第三章 半导体二极管与三极管.pptVIP

东南大学计算机系 第三章 半导体二极管与三极管 第一节 PN结 第二节 半导体二极管 第三节 双极型晶体管 第四节 场效应晶体管 3-1 PN结 一、半导体 二、半导体的导电原理 三、PN结的形成 四、PN结的特性 (一) PN结的单向导电性 (二) PN结的电容效应 3-2 半导体二极管 三、二极管的伏安特性 四、主要参数 五、应用 3-3 稳压二极管 一、稳压管符号 二、稳压管特性曲线 三、主要参数 四、应用 3-4 半导体三极管 一、基本结构 二、符号 三. 晶体管工作原理 （二）晶体管的电流分配关系 （三）晶体管的放大作用 （四）关于PNP型晶体管 四. 晶体管的特性曲线 五. 主要参数 3-5 绝缘栅场效应管 一、N沟道道增强型MOS管 1、基本结构 2、工作原理 3、特性曲线 4、主要参数 二、N沟道道耗尽型MOS管 1、基本结构 2、工作原理 3、特性曲线 b e c NPN型三极管 b e c PNP型三极管 N P N c b e P N P c b e IB IE IC IB IE IC 按材料：硅三极管、锗三极管 按用途：高频管、低频管、功率管、开关管 (国标) ：国产三极管的命名方案 晶体管的分类： 晶体管的外形图 N P N 共射接法 1. 在VBB的作用下，e 区向 b 区扩散电子，形成 iE. 2. 部分电子在基区复合，并被 VBB拉走，形成 iB. 3. C 区收集从e 区扩散过来未复合的电子，形成 ic. （一）内部载流子的运动 综上所述，三极管的放大作用，是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。 两个条件: （1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓 度，且基区很薄。 （2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 思考1：可否用两个二极管相连构成一个三极管？ 思考2：可否将e和c交换使用 思考3：外部条件对PNP管和NPN管各如何实现？ ICE 与IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 ? ? 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化。 结论 1）三电极电流关系 iE = iB + iC 2） iC ? iE ， iC ?? iB 3） iC =? iB iC VBB VCC uBE iB + – 输入信号 负载 1、基极电流iB是由发射极间电压uBE控制的。 2、在集电极回路中串接一个负载电阻，就可以在负载电阻两端得到相应的幅度较大的变化电压。因此晶体管具有电压放大作用. 共发射极放大电路 NPN型电流从集电极流向发射极 PNP型电流从发射极流向集电极 2、电流方向不同 1、电源极性不同 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 实验线路 共发射极电路 1. 输入特性 发射极是输入、输出回路的公共端 iB(?A) uBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 uCE?1V 死区电压：硅管0.5V，锗管0.2V。 工作压降： 硅uBE ? 0.6~0.7V 锗uBE ? 0.2~0.3V 2、输出特性曲线（硅管） iC(mA ) 2 4 6 8 uCE(V) 2 6 8 10 4 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 当uCE 大于一定的数值时，iC只与iB有关，即iC=?iB。且 ? iC = ? ? iB 。此区域称为线性放大区。 iC(mA ) 2 4 6 8 uCE(V) 2 6 8 10 4 iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 此区域中: iB=0,iC=iCEO , uBE 死区电压，称为截止区。 此区域中UCE?UBE,集电结正偏，?IBIC，UCE?0.3V称为饱和区。 输出特性三个区域的特点: (1) 放大区 BE结正偏，BC结反偏， iC=?iB , 且 ? iC = ? ? iB (2) 饱和区 BE结正偏，BC结正偏 ，即uCE?uBE ， ?iBiC，uCE?0.3V (3) 截止区 BE结反偏，BC结反偏， uBE 死区电压， iB=0 ， iC=ICEO ?0 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法。相应地还有共基、共集接法。 直流电流放大系数 1. 电流放大系数 和 ? 交流电流放大系数 在以后