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主板场效应管基本知识 场管是业内的一种简称，它的全名叫场效应管，场效应管是一种电压控制的半导体器件。它与普通电流控制的晶体管比较，具有输入电阻高、噪声低等特点，在电子电路中被广泛采用。 ????? 一、场效应管的工作原理 ????? 场效应管从结构上分，主要有结型场效应管和绝缘栅场效应管两种。 ????? 1、 结型场效应管 ????? ●在介绍晶体二极管和晶体三级管时讲到了PN结的特性。PN结外加反向电压时。空间电荷已变薄，处于截止状态；反向电压增大，空间电荷区随之增厚。 ????? ●结型场效应管的基本结构，是在一块N型硅半导体材料上制造两个P区域形成PN结，并且使两个PN结均处于反向偏置。改变反向电压，可以控制两个空间电荷区（又叫耗尽区）的厚薄。两个空间电荷区好象两大门；场效应管正是通过“大门”的开合大小（图表3-20) 来控制流过管子的工作电流的。电子流通（N型半导体多数载流子从源极向漏极的漂移）的“路径”，我们叫它导电沟道。沟道可以是N型沟道，也可以是P型沟道。 ????? ●结型场效应管的电极也有三个。N型硅半导体两端各引出一个电极，分别叫漏极（D）和源极（S）。N型硅两侧的P型区的引线连接在一起成为栅极（G）。如果和普通晶体管相比，漏极相当于集电极源极相当于射极，栅极相当于基极。图3-21示出了N型沟道结型场效应管的结构和电路符号。 ????? ●从图3-21可以看到，栅极之间的PN结都是反向偏置。两个PN结的空间电荷区的厚薄，随栅负压大小而变化。显然，当漏极电压ED和电阻RD一定时，负栅压越大，两个耗尽区越厚，导电沟道越窄，漏极电流ID也就越小。ID随栅压的变化而变化。这好象电流控制的普通晶体管中集电极电流随基极电流的变化而变化一样。????? ●当我们在漏极接上足够的电阻RD时，栅极电压控制的漏极电流将在RD两端产生一个很大的电压降。这说明场效应管具有放大作用。例如：假定在图3-22所示 的场效应管组成的放大器中（图表-22）输入电压UGS从0变化到-1伏，漏极电流由5毫安降到两毫安（栅负压增大，导电沟道变窄），变化了3毫安。当漏极电阻为5千欧时，则RD两端电压为0.003×5000=15伏。输入??压的变化量放大了15倍。 ●●●结型场效应管主要参数有： （1） 饱和漏源电流IDss-----当栅极和源极短路，栅压等于零时的漏源电流。（2） 夹断电压UP----指漏源电压一定时，使漏源电流等于零（或极小）时的栅偏压值。夹断的意思是栅负压增大到一定值时，两PN结阻挡层变得很厚，以致导电沟道闭合，关断了电流通路。（3） 直流输入 电阻RGS----是栅源极间的直流电阻。因为场效应管栅源两端工作在PN结的反向偏置情况下，而PN结的反向电阻是很高的，所以RGS可以高达100兆欧以上。这一特点是普通晶体管无法相比的。输入电阻高，使场效应管几乎不从信号源索取电流，对信号前级的影响极小，保证了良好的放大性能。（4） 跨导Gm-----这是表示场效应管放大能力的重要参数。当漏源电压一定时，漏源电流变化量和相应栅压变化量的比值叫跨导。单位是欧姆（Ω）。跨导越大，表示放大能力越好。●场效应管和普通晶体三极管一样，也有它的极限运用参数。如最大漏源电压BVGS最大栅源电压BVGS、最大漏源电流IDsm 、最大耗散功率等。●结型场效应管的型号用GEFI表示。常用的有3DJ6、3DJ7等。2、 绝缘栅场效应管●绝缘栅场效应管又叫作MOS场效应管，意为金属-----氧化物-----半导体场效应管。●结型场效应管的输入电阻虽然高，但当温度升高时，其输入电阻显著下降，在要求很高的电路中还不够理想。 ●结型场效应管和绝缘栅场效应管的不同是它们栅极结构。图表3-23（a）示出MOS场效应管的结构，电路符号示于图表3-23（b) ●图中的N型硅衬底是杂质浓度低的N型硅薄片。在它上面再制作两个相距很近的P区，分别引为漏极和源极，而由金属铝构成的栅极则是通过二氧化硅绝缘层与N型衬底及P型区隔离。这也是绝缘栅MOS场效应管名称的由来。 ●因为栅极与其它电极隔离，所以栅极是利用感应电荷的多小来改变导电沟道去控制漏源电流的。MOS的场效应管的导电沟道由半导体表面场效应形成。我们用图表3-24来详细说明 栅极加有负电压，而N型衬底加有正电压。由于铝栅极和N型衬底间电场的作用，使绝缘层下面的N型衬底表面的电子被排斥，而带正电的空穴被吸引到表面上来。于是在N型衬底的表面薄层形成空穴型号的P型层，称为反型层，它把漏源两极的P区连接起来，构成漏源间的导电沟道。沟道的宽窄由电场强弱控制。MOS场效应管的栅极与源极绝缘，基本不存在栅极电流，输入电阻非常高。●和普通晶体管分为PNP型和NPN型类似，场效应管也有P型和N型之分。这里的P型或N型，