半导体器件物理（顾晓清主编）4.pptVIP

晶体管的频率特性与功率特性 ;● —— 本章重点; 在交流工作状态下，P-N结的电容效应将对晶体管的工作特性产生影响。 当频率升高时，晶体管的放大特性要发生变化，使晶体管的放大能力下降。 当晶体管的放大能力下降到一定程度时，就无法使用，这就表明晶体管的使用频率有一个极限。 ;主要的高频参数 ;4.1 晶体管的频率特性;α截止频率 （共基极截止频率） ;β截止频率 ; 反映了电流放大系数β的幅值 |β|随频率上升而下降的快慢， 但并不是晶体管电流放大的频率极限。 晶体管电流放大的频率极限是后面将要讲到的特征频率。 ;特征频率; 从图可以看出，上述几个频率参数间有如下关系 且 很接近 当工作频率满足 关系时， |β|随频率的增加，按-6dB/倍频的速度下降。 ;最高振荡频率 ;共基极短路电流放大系数与频率的关系;定性分析;发射结势垒电容分流电流iCTe;交流发射效率 ;扩散电容分流电流iCDe ;交流基区输运系数 ;集电结空间电荷区输运系数 ;集电结势垒电容分流电流iCTc ;集电区衰减因子αc ;集电区倍增因子α* ;共基极交流短路电流放大系数α ; 交流放大系数α是复数，其幅值随着频率的升高而下降，相位差随着频率的升高而增大。 α0 共基极短路电流放大系数的低频值 α截止频率 ;定量分析（略）;m 超相移因子（剩余相因子） ;集电结空间电荷区输运系数 ;集电区衰减因子 ;共基极短路交流电流放大系数α和截止频率 ; 对发射结处，基区侧扩散电容CDe的充电延迟时间，即 由α表达式可以看出，交流电流放大系数α是复数，其幅值随频率升高而下降，相位滞后则随频率升高而增大。 从而从定量分析的角度证实了定性分析的正确性。;α截止频率; 以上得出的短路电流放大系数α和 截止频率 的表达式对均匀基区和缓 变基区均适用。 计算时只须代入各自的延迟时间和不同的超相移因子m的值即可。 ;共发射极短路电流放大系数及其截止频率;共发射极短路电流放大系数;β截止频率 ; 与 的关系;晶体管的特征频率;提高特征频率的途径;习题;4.2 晶体管高频等效电路; I1、V1 输入端的电流和电压 I2、V2 输出端的电流和电压;当选取电压V1、V2为自变量时，可得Y参数方程 ;Y11 输出交流短路时的输入导纳 ;Y参数方程等效电路 ;当选I1和V2为自变量时，得到h参数方程 ;h11 输出交流短路时的输入阻抗 ;h参数等效电路 ;选取I1和I2为自变量，可得Z参数方程 ;Z11 输出交流开路时的输入电压 与输入电流的比值（输入阻抗） ;上述各参数都由晶体管自身的物理结构决定 可以相互转换 各有利弊 可以使用在不同的场合 运用较多的是Y参数和h参数等效电路 ;4.3 高频功率增益和最高振荡频率;功率增益;共射h参数等效电路;共射晶体管的最佳功率增益表达式; 实际晶体管中，集电极的输出阻抗除集电结势垒电容外，还存在延伸电极电容和管壳寄生电容等，用Cc表示集电极的总输出电容。 ; 实际晶体管还存在引线电感等，考虑发射极引线电感的影响时，晶体管共射最佳功率增益表示为;最佳功率增益GPm=1时的频率， 它是晶体管真正具有功率放大能力的频率限制。;频带宽度 ;提高功率增益的途径 ;4.4 晶体管的大电流特性;集电极最大电流IcM ; 以共发射极运用为例，如何根据电源电压Vcc和输出功率PO的要求来确定IcM。 ;大电流工作时产生的三个效应;小注入：为维持电中性所增加的多子可忽略 大注入：为维持电中性所增加的多子不可忽略;有效基区宽度扩展效应 [kirk（克而克）效应] ;发射极电流集边效应（基区电阻自偏压效应 ）;梳状电极平面晶体管的结构示意图 ; 横向压降随着基区薄层电阻的增大而增大，随着y的增加而上升。 即发射极条宽越宽，距离发射极中心越远，则基区横向压降越大，发射极电流集边效应就越明显。 此外，工作电流越大，基区横向压降也越大，发射极电流集边效应也就越明显。;防止发射极电流集边效应;4.5 晶体管的最大耗散功率PCm和热阻RT; 在正常工作状