拓扑绝缘体及其性质的研究-凝聚态物理专业论文.docx

摘要摘要拓扑绝缘体作为一种新的物态，在凝聚态物理，材料科学等方向引起了人们的广泛关注。与普 通绝缘体截然不同之处是，拓扑绝缘体拥有拓扑保护且无能隙的边界或表面态，这些边界或表面态 不受非磁性杂质和微扰的影响。拓扑绝缘体的拓扑性由忍不变量来描述。近几年的研究表明拓扑绝 缘体会表现出一些奇异的现象，并被认为在自旋电子学以及量子计算机等方向具有很多潜在的应用。 本文通过拓扑能带理论，并结合核多项式方法、第一性原理计算，研究了二维、三维拓扑绝缘体的 拓扑性质。具体的研究内容和结果包括：1．利用紧束缚近似方法，我们首次指出船一graphyne晶格可以支持拓扑相的存在。通过计算历拓 扑不变量以及边界态来确定拓扑绝缘体。同时，我们给出了不同填充因子下(1一graphyne的相图， 该相图是自旋轨道耦合相互作用和最近邻耦合作用的函数。我们发现对于不同的填充因子仅存在两 种拓扑相：普通能带绝缘体和拓扑绝缘体，而没有金属相的存在。随后我们分析和讨论了 n—graphyne各种拓扑相边界态的特征。2．目前对于石墨烯中安德森无序引起的局域化是否满足单参量标度理论的问题一直争论不休， 因而研究无序对同样具有狄拉克结构的graphyne族晶格局域化的影响将是十分有意义的。我q]f,J用 紧束缚方法以及变系数核多项式方法，分析了安德森无序对声一graphyne薄片局域化性质的影响。为了区分局域态和扩展态，我们比较了局域态密度的两个特征量：标准态密度A。以及平均态密度P。。。 我们发现不同于石墨烯薄片，参一graph3rlte态密度的一个鲜明特征是具有很多范霍夫奇点。另外， 随着无序强度的增加，从能谱的两侧边界开始，风。逐渐被抑制并在无序强度，y12t时消失，这意 味着存在临界无序强度，对于整个能谱是局域化的。同时仅用一个有限尺寸的系统来研究局域化性 质是不充分的，需要考虑归一化的标准态密度。通过计算归一化标准态密度，可以得到临界无序强 度。发现临界无序强度随着∥一graphyne薄片尺寸的增加而减少，当系统无限大时临界无序强度趋 近于0。随后我们给出了归一化的标准态密度在能量．无序平面的等高线，从等高线图中可以得到迁 移率边界以及里夫希茨边界。最后，为了直观的理解扩展态和局域态的内部结构，我们给出了能带 中心(E—O)处的局域态密度。当无序强度增加到々=12t，团簇被限制为很多独立的岛，这预示着 这些状态已经完全局域化，相应的系统由金属转变为绝缘体，即发生了安德森转变。3．利用紧束缚模型我们证明了考虑Rashba自旋轨道耦合作用时正方．八边形晶格也会支持拓扑 绝缘体的存在。我们利用整数场方法计算邑拓扑不变量并给出了不同本征自旋轨道耦合强度和填充 因子下的相图。我们发现即使不考虑本征自旋轨道耦合作用，在1／4和3／4填充因子下也会有拓扑 绝缘体的存在。而当本征自旋轨道耦合强度合适时(爻so=O．4￡)，不管Rashba自旋轨道耦合作用以 及在位势能的强度多么小，在l／4和314填充因子下都会出现拓扑绝缘体。同时当填充因子为1／2时， 只要0AR，A。1，也会出现拓扑绝缘体。我们分析和讨论了正方．八边形品格的边界态性质。并 且通过计算态密度分布以及自旋算符在边界态下的平均值以了解边界态的模式。4．通过将二维正方．八边形晶格进行三维推广，可以得到超立方烷型晶格。通过紧束缚方法以及 拓扑能带理论，我们研究超立方烷型晶格在考虑自旋轨道耦合作用时拓扑性质的变化。通过计算互≈ 拓扑数，我们发现超立方烷型晶格能支持强拓扑绝缘体的存在，同时给出了不同填充因子下的相图。万方数据摘要我们发现忍拓扑数为0；ooo)以及(1；1 11)的强拓扑绝缘体能在l／8填充因子下实现，而在1／8，l／4和1／2 填充因子下可得到半金属，在半金属中导带汉在布里渊区中的几个孤立点和价带接触。随后我们分 析和讨论了这些拓扑绝缘体以及表面态的特征。而作为拓扑相的一个重要特征，我们也求解了1ll表 面的自旋极化，并且发现自旋极化只位于费米面的平面内，没有分量垂直于平面。同时，对于上狄 拉克锥和下狄拉克锥，表面态有相反的赝自旋螺旋性。特别的，下狄拉克锥会随着化学势接近价带 的顶端而发生自旋极化的畸变。5．基于第一性原理计算，我们研究Yxs(x—C，Si，Ge，Sn，Pb)晶格结构以及在静压应变下的拓 扑性质。在这些晶格中除了Pb8大部分是动力学稳定的，具有负的结合能且声子谱中没有虚频。由 于x8(x：C。Si，Ge．Sn)仅包含轻元素，其自旋轨道祸合强度非常的弱，导致自旋轨道耦合作用对 X定fX=c，si，Ge、Sn)能带结构的影响很小，不会产生拓扑非平庸态。但是除了自旋轨道作用之外，广泛存在于材料表面和界面的应变对半导体或半金属电子性质也有着非常重要的影响，因而我们讨 论了静压应变的影响。我们发现对于