第八章气、湿敏传感器第一节半导体气敏传感器.pptVIP

第八章　气、湿敏传感器 §8-1 半导体气敏传感器 §8-2 湿敏传感器 §8-3 气、湿敏传感器的应用 第八章　气、湿敏传感器概述 【换能原理】电阻变化 第八章　气、湿敏传感器概述 【工作原理】（1）氧化和还原反应——敏感元件阻值变化 （2）离子导电能力与浓度成反比　　　　　　　　或电容值随湿度而变化或重　　　　　　　　量随湿度变化。 【种类】半导体材料器件、MOS（金属—氧化　　　　　　物—半导体）。 【用途】可燃气体、有害气体、湿度等测量。 【特点】结构复杂，可靠性较差，响应速度慢， 　　　　精度较低。 第八章　气、湿敏传感器 §8-1 半导体气敏传感器 §8-2 湿敏传感器 §8-3 气、湿敏传感器的应用 §8-1 半导体气敏传感器 气敏传感器——测量气体类别、浓度和组分的传感器。 §8-1 半导体气敏传感器 目前应用最多的是SnO2(氧化锡)半导体气敏元件。 ? 主要物理特性 类型 气敏元件 检测气体 电阻型 电阻 表 面 控制型 SnO2（氧化锡）、ZnO等的烧结体 薄膜、厚膜 可燃性气体 体控制型 Lai-xSrCoO3 r-Fe2O3，氧化钛（烧结体） 氧化镁，SrO2，SnO2 酒精 可燃性气体 氧气 非电阴型 二极管整流特性 表面控制型 ? 铂—硫化镉、铂—氧化钛 金属半导体结型二极管 氢气、一氧化碳、酒精 晶体管特性 铂栅、钯栅MOS场效应管 氢气、硫化氢 §8-1 半导体气敏传感器一、半导体气敏材料的导电机理 ——利用气体在半导体表面的氧化和还原反应而 导致其阻值变化的原理而制成。 导电机理： （1）当氧化型气体O2、Nox吸附到N型半导体上； 或 还原型气体H2、Co、酒精吸附到P型半导体上。 半导体载流子减少,使电阻增大。 （2）当氧化型气体O2、Nox吸附到P型半导体上； 　或 还原型气体H2、Co、酒精吸附到N型半导体上。 半导体载流子增多,使电阻减小。 §8-1 半导体气敏传感器一、半导体气敏材料的导电机理 　检测时，先对敏感元件在大气中通电加热，使其吸附大气中的氧气，由于大气中的含氧量是恒定的，经2至10分钟后，敏感元件的电阻 便达到稳定状态。此时可吸入被测气体，进行检测。 §8-1 半导体气敏传感器一、半导体气敏材料的导电机理 　加热的作用是将吸附在敏感元件上的尘埃、油雾等烧掉，加速气体的吸附，提高其灵敏度。加热的温度一般控制在200～400℃。 加热 方式 §8-1 半导体气敏传感器二、主要的半导体气敏器件 1、SnO2(氧化锡)气敏器件及基本特性 　 SnO2(氧化锡)是n型半导体气敏材料，表面遇到氧化性气体，电阻值增大，遇到还原性气体，电阻值减小。 　 其阻值RC与空气中被测气体的浓度C成对数关系变化，即 　式中　　—与元件材料、气体种类、灵敏度　　　　　　有关的值； 　　　　　—气体分离度，　　　　　。 二、主要的半导体气敏器件 1、SnO2(氧化锡)气敏器件 烧结型元件（直热式） 二、主要的半导体气敏器件2、ZnO（氧化锌）系气敏元件 　　　氧化锌系气敏元件对还原性气体有较高的灵敏度，工作温度比SnO2(氧化锡)约高100℃，同样，也需加Pt（铂）和Pa（钯）等添加剂来提高性能。 §8-1 半导体气敏传感器三 ZrO2(氧化锆)氧量传感器(浓差电极) 氧化锆为一固体电解质，若在两片多孔铂（Pt）之间夹一层氧化锆，形成两个半电池结构，当电极两侧气体中所含氧的浓度不同时，则两电池间将产生与浓度差有关的化学电动势EO2 三 ZrO2(氧化锆)氧量传感器(浓差电极) 式中 ——参加反应的电子数， ； ——理想气体常数， ——法拉第常数， T ——池内热力学温度。 若以空气作参比气体（含氧量20.95%），则 §8-1 半导体气敏传感器四、非电阻型气敏器件 非电阻型气敏器件也是半导体型气敏传感器之一。 　MOS二极管气敏器件：是在P型半导体硅片上，利用热氧化工艺生成一层厚度为50～100 mm的二氧化硅（SiO2）层，然后在其上面蒸发一层钯（Pa）的金属薄膜，作为栅电极。 §8-1 半导体气敏传感器四、非电阻型气敏器件 　　 由于钯和二氧化硅（SiO2 ）之间的电容Ca固定不变，而P-Si和SiO2界面电容Cs是外加电压的函数，这种函数关系称为MOS二极管的C-V特性。 　　 由于钯对氢气（H2）特别敏感，当钯吸附了H2以后，会使MOS管的C-V特性向偏压减少的方向平移，根据这一特性就可以测定氢气的浓度。