第六章 系统保护的设计.docVIP

第六章 系统保护 由于实际的功率电路线路中总有寄生漏电感，当IGBT被关断时感性负载中的电流不可能立即发生变化，该负载电感两端产生阻止母线电流减小的电压V(v=di/dt)，它与电源电压相叠加并以浪涌电压的形式加在IGTB的两端。在极端情况下，该浪涌电压会超过IGBT的额定值VCES，并导致它损坏。在IGBT功率回路中引起浪涌电压的能量与1/2LPI2成比例，LP是母线的寄生电感，I是工作电流。因此可见，在使用大电流的器件时更需要降低功率回路的电感。因此为了得到一种适合大电流工作的低母线电感电路，就需要特殊的母线结构。有交错镀铜层和绝缘层构成的迭层母线设计，可以上电感量降低。迭层母线中被绝缘层隔离的宽板用于正极和负极母线的连接，这种宽板起到了防止功率回路中寄生电感的作用。 其次，好的缓冲电路可以有效控制浪涌电压的关断和用续流二极管恢复浪涌电压，用以减小功率器件的损耗。IGBT缓冲电路与传统的双极晶体管缓冲电路存在两个方面的区别：一是IGBT具有强大的开关工作区，缓冲电路只需控制瞬态电压而并不需要保护就可抑制达林顿二极管二次击穿极限；二是IGBT常工作在比达林顿高得多的频率范围。缓冲电路使用快恢复二极管可箝住瞬变电压，从而抑制振荡的发生，缓冲电路的RC时间常数，应该设为该开关周期的约1/3。但对于大功率级别的IGBT工作，缓冲电路的回路寄生电感将变得很大，以至不能有效地控制瞬变电压。由于大功率IGBT电路需要极低电感量的缓冲电路，而且缓冲电路必须尽可能地连到IGBT上，设计缓冲电路时，得考虑二极管封装内的寄生电感和缓冲电容引线的寄生电感。通常小电容并联或二极管并联产生的电感量比大的单电容或单二极管产生的电感量更低。 IGBT在运行中会有导通功耗和开关功耗发生。这些功耗通常表现为热，所以必须采用散热器把这些热量从功率芯片传导到外部环境中去。如热系统设计不当，功率器件将过热并导致器件损坏。导通损耗伴随IGBT处于通态并传导电流而发生。导通期间的的总功耗是由通态饱和电压与通态电流的乘积来计算的。在PWM的应用中，导通损耗须与占空比因子相乘，从而得到平均功率。导通损耗的一次近似可通过IGBT的额定VCE(sat)值与期待的器件平均电流值的乘积来得到，即PSS=VCE(sat)*IC，开关损耗是在IGBT开通与关断过程期间的功率损耗。当PWM信号频率高于5KHZ时，开关损耗会非常显著，一定要在热设计中予以考虑。得到开关损耗的最精确的方法是测量在开关过渡过与VCE的波形，将此波形逐点相乘，从而得到功率的瞬时波形，此功率波形下面的面积就是以焦耳/脉冲为单位的开关能量，这一面积通常通过作图积分来计算。总耗是由单脉冲总开关能量与PWM频率相乘得到，即：平均功耗 PSW=Fpwm×(ESW(on)+ESW(off)) 而总功耗为导通功耗与开关功耗之和，即： 综上所述，在所设计的系统中，采用的保护措施有： 1、迭层母线结构； 2、缓冲电路； 3、散热器； 4、光电隔离； 5、故障指示； 7、充电指示。 第七章 系统主回路主要器件参数计算及选用 一个系统能否正确运行，其主要器件的参数计算及选择起着非常重要的作用。下面就系统主回路主要器件的参数计算及选择作一个简要介绍。 在该系统中，所提供电源为DC 380V，电流KA级；充电电池容量为6KAh，电压为110V。系统主回路用IGBT作为开关器件，通过斩波型PWM控制方式，实现充电要求。系统充电电流为0.3C=0.36000=1800 A；放电脉冲采用2000A。 缘栅双极晶体管IGBT的选择 在电力电子电路中，由于过电压、过电流的存在，为避免器件的损坏，保证系统正常运行，在选择IGBT时应考虑一定的安全裕量。IGBT及续流二极管的电流裕量为（1.2~1.4）IN；电压裕量为（1.2~1.3）UiIGBT1的选择 取电压安全裕量1.3，则Uceo1.2Ui=1.3×380=494V 取电流安全裕量为1.4，则I=1.4×IN=1.4×1800=2520A IGBT2的选择 取电压安全裕量1.3，则Uceo1.2Ui=1.3×380=494V 取电流安全裕量为1.4，则I=1.4×IN=1.4×2000=2800A IGBT1、IGBT2选GP3000ESM12，均可满足要求。GP3000ESM12的主要参数： 名称 V I 电路结构 峰值电流 饱和压降 开关损耗 绝缘电压 1200V 3000A 一单元 6000A 2.7V 1600W 2.5kV 2、续流二极管VT的选择 在此系统中，VT的作用是为电流提供续流回路，以消除电感储能对开关器件造成的不利影响。在工作过程中，当控制脉冲使IGBT1导通后，蓄电池开始充电，平波电抗器Ld的电流逐渐增加，续流二极管VT因反