ULSI铜互连工艺中的CMP研究.docVIP

ULSI铜互连工艺中的CMP 摘要 ULSI铜互连工艺中的CMP 对于当今半导体制造工艺而言，具有诸多优点的铜代替传统的铝进行电路互连，解决了一系列的电路电学缺陷，但与此同时也因其工艺的复杂的自身材料的特殊原因，在制造过程中又出现了很多新的缺陷，最具典型的新缺陷就是铜和介质的腐蚀而造成晶圆物理平面的不理想，如何最大程度地降低甚至去除这些缺陷是我们必须要考虑的重中之重。本文由浅入深，从介绍CMP机理、铜互连工艺原理开始，逐步引入到新工艺的缺陷，最后讨论了采用二抛法和添加剂在研磨液中的采用这两种方法降低以上缺陷。 关键词：化学机械抛光 铜互连 二抛法 添加剂 ABSTRACT Title: The Study of CMP in Interlinkage with Cu of ULSI Abstract: As for current industry of semiconductor fabrication, Cuprum has many advantages than Aluminum to interlink devices in IC, and it has soluted many defects in circuit. However, new defects appear, such as the cauterization of Cu and the medium layer, because of the more complicated process and its own material .How to solve those defects is our focus. In this thesis, we make introduction from the theory of CMP and the process of interlinkage with Cu to the new defects of the new process. Finally, we discuss the methods, such as two steps of polish and additive in the polishing liquid, to solve the problem. Keywords: CMP, interlinkage with Cu, defect, two steps of polish, additive 目录 摘要 1 ABSTRACT 2 目录 3 1 引言 4 2 CMP工艺机理 5 3 铜互连工艺基础 6 4 Cu CMP工艺 8 4.1 Cu CMP工艺缺陷 8 4.2 Cu CMP 工艺缺陷解决方法 9 4.2.1 采用二抛法解决Cu CMP 工艺缺陷 9 4.2.2 添加剂改善Cu CMP 工艺缺陷 10 5 结论 12 6 致谢 12 7 参考文献 13 1 引言 化学机械平坦化（CMP）是IBM公司于20世纪80CMOS产品时研发成功的一项新技术，并在1990年成功应用DRAM）的生产中。1995CMP技术得到了发展，。 近年来，随着半导体产业的迅速发展，半导体芯片die）不断地朝、高密方向发展同时直径逐渐增大本年行业内开始使用直径450mm18英寸）硅片，尽管目前业内对450mm晶圆的研发成本和经济效应还存在很大争议但是这种规模经济的趋势会稳步向前发展的。工艺线宽0.18μm缩减至nm甚至更精细，金属层数由56层向更多层数的目标迈进，因此硅芯片表面平整度要求将日趋严格。由于金属层数增加，要在大直径上实现多层布线结构，刻蚀要求每一层都应具有很高的全局平整度，即要求对多层布线互连结构中凹凸不平的绝缘体、导体、层间介质（ILD）、镶嵌金属（Cu）、浅沟槽隔离（STI）、硅氧化物、多晶硅等进行平整化，这是实现大规模集成电路立体化结构的关键在众多的平整化技术中， CMP是目前唯一能获得全局平面化效果的平整化技术在传统工艺中，采用铝来互连电路中的各个组件。由于铝自身的性质，导致传统器件经常因铝的电迁移和结尖刺问题而失效，随着ULSI特征尺寸的，布线层数增加、宽度也随之变细，电迁移和结尖刺问题变得更加。而铜的多层布线恰恰能避免这一问题的出现，因此在深亚微米工艺中（0.18m及以下），铜铝成为硅片上多层布线的材料。对于最小特征尺寸在0.35m及以下的器件，必须进行全局平面化，而CMP是最好的也是唯一的全局平面化技术。 通常，工艺可以分为两大类：单一材料抛光和不同材料组合抛光。单一材料抛光包括硅晶圆或其它本体材料抛光、ILD平坦化或任何抛光过程中只有一种材料暴露在外面的抛光工艺。通常单一材料抛光要比不同材料组合的抛光直接得多。CMOS制造工艺流程