4.2.2 激光探测技术.pptVIP

4.2 激光探测技术 光电子技术教研室 2、光电导效应 光电导效应只发生在某些半导体材料中，金属没有光电导效应。 半导体材料的电导概念： 金属之所以导电，是由于金属原子形成晶体时产生了大量的自由电子。自由电子浓度n是个常量，不受外界因素影响。 半导体和金属的导电结构完全不同，在TK时，导电载流子浓度为零。在TK以上，由于热激发而不断产生热生载流子(电子和空穴)，它在扩散过程中又受到复合作用而消失。 在热平衡下，单位时间内热生载流子的产生数目正好等于因复合而消失的数目。 因此在导带和价带中维持着一个热平衡的电子浓度n和空穴浓度p，他们的平均寿命分别用 和 表示。无论何种半导体材料，下式一定成立，即 式中ni是响应温度下本征半导体中的本征热生载流子浓度。这说明，在n型或p型半导体中，一种浓度增大，另一种浓度就减少，但绝不会减少到零。 在外电场E的作用下，载流子产生飘移运动，漂移速度Vn和电场E之比定义为载流子迁移率μ,即有： 式中V是外电压，L是电压方向半导体的长度。载流子的漂移运动效果用半导体的电导率σ来描述，定义为 式中e是电子电荷量。如果半导体的截面积是A，则其电导(亦称为热平衡暗电导)G为 所以半导体的电阻Rd (亦称暗电阻)为: 式中ρ是其电阻率(Ω·cm)。 光电导探测器工作的前提条件: 光子的能量必须大于禁带宽度，所以光波长λ满足如下条件，即： Eg是禁带宽度，Ei是杂质能带宽度。那么光子将在其中发出新的载流子(电子和空穴)。这就使半导体中的载流子浓度在原来平衡值上增加了一个量 和 。 这个新增加的部分非平衡载流子，称之为光生载流子。显然， 和 将使半导体的电导增加一个量 ，我们称之为光电导。 同一能带内载流子迁移率与其能量有关，载流子吸收光能并激发到同一能带内的高能级上，但载流子的总数不变，只是迁移率发生变化 迁移率的变化（ ）就是电导率的变化，也是电阻的变化。光敏电阻 3、光伏效应 如果光导现象是半导体材料的体效应，那么光伏现象则是半导体材料的“结”效应 实现光伏效应需要有内部电势垒，当照射光激发出电子—空穴对时，电势垒的内建电场将把电子—空穴对分开，从而在势垒两侧形成电荷堆积，形成光生伏特效应。 p-n结的基本特征是它的电学不对称性，在结区有一个从n侧指向p侧的内建电场存在 热平衡下，多数载流子（n侧的电子和p侧的空穴）的扩散作用与少数载流子（n侧的空穴和p侧的电子）由于内电场的漂移作用相互抵消，没有净电流通过p-n结。用电压表量不出p-n结两端有电压，称为零偏状态。 如果p-n结正向偏置(p区接正，n区接负)，则有较大正向电流通过p-n结。 如果p-n结反向电压偏置(p区接负，n区接正)，则有一很小的反向电流通过p-n结，这个电流在反向击穿前几乎不变，称为反向饱和电流。p-n结的这种伏安特性如图所示。图中还给出了p-n结电阻随偏置电压的变化曲线。 光照p区， 由于p区的多数载流子 是空穴，光照前热平衡 空穴浓度本来就比较大。 因此光生空穴对p区空穴浓度影响很小。相反，光生电子对p区的电子浓度影响很大，从p区表面（吸收光能多，光生电子多）向区内自然形成电子扩散趋势。如果p区的厚度小于电子扩散长度，那么大部分光生电子都能扩散进p-n结，一进入p-n结，就被内电场扫向n区。这样，光生电子—空穴对就被内电场分离开来，空穴留在p区，电子通过扩散流向n区。这时用电压表就能量出p区正n区负的开路电压u0，称为光生伏特效应，如果用一个理想电流表接通p-n结，则有电流i0通过，称为短路光电流。 显然 综合上述，光照零偏p-n结产生开路电压的效应，称为光伏效应。这也是光电池的工作原理。 在光照反偏条件下工作时，观测到的光电信号是光电流，而不是光电压，这便是结型光电探测器的工作原理。 从这个意义上说，反偏p-n结在光照下好象是以光电导方式工作，但实质上两者的工作原理是根本不同的。 反偏p-n结通常称为光电二极管。 光热效应和光子效应的区别 光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。 探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的内部电子状态的改变。 光子能量的大小，直接影响内部电子状态改变的大小。光子能量是hν所以，光子效应就对光波频率表现出选择性，在光子直接与电子相互作用的情况下，其响应速度比较快。 光热效应吸收光辐射能量后，并不直接引起内部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测器元件温度上升，温度上升的结果又使探测元件的电学性质或其它物理性质发生变化。 所以，光热效应与单光子能量hν的大小没有直接关系。原则上，光热效应对光波频率没有选择性。 只是在红外波段上，材料吸收率高，光热效应也就