。 （2）溶解度有限固溶体的相图－这种固溶体在液态下可以互溶，在固态下只能有限溶解（即只当溶质原子的浓度或组分比较少时才可以溶解），但不生成化合物。 （3）具有中间化合物的二元系相图 2）在液态下互溶，在固态下彼此不相溶解 但形成不稳定的化合物（即未到溶点时可以分解为固相和液相）。 d）（111）面的堆积 e）晶胞在(100)面上的投影 图1-18 硅、锗晶体中的空位 （2）硅、锗晶体的缺陷 图1-19 硅、锗晶体中的位错 图1-18形成热缺陷(空位)， 图1-19形成600棱位错(位错线在(111)晶面的 方向， 滑动方向为 ，其夹角为600 a）晶胞 b）（111）面的堆积在{100}上的投影 图1-21 砷化镓点缺陷示意图 （1）机械混合物－组成合金的各元素在液态下互溶后，再固态下彼此不发生任何作用(晶粒共混)。 （3）金属间化合物－组成合金的金属之间构 成的化合物，其组分有确定值。 （2）固溶物－以一种元素的晶格为基础，合金元素溶入此晶格中并占领格点位置或间隙位置的固态溶体。 合金是指熔合两种以上的元素(以金属元素为主)而得到的具有金属性质的物质。在微电子领域用于制作p-n结（合金结），器件电极（欧姆接触）等。 液相点－刚开始出现结晶时的温度点。 固相点－其结晶终止时的温度点。 液相线－液相点随组分变化的轨迹。 固相线－固相点随组分变化的轨迹。 相图(相平衡图)－合金的凝固点和溶解点会因其中组分的不同而不同，描写合金“相”变或结晶过程时合金状态随温度和组分变化关系的图解。 形成方法：升温溶解成液态，再冷却结晶。 图1-22 溶解度无限固溶体的相图 晶面：在一个晶格结构中通过任意不在同一晶轴上的 三个结点构成的平面 晶面族：平行于某一晶面的所有晶面的组合 图1-6 晶列和晶列族 （1）用固体物理学原胞基矢表示：以某一结点为原点(o)，另一结点(A)的位矢可表示为 图1－7 晶列OA的位矢 式中： ， ， 为固体物理学原胞基矢坐标单位矢量； ， ， 为简约互质整数。 所以，表示晶列OA取向的晶列指数可标示为 式中： a ，b ，c 为结晶学原胞三个坐标轴基矢； ， ， 为有理数，可化为三个互质 整数m，n，p，并使 这样，表示晶列OA取向的晶列指数可标示为 图1-6表示了不同晶列族的晶列指数。 设 ， 和 为某一晶面的截距，如图1－8 所示。n是晶面法线方向的单位矢量 ， ， ，为晶面法线的方向余弦。 则有： （1）用固体物理学原胞基矢为坐标轴表示： 图1－8 晶面在