8光电成像原理与技术－固体成像器件成像物理及应用2009.pptVIP

;8.1 CCD的物理基础与工作原理;;MOS电容器，即金属－氧化物－半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)电容器，由P型（或N型）Si层、SiO2层和金属层构成。 两个引出电极，两个极板分别由金属和半导体构成。金属上的电极称为栅极，半导体衬底上的电位一般加0伏。 MOS电容器工作时， 在栅极和半导 体衬底之间 加有栅极电压Vg。; a) CCD单元? b) CCD线阵列 CCD在结构上是许多小MOS电容器的集成。;三、电荷耦合器件物理基础;3.1 MOS电容器中多数载流子耗尽状态 ①在金属层上施加正电压， 表面势Vs为正。 ②空穴耗尽层：在耗尽区， 空穴的浓度几乎为零。 ③ Vs随耗尽区的形成而升高，耗尽区深度随着栅极电压的升高而不断变宽。这种状态就是多数载流子的耗尽状态。;3.2 载流子的反型状态 ①当Vg进一步增大时，表面处电子浓度超过空穴浓度，由P型变为N型。 这种状态就是载流子的反型状态。 ;②强反型状态（表面处反型载流子浓度已达到体内多数载流子的浓度）;3.3 非稳态下的MOS电容器 —电荷存储原理;VG的大部分压降Vs落到半导体表面的空间电荷区上，只有小部分落到SiO2上。 因此，形成反型层的空间上没有电子，只有空的电子势阱，即：表面还处在载流子耗尽状态，这种耗尽层从表面一直延伸到半导体内深处，此状态为“深度耗尽状态” 实际上是MOS电容器处于热非平衡状态 VS深耗VS强反 xd深耗 xd强反 ;;随着时间的推移，热激发产生的电子将进入势阱，逐渐恢复热平衡，达到稳态，形成强反型层。这个时间T，称为存贮时间。;一、CCD基本工作过程;1.1 信号电荷的存储 条件: ① Vg＞Vth MOS电容器处于没有达到反型状态前的深度耗尽状态。 ②Δt ＜0.1s 可存储信号电荷的数量与势阱的深度、亦即Vg成正比。;1、CCD的电荷耦合原理;③ CCD的电荷耦合原理;结论：CCD中电荷包的转移是由各极板下面的势阱不对称和势阱耦合引起的。;在提取信号时，需要将电荷包有规则地传送出来，这一过程叫做电荷转移。 转移要按照确定的方向： 靠时钟脉冲在严格的时序控制下，不断改变各个电容器的栅极电压，以电荷耦合方式实现的。; ;由此可见，CCD具有移位寄存器的功能。 ;转移要有确定的路线：工艺设计时，必须考虑好沟道和沟阻。电荷转移的通道称沟道。限定沟道的部分称沟阻。;埋沟CCD：电荷的转移沟道做在体内。;１－输入二极管ID; 方式一是当用作信息存贮和处理时，通过输入端注入与信号成正比的电荷；电注入 ▓ 方式二是当用作拍摄光学图象时，通过光电转换系统把光学图象的照度分布转换成电荷分布，然后通过输入端注入到每一位势阱中。 光注入 ;4、信号电荷的输出;3、工作频率;4、转移效率;5、CCD的噪声;7、功耗：片外功耗－低功耗器件;8.3 CCD成像原理;一、线阵CCD成像原理;移位寄存器（传输区），他们分别由不同的脉冲驱动。在时钟脉冲作用下把信号向外输出。 转移栅：由铝条或多晶硅构成。位于光敏单元与移位寄存器之间。;2、▓工作过程;;二、面阵CCD的工作原理;俄ISD-29芯片;1、功能：把二维光学图像信号转变为一维时序的视频信号输出。 2、二维CCID必须满足以下要求： 　　⑴　从一个输出端输出全部图像信息，且具有高信噪比； 　　⑵　尽可能小的图像拖影； 　　⑶　读出次序应与电视的线扫描方式相一致。　;3、帧（场）转移结构（FT） 3.1 结构 由光敏区、暂存区、移位寄存区三个部分组成。这种结构的制作工艺比较简单，分辨率较高。 　　; 光敏区：由光敏CCD阵列构成的，其作用是光电变换和在自扫描时间内进行光积分。 暂存区：由遮光的CCD构成的，它的单元数和光敏区对应，其作用是迅速地将光敏区里整帧的电荷包转移到它里面暂存起来。上面由铝层覆盖。 CCD移位寄存器：使暂存区里的电荷包向下移动一行给它，并在驱动脉冲作用下，信号串行输出。 ;3.2 工作过程 当光敏区接收光学图像，在场正程时间内，进行光积分，形成电荷图像；在场逆程时间内，光敏区在自己的驱动时钟脉冲作用下，把电荷图像完整快速地转移到暂存区。然后再开始场正程，拍摄下一帧新图像，与此同时，开始行逆程，暂存区的电荷则一行一行地移至移位寄存器区，行正程期间，在驱动脉冲的作用下再向外输出。 帧转移结构的至少需要三组时钟脉冲。 ;三、CCD成像器件性能;;2、光谱响应;4、动态范围;;;;;;;;2、电子轰击型CCD（EBCCD）