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第9章 霍耳传感器 本章主要内容 9.1 霍尔传感器结构及工作原理 9.2 霍尔传感器的测量及补偿电路 9.3 霍尔传感器的应用 本章教学目标及重点、难点 一. 教学目标： 1. 了解霍尔元件的工作原理及结构、霍尔元件 的基本参数与温度误差的补偿； 2. 熟悉集成霍尔元件和霍尔式传感器的应用； 二. 重点、难点： 重点：集成霍尔元件和霍尔式传感器的应用 难点 霍尔传感器工作原理及应用 9.1 霍尔传感器结构及工作原理 一. 霍尔传感器（元件）工作原理 1. 霍耳效应 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为霍尔效应。该电动势称为霍耳电势UH。 如图4.59 所示，在垂直于外磁场B的方向上放置一 导电板，导电板通以电流I，方向如图所示。导电板中 的电流使金属中自由电子在电场作用下做定向运动。 此时，每个电子受洛伦兹力fL作用，fL的大小为: fL=e v B 式中: e—电子电荷； v—电子运动平均速度； B—磁场的磁感应强度。 在图4.59中，fL的方向是向内的，此时电子除了沿电流反方向作定向运动外，还在fL的作用下向导体一个侧面偏转，结果使金属导电板内侧面积累电子，而外侧面积累正电荷，从而形成了附加内电场EH，称为霍耳电场，该电场强度为： EH=UH /b 式中：UH—霍耳电位差；b—霍耳片的宽度。 3. 霍耳电动势 当电子运动方向与外磁场的方向相互垂直时， UH =EH b= b v B (9-1) 假设金属导电板单位体积内的电子数为n，电子定 向运动平均速度为v，由电流密度Q=n e v，则载流体 的激励电流 I=Q b d=n· e v b d 则有 v=I/nebd (9-2) 令RH=1/ne，称为霍耳常数，其大小取决于导体 载流子密度，则 UH =RH I B/d=KH I B 式中，KH=RH/d，称为霍耳片的灵敏度。 由此可见，霍耳电势正比于激励电流I及磁感应强度B，其霍耳片的灵敏度与霍耳系数RH成正比而与霍耳片的厚度d成反比。因此，为了提高灵敏度，霍耳元件常制成薄片形状。 二. 霍耳元件的结构 霍耳元件的结构很简单，它是由霍耳片、四根引线和壳体组成，结构如图4.60(a)所示。 在电路中，霍耳元件一般可用两种符号表 示，如图4.60(b)所示。 国产霍耳元件型号的命名方法如图4.60(c)。 霍耳片是一块矩形半导体单晶薄片，引出四 根引线：1、1′两根引线加激励电压或电流， 称为激励电极(或控制电极)；2、2′引线为霍 耳输出引线，称为霍耳电极。 霍耳元件的壳体是用非导磁金属、陶瓷或环 氧树脂封装。 三. 霍耳元件的主要技术参数 1 额定激励电流 使霍耳元件温升10℃时所施加的激励电流称为额定 激励电流。 以元件允许最大温升为限制所对应的激励电流称为最 大允许激励电流。 3 输入电阻和输出电阻 霍耳元件激励电极间的电阻值称为输入电阻。 霍耳电极输出电势对电路外部来说相当于一个电压 源，其电源内阻即为输出电阻。 以上电阻值是在磁感应强度为零，且环境温度在20℃±5℃时所确定的。 4 不等位电势和不等位电阻 当磁感应强度为零，霍耳元件的激励电流为 额定值时，理论上输出的霍耳电势应该为零， 但实际不为零，用直流电位差计可以测得空载 霍耳电势，这时测得的空载霍耳电势称为不等 位电势U0 (一般 )。 产生不等位电势的主要原因有： ①霍耳电极安装位置不对称或不在同一等电位 面上； ②半导体材料不均匀造成了电阻率不均匀或是 几何尺寸不均匀； ③激励电极接触不良造成激励电流不均匀分布 等。 不等位电势就是激励电流流经不等位电阻所产生的电压，如图4.64 所示。 5 寄生直流电势 在