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半导体三极管的型号 双极型三极管的参数 4.2 基本放大电路 4.2.1共发射极放大电路的组成(NPN) 共发射极放大电路的组成 二、 动态 放大电路的动态图解分析 放大电路的动态图解分析 放大电路的最大不失真输出幅度 图解法的总结： 1 vi=0时，BJT的各个量是直流量，静态工作点Q。 2 vi≠0时，iB,iC,vBE,vCE是交直流混合量。 3 vo比vi大，相位相反。 4 求Q点用直流负载线，Q点与RL无关。 5 动态分析时，用交流负载线， RL开路时，交流负载线与直流负载线同线。 接RL时，交流负载线与直流负载线不同。 6 Q点选择原则：交流负载线中央靠下。 非线性失真 输出功率和功率三角形 第二次完 * * * * 4.1.5 温度对BJT参数及特性的影响 (1) 温度对ICBO, ICEO的影响 温度每升高，ICBO增加。 2. 温度对BJT特性曲线的影响 1. 温度对BJT参数的影响 温度升高,输入特性曲线左移 温度升高,输出特性曲线上移 500 iB(?A) vBE 20 40 60 80 0.4 0.8 250 Q1 Q2 (3)温度每升高 1?C，? 增加0.5%~1.0%。 (2)、对VBE的影响，温度每升高 1?C， VBE减小 2 . 2mV，即具有负温度系数。 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 O 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 同种器件型号的序号 同一型号中的不同规格 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 材料 结构 器件的种类 三极管 参 数 型 号 P CM mW I CM mA BV CBO V BV CEO V BR EBO V I C BO μ A f T MHz 3AX31D 125 125 20 12 ≤ 6 *≥ 8 3BX31C 125 125 40 24 ≤ 6 *≥ 8 3CG101C 100 30 45 0.1 100 3DG123C 500 50 40 30 0.35 3DD101D 5A 5A 300 250 4 ≤ 2mA 3DK100B 100 30 25 15 ≤ 0.1 300 3DKG23 250W 30A 400 325 8 注：*为 f? 共发射极、共集电极、共基极 三种基本放大电路。 耦合电容Cb1 、Cb2 偏置电路VCC、 Rb、 RC 负载电阻RL VCC Cb1 Cb2 Rb、RC 接地符号 +VCC RS vs Rb RC Cb1 Cb2 T + + + – RL vi + – vo + – + + – vBE vCE – iC iB iE VCC C1、C2 ; Rb RC 接地符号 -VCC RS vs Rb RC C1 C2 T + + + – RL vi + – vo + – + + – vBE vCE – iC iB iE VCC RS vs Rb VBB RC C1 C2 T + + + – RL – vi + – vo + + + vBE vCE iC iB iE – – NPN +VCC RS vs Rb RC C1 C2 T + + + – RL vi + – vo + – EC RS vs Rb EB RC C1 C2 T + + + – RL – vi + – vo + EC RS vs Rb VB RC C1 C2 T + + + – RL – vi + – vo + + + vBE vCE iC iB iE +VCC RS vs Rb RC C1 C2 T + + + – RL vi + – vo + – + + – vBE vCE – iC iB iE PNP 1、静态: 时，放大电路的工作状态， 也称直流工作状态。 动态: 时，放大电路的工作状 态，也称交流工作状态。 2、静态工作点Q（ IB、IC、VCE ） 3、直流通路 一、 静态 4、计算Q +VCC Rb RC T + + – VBE VCE – IC IB IE 4.2.2 工作原理 例