晶体长大的条件.pptx

§3.4.1 晶体长大的条件Ti第四节 晶体的长大晶体长大：液体中原子迁移到晶体表面，即液-固界面向液体中推移的过程。平衡状态：(dN/dT)M=(dN/dT)F温度对熔化和凝固速度的影响动态过冷：晶核长大所需的界面过冷度。（远小于形核所需过冷度）晶核长大条件：动态过冷、合适的晶核表面结构§3.4.2 液-固界面的微观结构稳定长大过程，界面能量始终保持最低。两种能量低的界面结构：光滑界面，粗糙界面第四节 晶体的长大光滑界面：液-固界面上的原子排列较规则，界面处两相截然分开。微观上界面光滑，宏观上有若干小平面。粗糙界面：液-固界面上的原子排列较混乱，原子分布高低不平整，在几个原子厚度的界面上，液、固两相原子各占位置的一半。宏观上界面平直。§3.4.2 液-固界面的微观结构理论证明：界面粗糙化时，界面自由能的相对变化：△Gs/(NkTm)=αx(1-x)+xlnx+(1-x)ln(1-x) α=ξLm/(kTm)ξ为晶体学因子，晶面原子密度小， ξ小。α ≤2时，x=0.5处，界面能最小，粗糙界面α ≥5时，x靠近0或1处界面能最小，光滑界面第四节 晶体的长大§3.4.3 晶体长大的机制晶体长大机制：液态原子向固相表面的添加方式。 与固-液界面结构有关晶体长大方式：垂直长大，横向长大第四节 晶体的长大3.4.3.1 垂直长大方式 粗糙界面结构，垂直于界面方向长大。特点：长大速度相当快，过冷度小。这种机制适用于多数金属。§3.4.3 晶体长大的机制晶体长大方式：垂直长大，横向长大第四节 晶体的长大3.4.3.2 横向长大方式(台阶生长机制)光滑界面结构，依靠小台阶接纳液态原子。长大速度较慢，所需过冷度较垂直长大高§3.4.3 晶体长大的机制晶体长大方式：垂直长大，横向长大第四节 晶体的长大3.4.3.2 横向长大方式(台阶生长机制)二维晶核台阶生长机制：均匀形核-二维晶核-横向长大特点：长大不连续，速度慢晶体缺陷台阶生长机制：依靠螺型位错或孪晶面生长特点：长大连续，速度较慢§3.4.3 晶体长大的机制第四节 晶体的长大一个晶粒各个界面长大速度不一致，以平均值表示晶体长大速率。晶体长大速率与过冷度的关系：§3.4.4 晶体长大的形态液固长大形态：长大过程中液-固界面的形态。两种：平面状长大，树枝状长大取决于：液-固界面结构的类型，界面前沿液相中温度分布第四节 晶体的长大3.4.4.1 液-固界面前沿液相中的温度梯度正温度梯度：液相中，距液-固界面越远，温度越高。负温度梯度：液相中，距液-固界面越远，温度越低。§3.4.4 晶体长大的形态第四节 晶体的长大将纯锡熔化，注入模中，缓慢冷却，液体过冷（线1），由模壁形核，向液体中成长，释放潜热，界面温度升高，前沿液体中成现负温度梯度。§3.4.4 晶体长大的形态第四节 晶体的长大3.4.4.2 平面状长大形态液-固界面始终保持平直的表面向液相中长大，长大中的晶体也一直保持规则的形态。条件：正温度梯度，粗糙界面结构的晶体为主§3.4.4 晶体长大的形态第四节 晶体的长大3.4.4.2 平面状长大形态3.4.4.3 树枝状长大形态液-固界面不断分支发展条件：负温度梯度特点：有方向性，取决于晶体结构枝臂间距：邻近的两根二次轴中心线之间的距离。冷却速度大，枝臂间距小，强度、塑性好热力学条件：过冷度 临界过冷度条件结构条件：结构起伏（相起伏） 临界晶核能量条件：能量起伏 临界形核功晶核的形成均匀形核：形核率受过冷度影响方式非均匀形核：形核率受过冷度、杂质结构 及表面形貌影响金属结晶理论参数：形核率条件：动态过冷度垂直长大：粗糙界面二维晶核台阶机制机制晶核的长大横向长大：光滑界面晶体缺陷台阶机制平面状长大：正温度梯度，粗糙界面为主形态树枝状长大：负温度梯度，粗糙界面参数：长大速度，与界面结构、过冷度有关§3.4.1 晶体长大的条件Ti第四节 晶体的长大晶体长大：液体中原子迁移到晶体表面，即液-固界面向液体中推移的过程。平衡状态：(dN/dT)M=(dN/dT)F温度对熔化和凝固速度的影响动态过冷：晶核长大所需的界面过冷度。（远小于形核所需过冷度）晶核长大条件：动态过冷、合适的晶核表面结构§3.4.2 液-固界面的微观结构稳定长大过程，界面能量始终保持最低。两种能量低的界面结构：光滑界面，粗糙界面第四节 晶体的长大光滑界面：液-固界面上的原子排列较规则，界面处两相截然分开。微观上界面光滑，宏观上有若干小平面。粗糙界面：液-固界面上的原子排列较混乱，原子分布高低不平整，在几个原子厚度的界面上，液、固两相原子各占位置的一半。宏观上界面平直。§3.4.2 液-固界面的微观结构理论证明：界面粗糙化时，界面自由能的相对变化：△Gs/(N