电池片工艺过程介绍.pptVIP

* 测试 档位测试 检测原理： 本系统通过模拟AM（Air Mass)1.5 1000w/m2太阳光脉冲照射PV电池 表面产生光电流，光电流流过可编 程模拟负载，在负载两端产生电压， 负载装置将采样到的电流，电压传 送给Scload计算，得到IV曲线及其他 指标，并根据实际光强和温度对他们 进行修正。Scload根据测试结果，按照 给定的分类规则分类，将分类结果传送 给分检系统，分检系统将分类的电池放 相应的电池盒里 检测目的： 1、将电池片分组，方便包装，利于后期组件生产； 2、可通过测试数据，分析发现制程中的问题，从而加以改善。 * 分类检测 分类方式 　 　 标称效率 测试下限 测试上线 高电流（H） 低电流（L） 　 1 ETA 17.40 17.55 17.75 8.1807 　 I mpp 4 ETA 17.55 17.75 　 8.1807 I mpp 2 ETA 17.20 17.35 17.55 8.1423 　 I mpp 5 ETA 17.35 17.55 　 8.1423 I mpp 3 ETA 17.00 17.15 17.35 8.1060 　 I mpp 6 ETA 17.15 17.35 　 8.1060 I mpp 13 ETA 16.80 16.95 17.15 8.0708 　 I mpp 16 ETA 16.95 17.15 　 8.0708 I mpp * 分类检测 晶体硅太阳能电池的电流-电压特性 将太阳电池接上负载，在光照条件下，改变负载的电阻，太阳电池的输出电压V、输出 电流I和输出功率P将随之变化。记录下V、I、P的变化情况，并将数据绘成曲线，将得 到上图的曲线，称为太阳电池的电流—电压特性。 * 分类检测 太阳电池的性能参数： 1、短路电流 Isc: 负载的电阻为零时，太阳电池的输出电流； 2、开路电压Voc：负载的电阻无穷大时，太阳电池的输出电压； 3、最大功率点Pm：太阳能电池的最大输出功率； 4、最大功率点电流Im:输出功率最大时，太阳电池的输出电流； 5、最大功率点电压Vm :输出功率最大时，太阳电池的输出电压； 6、转换效率?：太阳电池最大输出功率Pm 与入射光功率的比值，是衡量太阳电池 性能的最重要的参数； 7、填充因子FF：太阳电池的最大输出功率Pm与短路电流Isc、开路电压 Voc沉积 的比值； 8、串联电阻Rs:主要是太阳电池的体电阻、表面电阻、电极导体电阻、电极与硅表 面的接触电阻组成； 9、并联电阻Rsh:为旁漏电阻，它是由硅片的边缘不清洁或硅片表面缺陷引起。 * 包装出货 * * 01 电池片工艺过程介绍报告人：徐永花 日 期：2012/10/15 * * 晶体硅太阳能电池 单晶太阳能电池片 多晶太阳能电池片 多晶太阳能电池与单晶太阳能电池最大区别在于硅片，多晶硅片是许多硅晶粒的集合体 * 正面和背面的金属电极用来收集光激发的自由电子和空穴，对外输出电流： 减反射薄膜的作用是减小入射太阳光的反射率；pn结的作用是将光激发的 自由电子输送给n型硅，将自由空穴输送给p型硅。 晶体硅太阳能电池片结构 * 太阳能电池工作原理 当太阳光照射到太阳电池片表面时，由于光生伏特效应，太阳电池的正面电极和背电极之间 产生光生电压，用金属导线接上电灯、电器等负载，可为这些负载提供电流。 * 晶体硅太阳能电池生产的工艺流程 Thickness reduction Texture testing RENA Germany Square resistance Minority carrier lifetime Tempress holland Check item Thickness reduction Edge resistance Square resistance RENA Germany Check item Eta Appearance Bow measurement BACCINI Italy Printing weight Printing skewing soldering strength BACCINI /TPsolar Italy Film thickness Refractive index Film colory Centrotherm Germany Check item Appearance Label information * 清洗制绒 在硅片的切割生产过程中会形成厚度达10微米左右的损伤层，且可能引入一些 金属杂质和油污，如果损伤层去除不足，残余缺陷在后续的高温处理过程中向 硅片深处继续延伸，会影响到太阳电池的性能。 * 清