电工学－第5章半导体器件.pptVIP

N型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 PMOS管结构示意图 P沟道 PMOS管与NMOS管 互为对偶关系，使用 时UGS 、UDS的极性 也与NMOS管相反。 P+ P+ UGS UDS ID 2.增强型PMOS管 3. 耗尽型绝缘栅场效应管 夹断电压UGS(off)为正值， UGS UGS(off)时导通。 导电沟道在管子制成后就已存在，在漏源极加正向电压，就会有漏极电流ID，对于耗尽型NMOS管： 当UGS0时，导电沟道变宽； UGS 0时导电沟道变窄。为了使UGS能从ID=0开始控制 ID的大小， 应使UGS 0，使ID=0的UGS称为夹断电压UGS(off)。 UGS UGS(off)时管子导通，夹断电压UGS(off)为负值。 对于耗尽型PMOS管： 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 5.5.3 场效应管的特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA （1）可变电阻区：UGS不变，ID与UDS成正比，漏源之间相当于一个受UGS电压控制的可变电阻。 夹断区 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA （2）饱和区（放大区）：UDS大于一定值， ID几乎不随UDS变化， ID 受UGS的控制。相当于电压控制电流源。 夹断区 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA （3）击穿区：UDS过大，ID急剧增加。 夹断区 （4）夹断区： UGS UGS(th) ，场效应管截止，ID=0 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 转移特性： 栅极对漏极电流的控制作用，场效应管是电压控制器件。 夹断区 5.5.4 场效应管的微变等效电路 SiO2 P型硅衬底 源极S 栅极G 漏极D 衬底引线B N+ N+ D B S G 符号 绝缘栅型场效应管的栅源之间为一层绝缘物质，即使在栅源之间加入电压，栅源之间也没有电流，管子的输入电阻很高，认为栅源之间开路。 5.5.4 场效应管的微变等效电路 D B S G 符号 场效应管工作在饱和区，表现出恒流特性，漏极电流的变化量?ID与栅、源极间的电压变化量?UGS成比例变化，即 场效应管小信号的微变等效电路 gm ugs id ugs + ? + ? uds D G S 输出回路可等效为电压控制的受控电流源。场效应管小信号的微变等效电路如图所示 在UDS =0时，栅源电压与栅极电流的比值，其值很高。 5.5.5 绝缘栅场效应管的主要参数 1. 开启电压UGS(th) 指在一定的UDS下，开始出现漏极电流所需的栅源电 压。它是增强型MOS管的参数，NMOS为正，PMOS为负。 2. 夹断电压 UGS(off) 指在一定的UDS下，使漏极电流近似等于零时所需的 栅源电压。是耗尽型MOS管的参数，NMOS管是负值， PMOS管是正值。 3. 直流输入电阻 RGS（DC） 4. 低频跨导 gm UDS为常数时，漏极电流的微变量与引起这个变化的 栅源电压的微变量之比称为跨导,即 另外，漏源极间的击穿电压U(BR)DS、栅源极间的击 穿电压U(BR)GS以及漏极最大耗散功率PDM是管子的极限 参数，使用时不可超过。 gm=?ID / ?UGS? UGS =常数 跨导是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个重要参数。