试验一晶闸管伏安特性测试-西安理工大学.DOC

半导体专业实验指导书 编写：王冬芳 张如亮 刘艳涛 审稿：李福德 西安理工大学 自动化与信息工程学院 电子工程系实验中心 使用说明 本书供微电子学专业和电子科学与技术专业高年级同学使用。本书在以前专业实验侧重于大功率半导体器件的基础上，进行了修正，增加了传感器测试实验和集成电路测试实验。这样内容从小功率器件测试到大功率器件的测试，从模拟集成运算放大器参数测试到数字集成电路功能和参数测试，非常丰富，因此，希望同学们在实验前能做好预习工作，能结合所学课程的内容，认真阅读教材，了解实验目的，熟悉实验原理，搞懂实验方法，完成课后的有关预习思考题。 限于水平和经验，同时时间又比较仓促，这本教材的编审出版工作还会有缺点和不足之处，希望同学们能够提出批评建议，指出不足，以备改进。 王冬芳 2005年11月 目 录 实验一、晶闸管伏安及触发特性的测量1 I 晶闸管伏安特性测试1 II 晶闸管门极特性测试5 III晶闸管维持电流测试7 实验二、晶闸管通态峰值压降的测量10 实验三、双极晶体管直流参数的测量14 实验四、MOSFET交直流参数的测试21 实验五、晶体管Cc、rbb’乘积的测量26 实验六、晶体管开关参数的测量29 实验七、晶体管特征频率测量36 实验八、晶体管稳态热阻的测量42 实验九、半导体传感器的使用与参数测量48 I 光电池特性测试48 II 光电池应用——光强计50 III 光纤位移传感器原理51 IV 光纤传感器——位移测试52 V 光纤传感器转速与振动测试53 VI 电荷耦合图像传感器——CCD摄像法测径实验54 选做一 超声波距离测量实验55 选做二 半导体应变计性能56 实验十、数字MOSIC功能和参数测试57 实验十一、双极型运算放大器参数的测试66 实验十二、晶体管直流反向特性参数的精密测量75 实验一、晶闸管伏安及触发特性的测量 I 晶闸管伏安特性测试 实验目的： 了解晶闸管测试条件。 了解V—I特性测试原理，并学会使用V1—1伏安特性测试仪，掌握测试电路原理。 观察晶闸管伏安特性曲线，根据器件原理对特性曲线上出现的问题进行理论分析。 预习要求： 教材中有关伏安特性测试部分的内容。 “功率器件原理”教材中晶闸管的正，反向阻断特性部分。 单结晶体管及场效应晶体管的工作原理。 晶闸管软，硬伏安特性的测试原理。 测试原理及电路要求： 测试条件： 结温型式试验室温和额定结温，出厂试验为额定结温Tjm。 门极电路断路（门极电流为零）：或门极至阴极间的电阻，或门极电源，电压和电源内阻应予规定说明。 电源频率—单次脉冲或附加结温升可忽略的低重复频率（我国目前大都采用50Hz）。 电压波形—为脉宽近似10ms的正弦半波。 VDRM，VRRM分别为VDSM，VRSM的90%。 IDRM，IRRM分别为对应VDRM，VRRM的漏电流，表头读取的为平均值，示波器读取的为峰值。 测试原理电路： 测量VDSM的原理图如图1—1所示，或采用图1—2电路。若图中被测元件阴阳极调换，可测量VRSM的参数。 图1—1中： G—可调交流电源。 R1，R2—保护电阻，R2有要求时应予规定。 D1—整流二极管。 S1，S2—在断态半周期间对被测元件加电压（近似180o电角度）的电气机械开关，或电子开关。 —峰值电压表。 直流电源E，电流表和限流电阻R3用于检验被测元件是否转折和处于导通。E和可用仪器（如示波器）代替。 图1—2中： S1—施加断态电压的开关（晶闸管）。 B1—和交流电源同步的门极触发电路。 B2—门极电阻或门极偏置条件。 R1—保护电阻。 R2—校正电压零位电阻，在校零时接通S2。 R3 —电流取样电阻（无感电阻）。 CRO—示波器。 测试步骤：以图1—2为例。 正向参数测试：如图1—2。 规定B2 条件—门极开路（门极零电流）。 G输出为0，S2闭合，调整示波器零点，调好后，S2断开。 调节G，使输出电压缓慢升高，监视示波器CRO，当急剧弯曲时，停止G的调节。由示波器读出VDSM（正向不重复峰值电压）和IDS（对应VDSM的峰值漏电流）。读取后，G调回零位（无输出电压）。 调节G，使电压达到VDSM的90%处（即VDRM—正向重复峰值电压），由示波器读出IDR（对应VDRM=90%VDSM的峰值漏电流）。 测反向参数时，只需将被测元件阴阳极调换一下， 其它步骤同上。 四．实验操作步骤： 1．按接线图1-4接好电路。 2．开机前各开关位置，Y轴X轴校测