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气相沉积方法制备掺杂TiO2薄膜的研究进展 摘要：TiO2薄膜在利用光能和环保等领域具有重要应用前景，但由于TiO2本身结构原因，使其应用受到限制。通过元素掺杂，可以改善TiO2薄膜的光学及光催化性能。本文介绍了近几年国内外研究者利用气相沉积方法制备非金属元素掺杂、金属元素掺杂及稀土元素掺杂TiO2薄膜的研究进展。 关键词：气相沉积方法；TiO2薄膜；掺杂 Abstract: TiO2 thin film is a promising photocatalyst for light energy utilization and environment. The application of TiO2 is limited due to its own structure. By doping different species of elements, the optical characterization and photocatalytic activity of TiO2 thin film will be improved. This paper reviews the development of non-metal doping, metal doping and lanthanon doping TiO2 thin films, which are prepared by Vapor Deposition by reachers at home and abroad. Keywords: Vapor Deposition; TiO2 thin film; doping 1 引言 自1972年日本的Fujishima等报道了用TiO2作为光催化剂分解水制备气以来，TiO2的应用得到了广泛的关注。TiO2是一种宽带隙半导体材料，具有优良的光催化活性，在众多领域如光催化、光电转换、传感器、磁性材料、环保、抗反射涂层、多层光学涂层和光波导等领域都具有广阔的应用前景[1]。 TiO2作为光催化剂的主要特征是其可以在常温和常压下对水和空气中的污染物进行降解，而且还具有相对高的催化活性和化学稳定性，且无毒无害，因此成为当前应用最有潜力的一种光催化剂。但是TiO2粉体在应用上存在反应后难回收、反应活性低等缺点，尤其是应用于水体中的光催化剂，粒子尺寸小，不易与水体分离，为了克服这种缺陷，产生了制备TiO2薄膜的方法。另一方面，TiO2是一种宽禁带半导体，其光催化特性仅限于紫外波段，因而TiO2 直接利用太阳光进行光催化的效率较低，另外TiO2的载流子复合率较高，限制了其光催化活性[2]。为了提高TiO2的光催化活性，人们不断地对TiO2进行改性研究，其中元素掺杂改性就是比较有效的一类方法。 2 气相沉积方法 气相沉积技术是制备薄膜的常用技术，它是将成膜物质汽化后通过输运在基体上沉积为固相薄膜。气相沉积的特点是成膜物质具有广泛性，即不论成膜物质是固体、液体或是气体，都可被用来进行气相沉积反应[3]。本文中后续掺杂所用到的气相沉积方法包括，电子束蒸镀法、磁控溅射法以及脉冲激光沉积。 2.1 电子束蒸镀法 电子束蒸镀法是在真空条件下，以电子束作为蒸发源，加热待蒸发物质并使其汽化，向基底输运，最后在基底上冷凝形成固态薄膜的镀膜技术，具有能量密度高、制膜纯度高、热效率高等优点。 杨陈[4]等采用离子束辅助反应电子束真空蒸镀法，以Ti为膜料，纯度为99.99%的O2为反应气体，通过电子束蒸发，在玻璃衬底上反应生成非晶态TiO2薄膜。随着沉积时衬底温度的升高，TiO2薄膜空隙率减少、表面致密平整。沉积态TiO2薄膜经过450℃真空热处理1h后，转变为锐钛矿多晶结构，并沿(101)择优取向。对薄膜的测试结果表明，与传统的电子束蒸发相比，离子束辅助电子束蒸发可以增加成膜原子的能量，使沉积的薄膜结构致密，所制备的薄膜具有较高的折射率，并且薄膜在可见光范围内具有良好的透过性能。 2.2 磁控溅射法 溅射是指荷能粒子（电子、粒子、中性粒子）轰击固体表面，使固体原子（或分子）从表面射出的现象。磁控溅射法是在正交电磁场中，利用高能正离子轰击靶材，使靶材粒子逸出，并沉积到基底上的镀膜技术，具有沉积速率高、基底温度低、表面光滑度好、沉积层密度高等优点。 Fanming Meng[5]等利用射频磁控溅射法在单晶硅和玻璃基底上沉积TiO2薄膜，并通过甲基橙降解实验来检验薄膜的光催化性能。实验结果表明所制得TiO2薄膜是多晶结构，禁带宽度为3.02eV，可吸收利用可见光。用所制得TiO2薄膜重复催化降解浓度为5ppm的甲基橙溶液六次，降解率分别为36.566%、33.112%、32.824%、32.248%、30.521%和28.794%，降解率的降低可能是