场效应管与集成运放（第四讲）2010.pptVIP

晶体三极管又称为双极型三极管，简记为BJT（Bipo1ar Junction Transistor） 场效应管FET（Field Effect Transistor） 结型场效应三极管JFET(Junction type FET) 绝缘栅型场效应管也称金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET ，简称为MOS管 (Metal-Oxide-Semiconductor type FET) MOS管有NMOS、PMOS、CMOS ? N沟道耗尽型MOS场效应管工作原理 当UGS=0时，UDS加正向电压，产生漏极电流ID, 此时的漏极电流称为漏极饱和电流，用IDSS表示 当UGS＞0时，将使ID进一步增加。 当UGS＜0时，随着UGS的减小漏极电流逐渐减小。直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压，用符号UP表示。 UGS(V) ID(mA) N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 转移特性曲线 UP ID≈ IDSS(1- UGS /UP)2 常用关系式： ? N沟道耗尽型MOS场效应管特性曲线 输出特性曲线 N沟道耗尽型MOS管可工作在UGS?0或UGS0 N沟道增强型MOS管只能工作在UGS0 UGS=6V UGS=1V UGS=0V UGS=-1V UGS(V) ID(mA) 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 UT 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 UP 1.3.3 场效应管的主要参数及电路模型 直流参数 交流参数 极限参数 1. 主要参数 2. 夹断电压UP(UGS(off)) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当UGS=UP 时,漏极电流为零。 1. 开启电压UT (UGS(th)) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于 开启电压的绝对值,场效应管不能导通。 直流参数 3. 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管当UGS=0时所对应的漏极电流。 直流参数 4. 直流输入电阻RGS 栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比。 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅场效应三极管RGS约是109～1015Ω。 1. 最大漏极电流IDM 管子正常工作时允许的最大漏极电流 3. 漏源击穿电压U(BR)DS 使ID开始剧增产生击穿时的UDS。 4.栅源击穿电压U(BR)GS JFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压 MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压 极限参数 2. 漏极最大允许耗散功率PDM 当PDM确定后,可在漏极特性曲线上画出它的临界损耗线 1. 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用 gm的求法: ① 图解法—gm实际就是转移特性曲线的斜率 ② 解析法：对增强型MOS管，有 交流参数 2. 漏极电阻rds 反映了UDS对ID的影响，实际上是输出特性曲线上工作点切线上的斜率 交流参数 3. 极间电容 Cgs —栅极与源极间电容 Cgd —栅极与漏极间电容 Cgb —栅极与衬底间电容Csd —源极与漏极间电容 Csb —源极与衬底间电容 Cdb —漏极与衬底间电容 主要的极间电容有： 交流参数 S G D ugs gmugs uds 场效应管低频简化微变等效电路模型 第一章 半导体器件概述 § 1.2 半导体三极管 § 1.3 半导体场效应管 1.3.1 结型场效应管 1.3.2 绝缘栅场效应管 § 1.4 集成运算放大器 1.4.1 集成运放的基本特性 1.4.2 理想运放 1.4 集成运算放大器 集成电路一般是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm2 的P型硅片上通过平面工艺制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上可以做出包含为数十个（或更多）二极管、电阻、电容和连接导线的电路。 1. 电路中各元件在同一基片上，通过相同工艺过程制造而成，其特性较为一致。 2. 集成电路中的二极管多用于温度补偿或电平移动，通常由三极管的发射结构成。 3. 电阻元件由半导体的体电阻构成，阻值越大, 占用的硅片面积越大。 通常的电阻范围为几十? -20k?,高阻值的电阻多用半导体三极管等有源元件代替或外接。 集成电路的特点 * 第一章 半导体器件概述 § 1.2 半导体三极管 § 1.3 半导体场效应管 1.3.1 结型场效应管 1.3.2 绝缘栅场效应管 § 1.4 集成运算放大器 1.4.1 集成运放的基本特性 1.4.2 理想运放 §1.3 半导体场效应管 FET与BJT的