第四章_技术磁化理论.ppt

Lorentz Electron Microscopy; Scanning Electron Microscopy; X-ray topograhy; 二、剩余磁化强度MR 剩余磁化强度MR的大小，决定于材料从饱和磁化降到H＝0的反磁化过程中磁畴结构的变化；它是反磁化过程中不可逆磁化的标志，也是决定磁滞回线形状大小的一个重要物理量 剩余磁化状态：铁磁体磁化至饱和后，再将外磁场减退至零的状态，即H＝0，而M?0的磁化状态；一般可以理解为铁磁体磁化至饱和后，在反磁化过程中保留了大量不可逆的磁化部分，而退掉了在H 0区域中的可逆磁化部分 H M A B C O D C’ 以由单轴各向异性晶粒组成的多晶体为例说明剩余磁化的磁畴结构变化示意图 在多晶体中，假设晶粒的单易磁化轴是均匀分布的，当多晶体在某个方向磁化饱和后，再将外磁场降为零，由于不可逆磁化的存在，各个晶粒内的磁矩不是从饱和磁化方向回到自己原来的易磁化轴方向，而是只回到各自最靠近外磁场方向上的那些易磁化轴方向，所以磁矩均匀分布在半球内 则在原来磁场方向上保留的剩磁大小可近似为MR＝MScos?，其中?为外磁场与每个晶粒的易磁化轴间的夹角 理想状态下磁性材料的剩余磁化强度MR简单计算 单晶体材料： 多晶体材料： 单轴晶体 立方晶体K 0 多晶体的剩磁MR原则上为每个晶粒对剩磁的贡献，所以多晶体剩磁应为各个晶粒的易磁化轴与外磁场夹角?的余弦的平均值 原始退磁状态 (H＝0，M＝0) 饱和磁化状态 (H＝HS，M＝MS) 剩余磁化状态 (H＝0，M＝MR) 单轴晶系 立方晶系 剩磁大小 而在实际的材料内部结构中，由于存在内应力、气孔、掺杂物以及晶粒边界等因素，必然影响磁矩的取向，并会导致反磁化畴的成核生长，从而影响材料剩磁MR的大小 1、应力作用对剩磁的影响： 若材料存在强应力，则受应力控制的MS取向具有单轴各向异性，假设应力分布均匀，则MR＝MS或很低的剩磁MR＝0，若应力分布完全混乱，则MR＝0.5MS， 而材料中的应力作用，往往通过?S?起作用，因此控制材料的磁致伸缩系数?S的大小，对剩磁MR的影响很明显的 3、材料织构化对剩磁的影响 多晶体无织构，宏观上为各向同性，若在工艺处理时使晶粒定向，使它们的易磁化轴方向排列一致，并沿这个方向磁化至饱和，可提高MR，甚至达到MS 2、杂质和气孔的分布对剩磁的影响 总体上会使MR降低，主要通过以下两方面：（1）产生退磁场，使材料磁化不均匀；（2）为反磁化过程提供了反磁化核生长的条件，使反磁化在H 0时就有反磁化核长大 原始退磁状态 (H＝0,M＝0) 饱和磁化状态 (H＝HS,M＝MS) 剩余磁化状态 (H＝0,M＝Mr) 单轴晶系 立方晶系 剩磁大小 晶粒定向后的材料剩磁 控制材料剩磁的途径： 注意：材料剩磁MR的大小，随应用不同而对其MR的要求也不相同；如：永磁材料；磁记录介质材料；磁头材料 常见手段结晶织构化和磁场成型或磁场热处理等 三、矫顽力HC H M B BHC MHC 磁感矫顽力BHC：在B－H磁滞回线上，使B＝0的磁场强度; 内禀矫顽力MHC：在M－H磁滞回线上，使M＝0的磁场强度; 通常情况下， 1、两种矫顽力的定义： 2、各种因素决定的矫顽力Hc： （1）、对畴壁位移的阻力 a、内应力理论 HC＝H0~?S? /?0MS b、含杂理论 HC＝H0~?2/3 /?0MS （2）、对畴转过程的阻力 a、磁晶各向异性 HC＝H0~K1 /?0MS b、应力各向异性 HC＝H0~?S? /?0MS c、形状各向异性 HC＝H0~(N2-N1)MS 3、控制矫顽力HC大小的有效途径： 软磁HC要小，而硬磁HC要大，如何做到这一点呢？采用什么途径呢？ 根本出发点：根据决定矫顽力HC的磁滞机理理论，在工艺制作中控制影响HC大小的各种因素 （1）、如何提高矫顽力HC： a、增强对畴转磁化的阻力 通过畴转获得高矫顽力HC的必要条件为使材料形成单畴颗粒，其充分条件则是提高材料的磁各向异性 b、提高对畴壁位移的阻力 基本方向：增大内应力的起伏分布和增加杂质的体积浓度，同时若提高材料的?S和K1将更有效 误区：认为高矫顽力HC的材料一定是单畴结构，且由位移磁化过程所决定的往往不高 60年代以后，对铁氧体永磁材料的磁畴结构研究发现，其反磁化过程是以反磁化核生长而通过畴壁位移进行的，可以获得HC高达约106/4? (A/m) 70年代以来，针对高K1的稀土合金研究，发展了畴壁位移阻力的理论，提出了畴壁钉扎