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在Kroger—Vink号系统中，用一个主要符号来表明缺陷的种类，而用一个下标来表示这个缺陷的位置，缺陷的有效电荷用符号的上标表示。如用上标“ · ”表示有效正电荷，用“ ? ”表示有效负电荷，用“×”表示有效零电荷。 下面用MX离子晶体(M为二价阳离子、X为二价阴离子)为例来说明缺陷化学符号的表示方法。 (1)空位：用VM和Vx分别表示M原子空位和X原子空位，V表示缺陷种类。下标M、X表示原子空位所在的位置。 如MX离子晶体。当M2+被取走时，二个电子同时被取走，留下一个不带电的M原子空位VM。 如果取走一个M2+离子，但二个电子未被取走，这时原有晶格中就多余了二个负电荷。或者说这个VM必然和二个带有负电荷的附加电子相联系 VM?? 。 (2)填隙原子：Mi和Xi分别表示M及X原子处在间隙位置上，例如Ca若填隙在MgO晶格中写作Cai。 (3) 置换原子：Mx表示M原子处在X位置上，例如Ca取代了MgO晶格中的Mg写作Ca Mg。 不同价离子之间的替代就出现一种带电缺陷。如Ca 2+进入NaCl晶体，Ca 2+取代了Na + ，因为Ca 2+比Na +高一价，因此与这个位置应有的电价相比，Ca 2+高出一个正电荷，所以写成CaNa˙，如果Ca 2+取代了ZrO2晶体中的Zr，则写成CaZr?? (4)自由电子及电子空穴：在强离子型材料中，通常电子是局限在特定的原子位置上，这可以用离子价来表示。但在有些情况下。有的电子并不一定属于某一个特定位置的原子，在某种光、电、热的作用下，可以在晶体中运动。这些电子用符号e?表示。同样也可能在某些缺陷上缺少电子，这就用电子空穴h˙表示。 VM??=VM十2e? VX¨=Vx+2h˙ (5)缔合中心：一个带电的点缺陷也可能与另一个带有相反符号的点缺陷相互缔合成一组或一群，称为缔合中心，这种缔合中心是把发生缔合的缺陷放在括号内来表示的。例如VM??和Vx¨发生缔合可以记作：（VM??Vx¨）。 在有肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的晶体中，有效电荷符号相反的点缺陷之间存在着一种库伦力，当它们靠得足够近时．在库伦力作用下，就会产生一种缔合作用。 在NaCl晶体中，最邻近的钠空位和氯空位就可能缔合成空位对，形成缔合中心。 在离子晶体中，如果每个缺陷看作化学物质，那么材料中的缺陷及其浓度就可以和化学反应一样，用热力学函数如化学位、反应热效应等来描述，也可以把质量作用定律和平衡常数之类概念应用于缺陷反应。这对于掌握在材料制备过程中缺陷的产生和相互作用等是很重要和很方便的。 2、缺陷反应基本原则 (1)位置关系：在化合物MaXb中，M位置的数目必须永远与X位置的数目成一个正确的比例。例如在AI2O3中，Al：O=2：3。只要保持比例不变．每一种类型的位置总数可以改变。如果在实际晶体中，M与X的比例，不符合原有的位置比例关系,则表明晶体中存在缺陷。 (2)位置增殖：当缺陷发生变化时，有可能引入M空位VM，也可能把VM消除。当引入空位或消除空位时，相当于增加或减少M的点阵位置数。但发生这种变化时要服从位置关系。能引起位置增殖的缺陷有：VM、Vx、MM、Xx等，不发生位置增殖的缺陷有：e?、h˙、Mi和Xi等。 (3)质量平衡：和化学反应中一样，缺陷方程的两边必须保持质量平衡。必须注意的是缺陷符号的下标只是表示缺陷位置，对质量平衡没有作用。如VM为M位置上的空位，它不存在质量。 (4)电荷守恒：在缺陷反应前后晶体必须保持电中性。或者说缺陷反应式两边必须具有相同数目的总有效电荷。 高价阳离子置换低价阳离子： 阳离子出现空位，形成空位型固溶体 Al2O3 (MgO)→2 Al Mg˙+V Mg ″+3OO 阴离子进入间隙，形成间隙型固溶体 Al2O3 (MgO)→2 Al Mg ˙+Oi″+3OO 低价阳离子置换高价阳离子： 阳离子进入间隙, 形成间隙型固溶体 2CaO(ZrO2)→ Ca Zr″+ Cai¨+2OO 阴离子出现空位, 形成空位型固溶体 CaO(ZrO2)→ Ca Zr ″+ Vo¨+ OO 例如TiO2在还原气氛下失去部分氧，生成TiO2-x的反应可写为： 2TiO2 → TiTi?十Vo¨十3Oo+1/2 O2 方程表示，晶体中的氧以电中性的氧分子的形式从TiO2中逸出，同时在晶体中产生带正电荷的氧空位和与其符号相反的带负电荷的TiTi?来保持电中性。方程两边总有效电荷都等于零。TiTi?可以看成是Ti4+被还原为Ti3+，三价Ti占据了四价Ti的位置，因而带一个有效负电荷。而二个Ti3+替代了二个Ti4+，Ti：O由原来