第二章 反相器.ppt

第二章 CMOS Inverter ——赵琳娜 * * 2.1 静态CMOS反相器结构和基本原理 一、结构 1、增强型N管和P管。 2、 N管和P管的栅连一起接Vin，漏连一起接Vout。 3、为消除衬偏，P管B与S共同接最高电位——电源VDD，N管B与S共同接最低点位——地。 4、逻辑符号. V in V out C L V DD PMOS NMOS 标准的CMOS反相器是由PMOS负载管和NMOS驱动管串联组成。 驱动管 负载管 CMOS Inverter Layout Polysilicon In Out V DD GND PMOS 2l Metal 1 NMOS Contacts N Well 当输入Vin =0V时， P管的|VGS|=|-VDD||VTP|, N管的VGS=0V VTN，故N管截止， P管导通。输出等于高电平VDD 。 当Vin = VDD 时，P管的VGS=0V, N管的VGS= VDD VTN，故N管导通，P管截止。输出等于低电平0V。 二、工作原理 V DD V DD V in 5 V DD V in 5 0 V out V out R n R p CMOS反相器的开关模型 当输入为高且Vin＝VDD时，NMOS管导通，而PMOS管截止，如图（a）的等效电路。此时在Vout和接地节点之间存在一个直接通路，形成一个稳态0V。 （a） （b） 当输入为低（Vin＝0V）时，NMOS管关断，而PMOS管导通，如图（b）的等效电路。此时在VDD和Vout之间存在一个通路，产生一个高电平输出电压。 晶体管是一个具有无限关断电阻和有限导通电阻的开关 该结构能够实现反相。 输出高电平和低电平分别为VDD和GND——输出电压摆幅等于电源电压。 稳态工作时，电源和地线之间没有直接的通路。没有电流存在（忽略漏电流）意味着该门不消耗任何静态功耗。 结论 2.2 CMOS反相器电压传输特性 一、VTC曲线 通过Vin从0V- VDD范围内变化，求出对应的Vout曲线获得。 1、VTC曲线详细的变化过程 CMOS反相器电压传输特性 vI vO O VDD VDD VDD+VGS(th)P VGS(th)N Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ 2、 VIL 、VIH、 VOL 、VOH 逻辑“1”和“0”的电压范围是由VTC的斜率决定，在a点处斜率为-1，确定VIL ；b点为第二个斜率为-1点，确定VIH。 V IL V IH V in Slope = -1 Slope = -1 V OL V OH V out “ 0 ” V OL V IL V IH V OH Undefined Region “ 1 ” a b ① VIL 、VIH 逻辑“0”的输入范围为：Vin= 0~VIL ; 逻辑“1”的输入范围为：Vin=VIH~VDD VIL代表输入低电平时的最大输入电压值 VIH代表输入高电平时的最小输入电压值。 V IL V IH V in Slope = -1 Slope = -1 V OL V OH V out 逻辑“0”的输出电平范围为：Vout= 0~VOL 逻辑“1”的输出电平范围为：Vout= VOH~VDD ② VOL 、VOH V IL V IH V in Slope = -1 Slope = -1 V OL V OH V out 3、 NM (Noise Margin) ——NML,NMH 反映电路所能承受的实际输入电平与理想逻辑电平的偏离范围。 NML：低电平噪声容限 NMH：高电平噪声容限 Definition of Noise Margins Noise margin high Noise margin low V IH V IL UndefinedRegion 1 0 V OH V OL NM H NM L Gate Output Gate Input 4、 CMOS反相器逻辑阈值VM 定义为VTC曲线与Vin＝Vout线的交点。 VM Vin＝Vout 1）Vin VM时，输入电压为“0” 2）Vin VM时，输入电压为“1” ① 计算VM 该区域内N管和P管饱和，且Vin＝Vout＝ VM 公式表明， VM由 决定 若构成CMOS反相器的NMOS管和PMOS管的性能完全对称，即 ②对称反相器 ③ 器件参数对CMOS反相器VTC曲线的影响 若构成CMOS反相器的NMOS管和PMOS管的性能不对称，反相器电压传输特性曲线发生变化。 VTN=-VTP （1）导电因子的影响 例 （2）阈值电压的影响 KN=KP CMOS反相器的电流传输特性曲线，在静态输入时，反相器的电流近似等于0