半导体物理基础_(6).ppt

扩散系统 5.2 Equilibrium p-n Junction (3)热击穿 6. p-n结中的隧道效应 7. p-n结的光生伏特效应 5.5. p-n结的击穿(Berakdown) 在反向偏置下，当反向电压很大时， p-n结的反向电流突然增加，从而破坏了p-n结的整流特性-- p-n结的击穿。 这两股电流之和就是正向偏置下流过p-n结的电流。 P区空穴向n区扩散——空穴扩散电流 n区电子向P区扩散——电子扩散电流 根据电流连续性原理，通过p-n结中任一截面的总电流是相等的，只是对于不同的截面，电子电流和空穴电流的比例有所不同而已。 考虑-xp截面： 忽略了势垒区载流子的产生和复合： 同理： -------肖克莱方程 外加电场Vr与内建电场方向一致 漂移扩散 (2)反向偏置 （Reverse bias） VD增大为（VD+Vr），相应地势垒区加宽 势垒区两侧边界上的少数载流子被强电场扫过势垒区。使边界处的少子浓度低于体内。产生了少子的扩散运动，形成了反向扩散电流。 类似于正向偏置的方法，可求得反向电流密度 式中，Js不随反向电压变化，称为反向饱和电流密度；负号表示反向电流方向与正向电流方向相反。 p-n结的正向和反向电流密度公式可统一用下列公式表示： 正向：V= Vf 反向：V= -Vr （3）I-V characteristic of a p-n junction p-n结的伏-安特性 单向导电性---整流 Ge、Si、GaAs： 0.3、 0.7、1V 具有可变电阻性 温度影响大 单边突变结 I-V特性由轻掺杂一边决定。 影响p-n结伏-安特性的主要因素： 产生偏差的原因： （1）正向小电压时忽略了势垒区的复合；正向大电压时忽略了外加电压在扩散区和体电阻上的压降。 （2）在反向偏置时忽略了势垒区的产生电流。 空间电荷区的复合电流 空间电荷区的产生电流 注入p+-n结的n侧的空穴及其所造成的电子分布 大注入 扩散区产生内建电场 p-n结的直流伏-安特性表明： 1. 具有单向导电性。 2. 具有可变电阻性。 特别是在高频运用时，这个电容效应更为显著。 p-n结的交流特性表明: p-n结还具有可变电容的性质 5.4. p-n结电容 (Capacitance of p-n Junctions) p-n结电容包括势垒电容和扩散两部分。 （1）势垒电容CT 由于势垒区电荷的变化表现出来的电容效应-势垒电容 也称结电容（Junction capacitance） 势垒电容 对于线性缓变结 对于突变结： 对于突变结： 其中 : ——扩散电容 (2) 扩散电容 也称电荷存储电容（charge storage capacitance ） CT与CD都与p-n结的面积A成正比，且随外加电压而变化。 点接触式二极管面积很小， CT 、CD ：0.5—1pF 面结型二极管中的整流管面积大， CT 、CD ：几十—几百pF 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 正极引线 负极引线 集成电路中平面型 P N P 型支持衬底 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小,适用于高频电路。 因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 点接触型 正极 引线 触丝 N 型锗片 外壳 负极 引线 面结型与点接触型二极管相比较，正向特性和反向特性好，因此，用于大电流和整流。 负极引线 面接触型 N型锗 PN 结 正极引线 铝合金 小球 底座 金锑 合金 （3）总电容 p-n结的总电容为两者之和： 正向偏置p-n结时，以CD为主，Cj≈CD 反向偏置p-n结时，以CT为主，Cj≈CT * 图1 p-n结基本结构 Chapter 6 p-n Junctions（p-n结） 5.1 Fabrication Of p-n Junction 1. Alloyed Junctions (合金结) 2. Diffused Junctions (扩散结) 3. Ion Implantation (离子注入) 4. Epitaxial Growth (外延生长) 合金温度 降温再结晶 1. Alloyed Junctions (合金结) 2. Diffused Junctions (扩散结) Concep