PD原理，特性测试及应用.pptVIP

宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来 宁波环球广电科技有限公司 题目:PD的原理、特性测试及应用 光电探测器 　半导体光电探测器有两种类型：光电导型和光电二极管型。两者的差别是，对给定的偏置点，光电导型探测器的电阻随光通量的大小变化而变化，而光电二极管总是工作在反偏置工作状态下，其微分电阻不随光通量变化而变化。这两种器件都有非常快的响应速度，各有各的用途。对于光纤通信来说，所用的光电探测器是光电二极管。这类探测器主要是利用半导体的结区（PN结或金属- 光电探测器 半导体结）的光电压、光电导、电吸收和雪崩物理效应，无论哪种效应均由射入探测区的导波光束引起电子从价带到导带的爱激跃迁，产生光生载流子（电子和空穴），并由PN结或肖特基势垒将这些光生载流子收集起来，最后表现为光电压或光电流，由于爱激吸收跃迁的速率与入射光的强度成正比，所以每单位时间内产生的光生载流子数目与入射光波的强度成正比。于是，通过测量光电 光电探测器 压与光电流就可以探测到光波强度所携带的信号。 　　为了产生光生载流子，入射光子的能量必须大于探测区的禁带宽度。因此，对于一给定的探测区材料就有一个能探测的最低频率与最高波长，而对于波长大于这个极限波长的光波就不能探测到。而且探测器的量子效率随入射光的波长而变化。这种特性称为光谱响应。为了使给定探测材料能够吸收比 光电探测器 其禁带宽度还要小的光子并由此改善光谱响应，必须改变探测器材料的禁带宽度。改变半导体材料的能级和禁带宽度的方法有掺杂、离子注入和施加电场等手段。例如，在GaAs材料上施加电场改变禁带宽度，或者在GaAs材料中进行离子注入，在带隙内造成一个陷阱。 　　制作光电二极管的材料很多，如Si，Ge， GaAs，InGaAs，GaAsP，InGaAsP等　 光电探测器 按其光电二极管的“结”，可将其分类为PN结、PIN结、肖特基势垒结、异质结和雪崩光电二极管等。按对光波波长的响应来分类，可将光电二极管分成红外型、紫外型、视敏型等。 　　Si材料制成的光电二极管的典型峰值响应波长为0.94μm,它以成熟的Si平面工艺为基础，灵活性极大，因此品种繁多，其中P-I-N型和雪崩型光电二极管（APD）的响应时 光电探测器 间短，适合高速场合运用（FTTH），而普通的Analog PD一般用于CATV中。 。 　　Ge材料也是广为使用的光电二极管材料，由于它的带隙宽度比Si小，故在长波长区域有更高的灵敏度，但暗电流大、噪声较高。InGaAs光电二极管的工作波长与Ge光电二极管相同，都在1~1.7 μm波长范围内，暗电流比Ge光电二极管低1~2个数量级。 PD原理 　PD（Photo Diode）是一种将光转换成电的器件。为了说明PD的光电转换过程，首先要说明一下半导体材料的一些基本知道和能带结构。 　 一、半导体的基本知识 　1. 固体的导电性： 　 物体导电是物体内电子在外电场作用下定向运动的结果。 　2. 导体、半导体、绝缘体的能带　 　 由于电场力对电子的作用，使电子的运动速度和能量发生变化。 　 从能带论来看，电子能量变化就是电子从一个能级跃迁到另一个能级上。 价带：能级已被电子所占满，一般外电场作用时，其电子不形成电流，对导电没有贡献，亦称满带。 PD原理 导带：能带被电子部分占满，在外电场作用下，电子从外电场吸收能量跃迁到未被电子占据的能级上去，形成电流，起导电作用。 禁带：满带和导带之间的禁区称为禁带，其宽度也称为能隙，记做Eg。 导体、半导体和绝缘体之间的差别在于禁带宽度不同： 导体不存在禁带，价带和导电交织在一起； 半导体禁带较窄，Eg=0.1-2.2eV 绝缘体禁带较宽，Eg=2-10eV 由于能带取决于原子间距，所以Eg与温度和压力有关。一般禁带宽度大的材料，耐高温性能和耐辐照性能好。 PD原理 PD原理 二、半导体材料的能带结构： 　　半导体材料是一种单晶体（如单晶硅），各原子最外层的轨道互相重叠，电子不在属于某个原子，而是在整个晶体内做“共有化运动”，这就导致半导体能级不再是分立能级，而变成能带，如图二所示。 　　　在低温下，晶体的电子都被原子紧紧束缚着，不能参与导电，价带以上的能带基本上空的。当价带中的电子受到热或光的激发，获得足够的能量，即可跃迁到上面的导带。 　　　　　图二：半导体能带图 PD原理 　电子，并分别积累正电荷和负电荷。在没有反向和负载电阻时，P区和N区两端出现一个电动势，称为光电压。利用光电压效应的光电二极管叫做光电压探器，如图三（a）所示。当施加反向偏压和加上负载电阻时，光生载流子自由地参加导电，使半导体材料的内阻减少，因而流过器件的电流增加，在外电路中产生光电流。利用这样的光电导效应工作的光电二