第9章+光电传感器.pptVIP

第9章 光电传感器 本章要求： 1、掌握光电效应及其光电器件； 2、了解新型光电传感器、光图像传感器； 3、熟悉光电传感器的应用。 本章重点： 外光电效应、内光电效应及其光电器件 本章难点： 光电位置传感器和光图像传感器。 光电传感器的组成 光电传感器的的转换原理是基于光电效应。 光电效应分为： 1、外光电效应； 2、内光电效应； 3、光生伏特效应 9.1 光源 一、光的特性 光具有波粒二重性，既具有波动的本性，又具有粒子的特性。 光的粒子说可知，光是由具有一定能量、动量和能量的粒子所组成，这种粒子称为光子。每个光子都具有一定的能量，其大小与它的频率成正比，即 E=hυ=hc/λ （9-1） 式中h为普朗克常数，h=6.626×10-34（J.S）；υ为光子的频率（S-1）；C为光速，C=3×108（m/S）；λ为光的波长（m）。 二、 常用光源及特性 1、热辐射光源。 热辐射光源输出功率大，但电源的响应速度慢，调制频率一般低于1KHz，不能用于快速的正弦和脉冲调制。 2、气体放电光源。 气体放电光源发出的热量少，对检测对象和光电探测器件温度影响小，对电压恒定要求也比白炽灯低。 9.2 光电效应 光电效应：物质在光的照射下释放电子的现象称为光 电效应。 光电效应的实验规律为： （1）光电流的大小与入射光的强度成正比； （2）光电子的初动能只与入射光的频率有关，而与入射光的强度无关； （3）当入射光的频率低于某一极限频率时，不论光的强弱，照射时间的长短，均无光电流产生； （4）从光照开始到光电子被被释放出来。整个过程所需的时间小于10-9S。 光电效应分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种。 9.3 外光电效应及其器件 外光电效应：在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，又称光电子发射效应。 爱因斯坦光电效应方程式（见P230）（9-2） 由爱因斯坦光电效应方程式知： 1、光电子能否产生，取决于光子能量是否大于该物体的表面逸出功A0。 2、当入光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强成正比 3、光电子逸出物体表面具有初始动能mv02/2， 外光电效应光电器件 （3）光电管的主要特性 光电特性 暗电流 伏安特性 I=f（UAK） 光谱特性 K=f（υ）UA=C 2 、光电倍增管（紧接上页） （4）、光电倍增管的伏安特性 （5）、光电倍增管的光电特性 9.4、9.5 内光电效应及其器件 内光电效应有两种：光电导效应和光生伏特效应。 1、光电导效应 ：物体受光照后，物质吸收入射光子的能量使其内部载流子被激发而使其导电率增加，电阻值下降的现象称为光电导效应。(P210) 2、光生伏特效应：在光线作用下，能够使物体在一定方向上产生电动势的现象称为光生伏效应。 (P218) 光生伏特效应根据其产生电势的机理又可分为： （1）侧向光生伏特效应 （2）PN结光生伏特效应 （3）光电磁效应（简称PEM效应） （4）贝克勒尔（Bcquerl）效应 内光电效应器件 （一）光敏电阻：光敏电阻是基于半导体光电导效应制成的光电器件，又称光导管。 1、光敏电阻的结构和工作原理 2 、光敏电阻的主要参数 ①暗电阻与暗电流 ②亮电阻与亮电流 ③光电流： 亮电流与暗电流之差称为光电流。 3、光敏电阻的基本特性 ①光敏电阻的伏安特性：无饱和现象 ②光敏电阻的光照特性：特性曲线是非线性的 ③光敏电阻的光谱特性：不同材料峰值在不同区域 （二）光敏二极管 （三）光敏三极管 1光敏三极管的结构和工作原理 光敏三极管利用类似普通半导体三极管的放大作用，将光敏二极管光电流放大（1+β）倍 （三）光敏三极管 2、光敏三极管的主要技术特性 （1）光谱特性 （2）伏安特性 （3）光电特性：光照不太强，光电特性为线性关系，光照足够大，会出现饱和现象。 （四）光敏晶闸管 1光电池的结构与工作原理 2光电池的主要特性（紧接上页） (2)光电池的光照特性 9.6 新型光电传感器 3 色敏光电传感器 4 光电位置传感器 （1）PSD的工作原理与位置表达式 PSD分为两大类：一维PSD和二维PSD。 （2）一维PSD 4 光电位置传感器 （3）二维PSD。按其结构可分为两种形式。 （4）PSD转换电路 9.7 光图像传感器（自学） 1、电荷耦合器件（CCD） （1）CCD的结构和基本原理 （2）电荷移位过程 （3）CCD的输入—输出结构 2 CCD图像传感器 （1）结构 （2）